Thermomechanische Effekte dünner Schichten auf integrierten Schaltkreisen bei Flip-Chip-Anwendungen:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2005
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| Beschreibung: | 118 S. Ill., graph. Darst. |
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|---|---|
| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 2 FLIP-CHIP-MONTAGEPROZESS 4 2.1
PROZESSSCHRITTE DER FLIP-CHIP-MONTAGE 4 2.2 EINFLUSS DER
FLIP-CHIP-MONTAGE AUF DIE ZUVERLAESSIGKEIT. 10 2.2.1 MODELL ZUR
ENTSTEHUNG VON KURZSCHLUESSEN UND LEITERBALMUN- TEIBREEHUNGEN DURCH
ZWISCHENOXIDIISSE 11 2.2.2 KURZSCHLUSS MIT VAKUUM IM SIO2-RISS 15 2.2.3
KURZSCHLUSS IM LUFTGEFUELLTEN SIO 2 -RISS 17 2.3 ANFORDERUNGEN AN
TESTCHIPS ZUR DETEKTION VON SCHAEDIGUNGEN IN VER- DRAHTUIIGSEBENEN 19 3
TESTCHIP ZUR BEWERTUNG DER ZUVERLAESSIGKEIT VON FLIP-CHIPS 21 3.1
TECHNOLOGISCHER AUFBAU DES TESTCHIPS 21 3.2 LAYOUT DER TESTCHIPS 22
3.2.1 GRAFENMODELLE ZUR BESCHREIBUNG VON TESTSTRUKTUREN 23 3.2.2
TOPOLOGIESTRUKTUR 25 3.2.3 KAMMSTRUKTUR 27 3.2.4 MAEANDERSTRUKTUR 30
3.2.5 WEBESTRUKTUR 31 3.2.6 KARREESTRUKTUR 33 4 VERFAHREN ZUR DETEKTION
VON DEFEKTEN IN VERDRAHTUNGSEBENEN 38 4.1 KAPAZITIVE MESSUNGEN 38 4.1.1
MODELL ZUR KAPAZITAET.SBERECHNUNG 39 4.1.2 KAPAZITAETSBERECHNUNGEN AN
DEFEKTEN TESTSTRUKTUREN 41 4.2 ELEKTRISCHE WIDERSTANDSMESSUNGEN 44 4.2.1
LEITERBAHMMTERBRECHUNG 45 4.2.2 ZWISCHENOXIDRISS 49 4.3 AETZEN 53 4.4
VISUELLE BEWERTUNG 56 4.4,1 OPTISCHE MIKROSKOPIE 56 4.4.2
INFRAROT-MIKROSKOPIE 57 4.4.3 LICHT-EMISSION-MIKROSKOPIE 57 4.4.4
RASTER-ELEKTRONEN-MIKROSKOPIE 58 4.5 SCHLUSSFOLGERUNG 59 5 BESCHREIBUNG
DES MESSAUFBAUS UND DER AUSWERTEROUTINEN 60 5.1 MESSPLATZ FUER WAFER 60
5.1.1 DER HALBLEITER-PARAMETER-ANALYSATOV 61 5.2 MESSPLATZ FUER BESTUECKTE
LEITERPLATTEN 62 5.3 STEUERPROGRARNME FUER DIE ELEKTRISCHEN MESSUNGEN 63
5.4 AUTOMATISIERTE AUSWERTUNG DER MESSDATEN 66 5.5
MIKRO-KRAFT-APPLIKATOR 67 6 ANALYSE DER SCHAEDIGUNG IN EINER TEST
STRUKTUR 70 7 EXPERIMENTELLE UNTERSUCHUNG DES FC-MONTAGEPROZESSES DURCH
TEST- CHIP 76 7.1 BESTIMMUNG DER BELASTUNGSGRENZE FUER
LEHERBAHNSTRUKTUREN 76 7.2 EINFLUSS DER UBM BEI THERMISCHER BELASTUNG 77
7.3 EINFLUSS DES ELEKTRISCHEN TESTENS AUF DER UBM 78 7.4 EINFLUSS DES
BUMPINGPROZESSES 79 7.5 EINFHSSS DES VEREINZEINS UND REINIGENS DER WAFER
81 7.6 EINFLUSS DER MONTAGE , 82 7.7 UNTERSUCHUNGEN MIT BLEIFREI
GELOETETEN TESTCHIPS 95 8 ZEITRAFFENDE TESTS ZUR
ZUVERLAESSIGKEITSVORHERSAGE IM FELD 96 8.1 ZEITRAFT ENDE TESTS MIT
BLEIFREI GELOETETEN TESTCHIPS 97 9 ENTWURFSREGELN UND
PROZESSMODIFLKATIONEN 99 A PUNKT- UND INTERVALLSCHAETZUNG 105
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