Einfluss von Stickstoff auf das Wachstum und die Eigenschaften von InAs-Quantenpunkten:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Garching
Verein zur Förderung des Walter Schottky Inst. der Techn. Univ. München e.V.
2004
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
64 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2004 |
| Beschreibung: | VIII, 148 S. zahlr. Ill. und graph. Darst. |
| ISBN: | 3932749642 |
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