Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2004
|
| Schriftenreihe: | Erlanger Berichte Mikroelektronik
2004,1 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2004 |
| Beschreibung: | 152 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3832227415 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV019336147 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20050620 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 040714s2004 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 3832227415 |9 3-8322-2741-5 | ||
| 035 | |a (OCoLC)76518047 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV019336147 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-29 |a DE-29T |a DE-91 | ||
| 084 | |a UP 3000 |0 (DE-625)146369: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 4840 |0 (DE-625)157412: |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Weiß, Roland |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid |c Roland Weiß |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2004 | |
| 300 | |a 152 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2004,1 | |
| 500 | |a Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2004 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Randschicht |0 (DE-588)4316551-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Prozessführung |g Technik |0 (DE-588)4197295-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Schottky-Kontakt |0 (DE-588)4240294-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Schottky-Diode |0 (DE-588)4179945-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Prozessführung |g Technik |0 (DE-588)4197295-8 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Schottky-Diode |0 (DE-588)4179945-8 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Randschicht |0 (DE-588)4316551-5 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Schottky-Kontakt |0 (DE-588)4240294-3 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2004,1 |w (DE-604)BV010300264 |9 2004,1 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-012800926 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804132758110339072 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Weiß, Roland |
| author_facet | Weiß, Roland |
| author_role | aut |
| author_sort | Weiß, Roland |
| author_variant | r w rw |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV019336147 |
| classification_rvk | UP 3000 ZN 4840 |
| ctrlnum | (OCoLC)76518047 (DE-599)BVBBV019336147 |
| discipline | Physik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01930nam a2200493 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV019336147</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20050620 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">040714s2004 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832227415</subfield><subfield code="9">3-8322-2741-5</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76518047</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV019336147</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3000</subfield><subfield code="0">(DE-625)146369:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4840</subfield><subfield code="0">(DE-625)157412:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Weiß, Roland</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid</subfield><subfield code="c">Roland Weiß</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2004</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">152 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2004,1</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2004</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Randschicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4316551-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Prozessführung</subfield><subfield code="g">Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4197295-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schottky-Kontakt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4240294-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schottky-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4179945-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Prozessführung</subfield><subfield code="g">Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4197295-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Schottky-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4179945-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Randschicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4316551-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Schottky-Kontakt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4240294-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2004,1</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV010300264</subfield><subfield code="9">2004,1</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-012800926</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV019336147 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T19:57:54Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3832227415 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-012800926 |
| oclc_num | 76518047 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-29 DE-29T DE-91 DE-BY-TUM |
| owner_facet | DE-29 DE-29T DE-91 DE-BY-TUM |
| physical | 152 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2004 |
| publishDateSearch | 2004 |
| publishDateSort | 2004 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
| series2 | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
| spelling | Weiß, Roland Verfasser aut Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid Roland Weiß Aachen Shaker 2004 152 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Erlanger Berichte Mikroelektronik 2004,1 Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2004 Randschicht (DE-588)4316551-5 gnd rswk-swf Prozessführung Technik (DE-588)4197295-8 gnd rswk-swf Schottky-Kontakt (DE-588)4240294-3 gnd rswk-swf Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 gnd rswk-swf Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd rswk-swf Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Prozessführung Technik (DE-588)4197295-8 s Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 s Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 s Randschicht (DE-588)4316551-5 s Schottky-Kontakt (DE-588)4240294-3 s Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 s DE-604 Erlanger Berichte Mikroelektronik 2004,1 (DE-604)BV010300264 2004,1 |
| spellingShingle | Weiß, Roland Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid Erlanger Berichte Mikroelektronik Randschicht (DE-588)4316551-5 gnd Prozessführung Technik (DE-588)4197295-8 gnd Schottky-Kontakt (DE-588)4240294-3 gnd Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4316551-5 (DE-588)4197295-8 (DE-588)4240294-3 (DE-588)4179945-8 (DE-588)4055009-6 (DE-588)4027606-5 (DE-588)4113937-9 |
| title | Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid |
| title_auth | Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid |
| title_exact_search | Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid |
| title_full | Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid Roland Weiß |
| title_fullStr | Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid Roland Weiß |
| title_full_unstemmed | Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid Roland Weiß |
| title_short | Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid |
| title_sort | herstellung untersuchung und modellierung von schottky dioden mit ionenimplantierter randfeldbegrenzung auf siliciumcarbid |
| topic | Randschicht (DE-588)4316551-5 gnd Prozessführung Technik (DE-588)4197295-8 gnd Schottky-Kontakt (DE-588)4240294-3 gnd Schottky-Diode (DE-588)4179945-8 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd |
| topic_facet | Randschicht Prozessführung Technik Schottky-Kontakt Schottky-Diode Siliciumcarbid Ionenimplantation Hochschulschrift |
| volume_link | (DE-604)BV010300264 |
| work_keys_str_mv | AT weißroland herstellunguntersuchungundmodellierungvonschottkydiodenmitionenimplantierterrandfeldbegrenzungaufsiliciumcarbid |