Gollub, D. (2005). Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat: Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden. Mensch- & Buch-Verl.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Gollub, Dirk. Das Materialsystem GaInNAs Für Langwellige Emission Im 1.3 Bis 1.5 Mikrometer-Bereich Auf GaAs-Substrat: Epitaxie Und Charakterisierung Von Kantenemittierenden Laserdioden. Berlin: Mensch- & Buch-Verl, 2005.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Gollub, Dirk. Das Materialsystem GaInNAs Für Langwellige Emission Im 1.3 Bis 1.5 Mikrometer-Bereich Auf GaAs-Substrat: Epitaxie Und Charakterisierung Von Kantenemittierenden Laserdioden. Mensch- & Buch-Verl, 2005.
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