Hetero- und Homoepitaxie von Diamant: topologische und elektronische Eigenschaften
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2004
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| adam_text | HETERO- UND HOMOEPITAXIE VON DIAMANT: TOPOLOGISCHE UND ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN DEN NATURWISSENSCHAFTLICHEN FAKULTAETEN DER
FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITAET ERLANGEN-NUERNBERG ZUR ERLANGUNG DES
DOKTORGRADES VORGELEGT VON MARKUS STAMMLER AUS SCHNAITTACH 2004 I
EINLEITUNG 3 II EXPERIMENTELLE UND THEORETISCHE GRUNDLAGEN 7 II. 1.
GRUNDLAGEN ZUR STRUKTUR UND SYNTHESE VON DIAMANT 7 11.1.1. STRUKTUR UND
EIGENSCHAFTEN VON DIAMANT ...7 11.1.2. DIAMANTSYNTHESE 10 II.2.
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN 19 11.2.1. TOPOLOGISCHE
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN 19 11.2.2. SPEKTROSKOPISCHE METHODEN ZUR
DEFEKTCHARAKTERISIERUNG 22 II. 3. DEFEKTINDUZIERTE LUMINESZENZ 29
11.3.1. PUNKTDEFEKTE IN DIAMANT 29 11.3.2. DAS LUMINESZENZSPEKTRUM UNTER
BERUECKSICHTIGUNG DER ELEKTRON-GITTER- WECHSELWIRKUNG 31 11.3.3. EINFLUSS
VON TEMPERATUR UND VERSPANNUNGEN AUF DIE LUMINESZENZLINIEN36 III
ERGEBNISSE 41 III. 1. HOCHORIENTIERTES, TEXTURIERTES WACHSTUM VON
DIAMANT AUFSI(LOO) 41 III. 1.1. TEXTUR UND ALPHA-PARAMETER 41 III. 1.2.
ORIENTIERTES UND TEXTURIERTES WACHSTUM INDERMWCVD 45 III. 1.3.
ORIENTIERTES UND TEXTURIERTES WACHSTUM IN DER HF-CVD 48 III. 1.4.
MEHRSCHRITTMETHODE ZUR SYNTHESE HOCHORIENTIERTER, TEXTURIERTER
DIAMANTSCHICHTEN 50 III.2. HOMOEPITAXIE VON DIAMANT 53 111.2.1.
CHARAKTERISIERUNG DER IB-SUBSTRATE 53 111.2.2. DEPOSITIONSPARAMETER 60
111.2.3. BESTIMMUNG DER WACHSTUMSRATEN 62 111. 2.4. TOPOLOGIE DER
HOMOEPITAKTISCHEN DIAMANTSCHICHTEN 64 111.2.5. DISKUSSION DER
TOPOLOGISCHEN PHAENOMENE ..77 ///. 3. BEHANDLUNG VON DIAMANTOBERFLAECHEN
IM WASSERSTOFFPLASMA 83 111.3.1. BESTIMMUNG DER AETZRATEN 84 111.3.2.
WASSERATOFFABSAETTIGUNG DER DIAMANTOBERFLAECHE 92 III.4.
DEFEKTCHARAKTERISIERUNG 97 111.4.1. DEFEKTCHARAKTERISIERUNG MIT MICRO-
(U-) RAMANSPEKTROSKOPIE 97 111.4.2. DEFEKTCHARAKTERISIERUNG MIT
PL-SPEKTROSKOPIE 118 III.4.3. DISKUSSION DER LUMINESZENZERGEBNISSE 149
III.5. OBERFLAECHENLEITFAEHIGKEIT VON DIAMANT 155 111.5.1. WISSENSSTAND
ZUR OBERFLAECHENLEITFAEHIGKEIT 155 111.5.2. DER EINFLUSS VON
STICKSTOFFDEFEKTEN AUF DIE OBERFLAECHENLEITFAEHIGKEIT VON DIAMANT 158
111.5.3. OBERFLAECHENLEITFAEHIGKEIT IN ABHAENGIGKEIT VON DER SCHICHTDICKE
161 111.5.4. MODELL 162 IV ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 165 V ANHANG 171
V.L. RAMANVERSCHIEBUNG AUFGRUND VON VERSPANNUNGEN 171 V.2. TABELLE DER
VERWENDETEN SUBSTRATE 174 VI REFERENZEN 175
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