Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | München, Techn. Univ., Diss., 2005 |
| Beschreibung: | X, 153 S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV019810235 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20060425 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 050513s2005 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)218642619 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV019810235 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-29T |a DE-12 |a DE-706 |a DE-83 | ||
| 082 | 0 | |a 620 | |
| 100 | 1 | |a Oswald, Michael |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen |c Michael Oswald |
| 264 | 1 | |c 2005 | |
| 300 | |a X, 153 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a München, Techn. Univ., Diss., 2005 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Dielektrische Eigenschaft |0 (DE-588)4149718-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Praseodymoxide |0 (DE-588)4740848-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-Diode |0 (DE-588)4170575-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Aluminiumoxide |0 (DE-588)4001590-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Gate-Oxid |0 (DE-588)4269383-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a MOS-Diode |0 (DE-588)4170575-0 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Gate-Oxid |0 (DE-588)4269383-4 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Aluminiumoxide |0 (DE-588)4001590-7 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Praseodymoxide |0 (DE-588)4740848-0 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Dielektrische Eigenschaft |0 (DE-588)4149718-1 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Gate-Oxid |0 (DE-588)4269383-4 |D s |
| 689 | 1 | 2 | |a Aluminiumoxide |0 (DE-588)4001590-7 |D s |
| 689 | 1 | 3 | |a Praseodymoxide |0 (DE-588)4740848-0 |D s |
| 689 | 1 | 4 | |a Dielektrische Eigenschaft |0 (DE-588)4149718-1 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m GBV Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=013135664&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013135664 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804133307877687296 |
|---|---|
| adam_text | TECHNISCHE UNIVERSITAET MUENCHEN LEHRSTUHL FUER TECHNISCHE ELEKTRONIK
FACHGEBIET HALBLEITERPRODUKTIONSTECHNIK ENTWICKLUNG EINES
QUALITAETSANALYSESYSTEMS FUER HIGH-K DIELEKTRIKA IN MOS*BAUELEMENTEN
MICHAEL OSWALD VOLLSTAENDIGER ABDRUCK DER VON DER FAKULTAET FUER
ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK DER TECHNISCHEN UNIVERSITAET
MUENCHEN ZUR ERLANGUNG DES AKADEMISCHEN GRADES EINES DOKTOR-INGENIEURS
GENEHMIGTEN DISSERTATION. VORSITZENDER: UNIV.-PROF. DR.-ING. HANS-GEORG
HERZOG PRUEFER DER DISSERTATION: 1. UNIV.-PROF. DR.-ING. WALTER HANSCH 2.
UNIV.-PROF. DR. RER. NAT. IGNAZ EISELE, UNIVERSITAET DER BUNDESWEHR
MUENCHEN DIE DISSERTATION WURDE AM 14.10.2004 BEI DER TECHNISCHEN
UNIVERSITAET MUENCHEN EINGEREICHT UND DURCH DIE FAKULTAET FUER
ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK AM 01.02.2005 ANGENOMMEN.
INHALTSVERZEICHNIS ZUSAMMENFASSUNG III ABSTRACT V INHALTSVERZEICHNIS VII
1 EINLEITUNG 1 2 DIE MOS-DIODE 5 2.1 DIE IDEALE MOS-DIODE 5 2.1.1
FLACHBANDFALL 6 2.1.2 AKKUMULATION ODER ANREICHERUNG 7 2.1.3 VERARMUNG 7
2.1.4 INVERSION 8 2.2 DIE REALE MOS-DIODE 9 2.2.1 DIE
AUSTRITTSARBEITSDIFFERENZ $J./S 9 2.2.2 LADUNGEN IM SILIZIUMDIOXID 10
2.2.3 DIE FLACHBANDSPANNUNG UFB H 2.3 DIE KAPAZITAET DER MOS-DIODE 12
2.3.1 DIE HALBLEITERLADUNG Q SC (*S) 14 2.3.2 DIE HALBLEITERKAPAZITAET C^
CF IM QUASISTATIONAEREN BETRIEB 15 2.3.3 DIE HALBLEITERKAPAZITAET C^ CF
BEI HOHEN FREQUENZEN 16 2.3.4 DIE FLACHBANDKAPAZITAET CFB 16 2.3.5
ANWENDUNG AUF REALE MOS-DIODEN 17 2.4 BESTIMMUNG DER
GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE DA 17 2.4.1 DIFFERENZ VON NF-CV- UND
HF-CV-KURVE 18 2.4.2 DIE LEITWERTSMETHODE NACH BREWS 19 2.4.3 DIE
LEITWERTSMETHODE NACH GOETZBERGER 21 2.4.4 VERGLEICH IN DER PRAXIS 22
2.5 KORREKTUR DER GEMESSENEN CV- UND GV-KURVEN NACH NICOLLIAN 24 2.6
LADUNGSTRAEGERTRANSPORTMECHANISMEN DURCH GATEOXIDE 26 2.6.1
TUNNELMECHANISMEN 28 2.6.1.1 FOWLER-NORDHEIM-TUNNELN (FNT) 28 2.6.1.2
DIREKTES TUNNELN (DT) 30 2.6.1.3 TRAP-ASSISTED-TUNNELING (TAT) 32 2.6.2
FRENKEL-POOLE-EMISSION (FP-EMISSION) 34 VII VLLL INHALTSVERZEICHNIS
2.6.3 SOFT-BREAKDOWN (SBD) 35 2.6.4 DIELEKTRISCHER DURCHBRUCH (HBD) 36
