Charakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
2004
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Fortschritt-Berichte / VDI : Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik
Nr. 371 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | XI, 111 S. graph. Darst. 21 cm |
| ISBN: | 318337109X |
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