Silizium-Planartechnologie: Grundprozesse, Physik und Bauelemente
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart [u.a.]
Teubner
2003
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| Schriftenreihe: | Lehrbuch : Elektrotechnik, Physik
Teubner-Studienbücher : Physik |
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HANS GUENTHER WAGEMANN, TIM SCHOENAUER SILIZIUM- PLANARTECHNOLOGIE
GRUNDPROZESSE, PHYSIK UND BAUELEMENTE TEUBNER B. G.TEUBNER STUTTGART *
LEIPZIG * WIESBADEN INHALTSVERZEICHNIS VORWORT V UEBERSICHT UEBER DEN
STOFF DES BUCHES V INHALTSVERZEICHNIS IX SYMBOLE XIII 1. TECHNOLOGISCHE
GRUNDPROZESSE 1 1.1 DIE PLANARTECHNOLOGIE DES SILIZIUM 1 1.2
MIKROLITHOGRAPHIE 2 1.3 THERMISCHE OXIDATION DES SILIZIUM 4 1.4
DIFFUSION 6 1.4.1 DIFFUSIONSMECHANISMEN UND DIFFUSIONSKOEFFIZIENT 8
1.4.2 DIFFUSIONSPROFILE 10 1.4.3 DIFFUSION AUS EINER UNERSCHOEPFLICHEN
QUELLE 10 1.4.4 DIFFUSION AUS EINER ERSCHOEPFLICHEN QUELLE 11 1.5
REINIGUNG DER SILIZIUMOBERFLAECHE 14 1.6 AETZVERFAHREN DER
SILIZIUMBAUELEMENTE 16 1.7 DURCHFUEHRUNG VON DOTIERSTOFF-DIFFUSIONEN 19
1.8 SIMULATION DER PROZESSTECHNOLOGIE 20 1.9 IONENIMPLANTATION VON
DOTIERSTOFFEN 25 1.10 HERSTELLUNG VON EPITAXIE-SCHICHTEN 28 1.11
METALLISIERUNG 31 1.12 ALUMINIUM-METALLISIERUNG 31 1.13
POLYSILIZIUM-LEITERBAHNEN 32 1.14 SILICON-GATE-TECHNIK 33 1.15
REFRAKTAERMETALL-BESCHICHTUNGEN 34 1.16 CMOS-PROZESSTECHNOLOGIE 35
INHALTSVERZEICHNIS 2. GRUNDLAGEN DER HALBLEITERPHYSIK FUER
SILIZIUMBAUELEMENTE 45 2.1 DIE GRUNDGLEICHUNGEN 45 2.2 DIE
LADUNGSTRAEGERDICHTEN IM THERMISCHEN GLEICHGEWICHT 46 2.2.1 DAS
FERMI-DIRAC-INTEGRAL 46 2.2.2 NAEHERUNGEN FUER NICHT-ENTARTETE HALBLEITER
49 2.2.3 BESTIMMUNG DER GLEICHGEWICHTS-FERMI-ENERGIE BEI NEUTRALEM,
DOTIERTEM HALBLEITER-MATERIAL 51 2.3 DIE EIGENLEITUNGSDICHTE UND IHRE
ABHAENGIGKEIT VON DER TEMPERATUR 58 2.3.1 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DES
BANDABSTANDES 59 2.3.2 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER EFFEKTIVEN
ZUSTANDSDICHTEN 60 2.4 KOEFFIZIENTEN DER DRIFTSTROMANTEILE 60 2.5
KOEFFIZIENTEN DER DIFFUSIONSSTROMANTEILE 62 2.6 QUASI-FERMI-ENERGIEN 63
2.7 DRIFT- UND DIFFUSIONSSTROM FUER DEN FALL DES NICHT-GLEICHGEWICHTS DER
LADUNGSTRAEGER 64 2.7.1 FELDSTROM 66 2.7.2 DIFFUSIONSSTROM 67 2.8 DIE
UEBERSCHUSS-REKOMBINATIONSRATE IN DEN KONTINUITAETSGLEICHUNGEN 68 2.8.1
VORBEMERKUNG 68 2.8.2 DIE UEBERSCHUSS-REKOMBINATIONSRATE 70 2.8.3
HERLEITUNG DER UEBERSCHUSS-REKOMBINATIONSRATE NACH DER
SHOCKLEY-READ-HALL- THEORIE 72 2.8.4 INTERPRETATION DER
UEBERSCHUSS-REKOMBINATIONSRATE NACH DER SHOCKLEY-READ- HALL-THEORIE 78
2.8.5 DIE LEBENSDAUER 79 2.9 DIE POISSON-GLEICHUNG 82 2.10
HALBLEITERRECHNUNGEN BEI NIEDRIG- UND HOCHINJEKTION 83 2.10.1
NIEDRIGINJEKTION 83 2.10.2HOCHINJEKTION 85 3. INTEGRIERTE WIDERSTAENDE
UND KONDENSATOREN 87 3.1 INTEGRIERTE WIDERSTAENDE 87 3.1.1 WIDERSTAND
DIFFUNDIERTER STOERSTELLENPROFILE 87 3.1.2 VERMESSUNG VON DIFFUNDIERTEN
