Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat: Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Mensch- & Buch-Verl.
2005
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Würzburg, Univ., Diss., 2004 |
| Beschreibung: | 145 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 389820975X |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV021304923 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 060124s2005 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 389820975X |9 3-89820-975-X | ||
| 035 | |a (OCoLC)255425689 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV021304923 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-20 |a DE-83 | ||
| 100 | 1 | |a Gollub, Dirk |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat |b Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden |c Dirk Gollub |
| 264 | 1 | |a Berlin |b Mensch- & Buch-Verl. |c 2005 | |
| 300 | |a 145 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Würzburg, Univ., Diss., 2004 | ||
| 650 | 4 | |a Drei-Fünf-Halbleiter - Quaternäre Verbindungen - Molekularstrahlepitaxie - Laserdiode - Infrarotlaser | |
| 650 | 0 | 7 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Quaternäre Verbindungen |0 (DE-588)4176652-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Laserdiode |0 (DE-588)4195920-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Infrarotlaser |0 (DE-588)4271735-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Quaternäre Verbindungen |0 (DE-588)4176652-0 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Laserdiode |0 (DE-588)4195920-6 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Infrarotlaser |0 (DE-588)4271735-8 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-014625576 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804135105383366656 |
|---|---|
| adam_txt | |
| any_adam_object | |
| any_adam_object_boolean | |
| author | Gollub, Dirk |
| author_facet | Gollub, Dirk |
| author_role | aut |
| author_sort | Gollub, Dirk |
| author_variant | d g dg |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV021304923 |
| ctrlnum | (OCoLC)255425689 (DE-599)BVBBV021304923 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01776nam a2200421 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV021304923</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">060124s2005 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">389820975X</subfield><subfield code="9">3-89820-975-X</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)255425689</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV021304923</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-20</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Gollub, Dirk</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat</subfield><subfield code="b">Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden</subfield><subfield code="c">Dirk Gollub</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin</subfield><subfield code="b">Mensch- & Buch-Verl.</subfield><subfield code="c">2005</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">145 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Würzburg, Univ., Diss., 2004</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter - Quaternäre Verbindungen - Molekularstrahlepitaxie - Laserdiode - Infrarotlaser</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Quaternäre Verbindungen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176652-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Laserdiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4195920-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Infrarotlaser</subfield><subfield code="0">(DE-588)4271735-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Quaternäre Verbindungen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176652-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Laserdiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4195920-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Infrarotlaser</subfield><subfield code="0">(DE-588)4271735-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-014625576</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV021304923 |
| illustrated | Illustrated |
| index_date | 2024-07-02T13:53:59Z |
| indexdate | 2024-07-09T20:35:13Z |
| institution | BVB |
| isbn | 389820975X |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-014625576 |
| oclc_num | 255425689 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-20 DE-83 |
| owner_facet | DE-20 DE-83 |
| physical | 145 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2005 |
| publishDateSearch | 2005 |
| publishDateSort | 2005 |
| publisher | Mensch- & Buch-Verl. |
| record_format | marc |
| spelling | Gollub, Dirk Verfasser aut Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden Dirk Gollub Berlin Mensch- & Buch-Verl. 2005 145 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Würzburg, Univ., Diss., 2004 Drei-Fünf-Halbleiter - Quaternäre Verbindungen - Molekularstrahlepitaxie - Laserdiode - Infrarotlaser Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd rswk-swf Quaternäre Verbindungen (DE-588)4176652-0 gnd rswk-swf Laserdiode (DE-588)4195920-6 gnd rswk-swf Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd rswk-swf Infrarotlaser (DE-588)4271735-8 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 s Quaternäre Verbindungen (DE-588)4176652-0 s Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 s Laserdiode (DE-588)4195920-6 s Infrarotlaser (DE-588)4271735-8 s DE-604 |
| spellingShingle | Gollub, Dirk Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden Drei-Fünf-Halbleiter - Quaternäre Verbindungen - Molekularstrahlepitaxie - Laserdiode - Infrarotlaser Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Quaternäre Verbindungen (DE-588)4176652-0 gnd Laserdiode (DE-588)4195920-6 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Infrarotlaser (DE-588)4271735-8 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4170399-6 (DE-588)4176652-0 (DE-588)4195920-6 (DE-588)4150649-2 (DE-588)4271735-8 (DE-588)4113937-9 |
| title | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden |
| title_auth | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden |
| title_exact_search | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden |
| title_exact_search_txtP | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden |
| title_full | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden Dirk Gollub |
| title_fullStr | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden Dirk Gollub |
| title_full_unstemmed | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden Dirk Gollub |
| title_short | Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat |
| title_sort | das materialsystem gainnas fur langwellige emission im 1 3 bis 1 5 mikrometer bereich auf gaas substrat epitaxie und charakterisierung von kantenemittierenden laserdioden |
| title_sub | Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden |
| topic | Drei-Fünf-Halbleiter - Quaternäre Verbindungen - Molekularstrahlepitaxie - Laserdiode - Infrarotlaser Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Quaternäre Verbindungen (DE-588)4176652-0 gnd Laserdiode (DE-588)4195920-6 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Infrarotlaser (DE-588)4271735-8 gnd |
| topic_facet | Drei-Fünf-Halbleiter - Quaternäre Verbindungen - Molekularstrahlepitaxie - Laserdiode - Infrarotlaser Molekularstrahlepitaxie Quaternäre Verbindungen Laserdiode Drei-Fünf-Halbleiter Infrarotlaser Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT gollubdirk dasmaterialsystemgainnasfurlangwelligeemissionim13bis15mikrometerbereichaufgaassubstratepitaxieundcharakterisierungvonkantenemittierendenlaserdioden |