2.6.5 STRESS-INDUCED-LEAKAGE-CURRENT (SILC) 37 2.6.6 WEITERE URSACHEN
FUER STROEME DURCH DAS GATEDIELEKTRIKUM 38 2.7 TIME DEPENDENT DIELECTRIC
BREAKDOWN (TDDB) 38 3 N-KANAL MOSFET 43 3.1 MATHEMATISCHE BESCHREIBUNG
43 3.1.1 FUNKTIONSWEISE 43 3.1.2 BANDDIAGRAMM 45 3.1.3 DRAINSTROM ISS 46
3.1.4 EINSATZSPANNUNG UTK 48 3.2 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 49 3.2.1
TRANSFERKENNLINIE 49 3.2.1.1 STEIGUNG IM UNTERSCHWELLBEREICH S 49
3.2.1.2 BEWEGLICHKEIT IM KANAL SS N 51 3.2.2 BESTIMMUNG DER
EINSATZSPANNUNG UXH 52 3.3 MOS-TRANSISTORTYPEN 54 4 ALTERNATIVE
GATEDIELEKTRIKA 55 4.1 ANFORDERUNGEN AN EIN *HIGH-K MATERIAL 55 4.2
MOEGLICHE KANDIDATEN - STAND DER FORSCHUNG 61 4.2.1 BINAERE VERBINDUNGEN
61 4.2.2 PSEUDOBINAERE VERBINDUNGEN 65 4.2.3 FAZIT 67 5
REFERENZBAUELEMENTE 69 5.1 MOS-DIODEN 69 5.1.1 HERSTELLUNG 69 5.1.2
CHARAKTERISIERUNG 70 5.1.2.1 KAPAZITAET, LEITWERT UND
GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE DU . 72 5.1.2.2 JV-KENNLINIE UND
DURCHBRUCHFELDSTAERKE ESS T 75 5.1.2.3 FLACHBANDSPANNUNGSVERSCHIEBUNG AUFB
78 5.2 N-MOSFET 79 5.2.1 HERSTELLUNG 80 5.2.2 CHARAKTERISIERUNG 82 5.3
ZUSAMMENFASSUNG 91 6 ALUMMIUM(III)OXID 93 6.1 TECHNOLOGISCHE ASPEKTE 93
6.1.1 ABSCHEIDUNG 93 6.1.2 BAUELEMENTHERSTELLUNG 94 6.2 ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG 94 6.2.1 RELATIVE DIELEKTRIZITAETSKONSTANTE E R 94
6.2.2 FLACHBANDSPANNUNGSVERSCHIEBUNG AUPS 95 6.2.3
GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE DU 97 INHALTSVERZEICHNIS IX 6.2.4
STROMFLUSSMECHANISMEN UND DURCHBRUCHFELDSTAERKE EG R 99 6.2.5 STEIGUNG S
UND BEWEGLICHKEIT P N 100 6.2.6 EINSATZSPANNUNG UXH 103 6.3
ZUSAMMENFASSUNG 104 7 PRASEODYM(III)OXID 107 7.1 TECHNOLOGISCHE ASPEKTE
107 7.1.1 ABSCHEIDUNG 107 7.1.2 BAUELEMENTHERSTELLUNG 107 7.2
PHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN 108 7.2.1 THERMODYNAMISCHE STABILITAET 108
7.2.2 BRECHUNGSINDEX 110 7.2.3 KOHLENSTOFFKONZENTRATION IN
PRASEODYM(IIL)OXID 111 7.3 ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 112 7.3.1
RELATIVE DIELEKTRIZITAETSKONSTANTE E R 112 7.3.2
FLACHBANDSPANNUNGSVERSCHIEBUNG AUPS 114 7.3.3 GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE
D IT 115 7.3.4 STROMFLUSSMECHANISMEN UND DURCHBRUCHFELDSTAERKE EB T 116
7.3.5 STEIGUNG S UND BEWEGLICHKEIT SS N 117 7.3.6 EINSATZSPANNUNG UTK 119
7.4 ZUSAMMENFASSUNG 120 8 DISKUSSION UND AUSBLICK 123 A
MATERIALEIGENSCHAFTEN VON HIGH-K DIELEKTRIKA 127 A.L BINAERE VERBINDUNGEN
127 A.2 PSEUDOBINAERE VERBINDUNGEN 139 LITERATURVERZEICHNIS 143
DANKSAGUNG 153
|
| any_adam_object | 1 |
| author | Oswald, Michael |
| author_facet | Oswald, Michael |
| author_role | aut |
| author_sort | Oswald, Michael |
| author_variant | m o mo |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV019810235 |
| ctrlnum | (OCoLC)218642619 (DE-599)BVBBV019810235 |
| dewey-full | 620 |
| dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
| dewey-ones | 620 - Engineering and allied operations |
| dewey-raw | 620 |
| dewey-search | 620 |
| dewey-sort | 3620 |
| dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02065nam a2200505 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV019810235</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20060425 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">050513s2005 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)218642619</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV019810235</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">620</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Oswald, Michael</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen</subfield><subfield code="c">Michael Oswald</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2005</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">X, 153 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">München, Techn. Univ., Diss., 