WIDERSTAENDEN 93 3.1.3 VIER-SPITZEN-METHODE 93 3.1.4 DIFFERENTIELLE
LEITWERT-TECHNIK 95 3.1.5 OPTISCHE VERMESSUNG DER JUNCTION-TIEFE 96
3.1.6 WEITERE VERFAHREN ZUR VERMESSUNG DES WIDERSTANDES EINER
HALBLEITERPROBE. 96 INHALTSVERZEICHNIS XI 3.2 INTEGRIERTE KONDENSATOREN
97 3.2.1 MOS-VARAKTOR 98 3.2.2 KAPAZITAET DES PN-UEBERGANGS 101 4. DER
PN-UEBERGANG 103 4.1 PLANARE SILIZIUM-DIODEN UND IHRE KENNLINIEN 103 4.2
SHOCKLEY-MODELL DER DIODENKENNLINIE 105 4.3 ERWEITERTES MODELL DER
DIODENKENNLINIE DURCH BERUECKSICHTIGUNG DER RLZ- REKOMBINATION 109 4.3.1
DIE UEBERSCHUSSREKOMBINATIONSRATE DER RAUMLADUNGSZONE 110 4.3.2 EINFLUSS
DER RLZ-OBERFLAECHE 115 4.3.3 DIE DIODENCHARAKTERISTIK BEI HOHEN
AUSSTEUERUNGEN 117 4.3.4 SPERRVERHALTEN DER DIODE 121 4.3.5
ZUSAMMENFASSUNG DER DIODENCHARAKTERISTIK 122 5. DER
METALL-HALBLEITER-KONTAKT 123 5.1 EINFUEHRUNG 123 5.2 DAS IDEALE
ENERGIEBAENDERMODELL DES METALL-HALBLEITER-KONTAKTES 124 5.2.1 ENTSTEHUNG
DES BAENDERMODELLS EINES METALL-HALBLEITER-UEBERGANGS 124 5.2.2 ANMERKUNG
ZUM MODELL DES KONTAKTES ZWISCHEN METALL UND P-LEITENDEM SILIZIUM 129
5.3 DAS REALE ENERGIEBAENDERMODELL DES METALL-HALBLEITER-KONTAKTES 130
5.3.1 METALL-HALBLEITER-UEBERGANG NACH TEMPERATURBEHANDLUNG 130 5.4
STROM-SPANNUNGSKENNLINIE VON SCHOTTKY-DIODEN 132 5.5 DER
KONTAKTWIDERSTAND 135 5.6 VORFAKTOR 1/4 DER MITTLEREN GESCHWINDIGKEIT
FUER DEN HALBRAUM 136 6. DIE HALBLEITEROBERFLAECHE ANHAND DES
MOS-VARAKTORS 139 6.1 VORBETRACHTUNG ZUM IDEALISIERTEN MOS-VARAKTOR 139
6.2 DIE RAUMLADUNGSSCHICHT AN DER HALBLEITEROBERFLAECHE 141 6.3
DISKUSSION DER OBERFLAECHEN-RAUMLADUNG 144 6.4 DER POTENTIAL- UND
ENERGIEBAENDERVERLAUF EINES MOS-VARAKTORS 151 6.4.1 AUSTRITTSARBEIT DES
HALBLEITERS 152 6.4.2 SPANNUNGSUMLAUF UM DAS MOS-SYSTEM 154 6.4.3
BAENDERMODELL FUER EIN SILICON-GATE-SYSTEM 157 6.4.4 BERUECKSICHTIGUNG VON
PHASENGRENZZUSTAENDEN 159 XII INHALTSVERZEICHNIS 6.5 DER
KAPAZITAETSVERLAUF EINES IDEALEN MOS-VARAKTORS 160 6.6 DIE REALE
HALBLEITEROBERFLAECHE, MESSGROESSEN UND MESSMETHODEN 164 6.6.1
C(U)-GRUNDVERSUCH UND AUSWERTUNG 164 6.7 ABSCHLUSSBEMERKUNGEN ZUR
HALBLEITEROBERFLAECHE UND ZUM MOS-VARAKTOR 170 7. DER REALE
MOS-TRANSISTOR 171 7.1 MOSFET-KENNLINIEN 176 7.2 DIE SCHWELLENSPANNUNG
179 7.3 SUBTHRESHOLD-BETRIEB VON MOSFETS 182 7.4 KENNLINIEN VON
MINIATURISIERTEN MOSFETS 183 7.4.1 KURZKANALVERHALTEN DER
SCHWELLENSPANNUNG 184 7.4.2 HEISSE LADUNGSTRAEGER 186 7.5 KAPAZITAETEN UND
ERSATZSCHALTBILD DES MOSFETS 186 7.6 SPICE-PARAMETER / LEVEL 1 189 7.7
GLEICHSPANNUNGSUEBERTRAGUNGSEIGENSCHAFTEN DES CMOS-INVERTERS 191 7.8
SCHALTVERHALTEN DES CMOS-INVERTERS. 194 7.8.1 ABSCHALTVERHALTEN DER
AUSGANGSSPANNUNG 195 7.8.2 EINSCHALTVERHALTEN DER AUSGANGSSPANNUNG 197
7.8.3 DYNAMISCHE VERLUSTLEISTUNG DES CMOS-INVERTERS 200 8.
HERSTELLUNGSPROZESS VON HALBLEITERBAUELEMENTEN 203 LITERATURVERZEICHNIS
205 INDEX ; 207 |
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