Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
1978
|
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000zc 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV018956155 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 040419s1978 |||| 00||| und d | ||
| 035 | |a (OCoLC)163668713 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV018956155 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-12 | ||
| 100 | 1 | |a Haack, Dietmar |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| 264 | 1 | |c 1978 | |
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 505 | 0 | |a 1978. 138 S. 4<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss.<br>Ersch. zugl. als: Hahn-Meitner-institut für Kernforschung, Berlin. Bericht. Nr HMI-B 280. | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-011726886 | ||
| 980 | 4 | |a (DE-12)AK08840036 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804131550335336448 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Haack, Dietmar |
| author_facet | Haack, Dietmar |
| author_role | aut |
| author_sort | Haack, Dietmar |
| author_variant | d h dh |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV018956155 |
| contents | 1978. 138 S. 4<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss.<br>Ersch. zugl. als: Hahn-Meitner-institut für Kernforschung, Berlin. Bericht. Nr HMI-B 280. |
| ctrlnum | (OCoLC)163668713 (DE-599)BVBBV018956155 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00868nam a2200253zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV018956155</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">040419s1978 |||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)163668713</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV018956155</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Haack, Dietmar</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1978</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="505" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">1978. 138 S. 4<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss.<br>Ersch. zugl. als: Hahn-Meitner-institut für Kernforschung, Berlin. Bericht. Nr HMI-B 280.</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-011726886</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1="4" ind2=" "><subfield code="a">(DE-12)AK08840036</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV018956155 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T19:38:42Z |
| institution | BVB |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-011726886 |
| oclc_num | 163668713 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-12 |
| owner_facet | DE-12 |
| publishDate | 1978 |
| publishDateSearch | 1978 |
| publishDateSort | 1978 |
| record_format | marc |
| spelling | Haack, Dietmar Verfasser aut Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird 1978 txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier 1978. 138 S. 4<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss.<br>Ersch. zugl. als: Hahn-Meitner-institut für Kernforschung, Berlin. Bericht. Nr HMI-B 280. |
| spellingShingle | Haack, Dietmar Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird 1978. 138 S. 4<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss.<br>Ersch. zugl. als: Hahn-Meitner-institut für Kernforschung, Berlin. Bericht. Nr HMI-B 280. |
| title | Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| title_auth | Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| title_exact_search | Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| title_full | Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| title_fullStr | Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| title_full_unstemmed | Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| title_short | Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Silicium dioxid, das mit Hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| title_sort | leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem silicium dioxid das mit hilfe der lanenimplantation datiert wird |
| work_keys_str_mv | AT haackdietmar leitungsmechanismeninthermischoxidiertemsiliciumdioxiddasmithilfederlanenimplantationdatiertwird |