2005</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dielektrische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4149718-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Praseodymoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4740848-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170575-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Aluminiumoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4001590-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Gate-Oxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269383-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MOS-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170575-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Gate-Oxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269383-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Aluminiumoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4001590-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Praseodymoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4740848-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Dielektrische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4149718-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Gate-Oxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269383-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Aluminiumoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4001590-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Praseodymoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4740848-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="4"><subfield code="a">Dielektrische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4149718-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">GBV Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=013135664&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013135664</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV019810235 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T20:06:39Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013135664 |
| oclc_num | 218642619 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-12 DE-706 DE-83 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-12 DE-706 DE-83 |
| physical | X, 153 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2005 |
| publishDateSearch | 2005 |
| publishDateSort | 2005 |
| record_format | marc |
| spelling | Oswald, Michael Verfasser aut Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen Michael Oswald 2005 X, 153 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier München, Techn. Univ., Diss., 2005 Dielektrische Eigenschaft (DE-588)4149718-1 gnd rswk-swf Praseodymoxide (DE-588)4740848-0 gnd rswk-swf MOS-Diode (DE-588)4170575-0 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf Aluminiumoxide (DE-588)4001590-7 gnd rswk-swf Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content MOS-Diode (DE-588)4170575-0 s Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 s Aluminiumoxide (DE-588)4001590-7 s Praseodymoxide (DE-588)4740848-0 s Dielektrische Eigenschaft (DE-588)4149718-1 s DE-604 MOS-FET (DE-588)4207266-9 s GBV Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=013135664&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Oswald, Michael Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen Dielektrische Eigenschaft (DE-588)4149718-1 gnd Praseodymoxide (DE-588)4740848-0 gnd MOS-Diode (DE-588)4170575-0 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Aluminiumoxide (DE-588)4001590-7 gnd Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4149718-1 (DE-588)4740848-0 (DE-588)4170575-0 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4001590-7 (DE-588)4269383-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen |
| title_auth | Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen |
| title_exact_search | Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen |
| title_full | Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen Michael Oswald |
| title_fullStr | Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen Michael Oswald |
| title_full_unstemmed | Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen Michael Oswald |
| title_short | Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen |
| title_sort | entwicklung eines qualitatsanalysesystems fur high k dielektrika in mos bauelementen |
| topic | Dielektrische Eigenschaft (DE-588)4149718-1 gnd Praseodymoxide (DE-588)4740848-0 gnd MOS-Diode (DE-588)4170575-0 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Aluminiumoxide (DE-588)4001590-7 gnd Gate-Oxid (DE-588)4269383-4 gnd |
| topic_facet | Dielektrische Eigenschaft Praseodymoxide MOS-Diode MOS-FET Aluminiumoxide Gate-Oxid Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=013135664&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT oswaldmichael entwicklungeinesqualitatsanalysesystemsfurhighkdielektrikainmosbauelementen |