Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2003
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2003. - Enth. Zsfassung in engl. und dt. Sprache |
| Beschreibung: | III, 179 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3832219854 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV017625321 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20041117 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 031028s2003 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 969102542 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3832219854 |9 3-8322-1985-4 | ||
| 035 | |a (OCoLC)54880515 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV017625321 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-29 |a DE-29T | ||
| 100 | 1 | |a Weingärtner, Roland |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden |c Roland Weingärtner |
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2003 | |
| 300 | |a III, 179 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Halbleitertechnik | |
| 500 | |a Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2003. - Enth. Zsfassung in engl. und dt. Sprache | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Absorptionskoeffizient |0 (DE-588)4279469-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Photolumineszenz |0 (DE-588)4174517-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Hall-Effekt |0 (DE-588)4023028-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Ladungsträger |0 (DE-588)4166397-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Ladungsträger |0 (DE-588)4166397-4 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Absorptionskoeffizient |0 (DE-588)4279469-9 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Photolumineszenz |0 (DE-588)4174517-6 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Hall-Effekt |0 (DE-588)4023028-4 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=010601952&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-010601952 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1808044667338489856 |
|---|---|
| adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
1.1
TECHNOLOGISCHE
BEDEUTUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATIONS
BESTIMMUNG
IM
HALBLEITER
.
1
1.2
BEDEUTUNG
VON
SILIZIUMKARBID
(SIC)
.
3
1.3
GLIEDERUNG
DER
ARBEIT
.
5
2
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
7
2.1
UEBERSICHT
UEBER
DIE
ABSORPTIONSBANDEN
IN
SIC
.
7
2.2
BANDKANTENABSORPTION
IN
SIC
.
9
2.2.1
DIE
BANDKANTE
IM
DIREKTEN
UND
INDIREKTEN
HALBLEITER
.
9
2.2.2
DIE
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
BANDKANTE
.
12
2.2.3
DIE
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATIONSABHAENGIGKEIT
DER
BANDKANTE
.
13
2.3
BANDKANTENNAHE
ABSORPTION
IN
N-LEITENDEM
(N)
SIC
.
16
2.3.1
MINIBAENDER
IN
SIC
.
17
2.3.2
INTERLEITUNGSBANDUEBERGAENGE
.
21
2.3.3
DIE
LINIENBREITE
.
23
2.4
INFRAROTUEBERGAENGE
INS
KONTINUUM
.
28
2.4.1
FREIE
LADUNGSTRAEGERABSORPTION
.
29
2.4.2
PHOTOIONISATION
.
30
2.5
GEBUNDENE
EXZITONEN
IN
N-LEITENDEM
(N)
SIC
.
32
2.5.1
DER
4-TEILCHEN-LAMPERT-KOMPLEX
.
32
2.5.2
PHOTOLUMINESZENZSPEKTREN
VON
EXZITONEN
IN
SIC
.
33
2.5.3
DER
EINFLUSS
INAEQUIVALENTER
GITTERPLAETZE
AUF
PHOTOLUMINESZENZ
SPEKTREN
IN
SIC
.
36
2.5.4
DOTIERSTOFFINDUZIERTE
LINIENVERBREITERUNG
GEBUNDENER
EXZITONEN
.
38
2.5.5
EXZITON-EINFANGSQUERSCHNITTE
NEUTRALER
STOERSTELLEN
.
39
2.5.6
VERTEILUNG
DER
STOERSTELLEN
IM
FESTKOERPER
.
40
2.6
STOERSTELLENHAUSHALT
IN
SIC
.
41
2.6.1
BERECHNUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
.
41
2.6.2
BESTIMMUNG
DES
FERMI-NIVEAUS:
DIE
LADUNGSNEUTRALITAETSGLEICHUNG
.
42
2.6.3
DAS
1
-DONATOR-SYSTEM
.
43
2.6.4
DAS
2-DONATOR-SYSTEM
.
46
3
EXPERIMENTELLE
METHODEN
49
3.1
ZUECHTUNG
VON
SILIZIUMKARBID
.
49
3.1.1
ZUECHTUNGSAUFBAU
UND
ZUECHTUNGSVERFAHREN
.
49
3.1.2
DOTIERUNG
UND
UEBERSICHT
DER
UNTERSUCHTEN
KRISTALLE
.
50
3.2
PROBENPRAEPARATION
.
51
3.2.1
POLIEREN
DER
SILIZIUMKARBIDSCHEIBEN
.
51
3.2.2
PRAEPARATION
VON
HALLPROBEN
.
53
II
INHALTSVERZEICHNIS
3.2.3
PRAEPARATION
UND
CHARAKTERISIERUNG
VON
ELEKTRISCHEN
KONTAKTEN
.
56
3.3
TRANSMISSIONSMESSUNGEN
.
58
3.3.1
MESSAUFBAU
.
58
3.3.2
BERECHNUNG
DES
ABSORPTIONSKOEFFIZIENTEN
.
59
3.3.3
BEISPIEL:
BESTIMMUNG
DER
DICKE
EINES
PLANAREN
DEFEKTS
.
61
3.3.4
MESSGRENZEN
.
62
3.3.5
EINFLUSS
DER
POLITURQUALITAET
AUF
TRANSMISSIONSMESSUNGEN
.
63
3.4
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
.
65
3.4.1
MESSAUFBAU
.
65
3.4.2
UMRECHNUNG
DER
INTENSITAETEN
BEIM
UEBERGANG
VON
WELLENLAENGE
IN
ENERGIE
.
66
3.4.3
MESSGRENZEN
UND
SPEKTRALE
RESPONS
.
68
3.5
HALLEFFEKT
UND
LEITFAEHIGKEITSMESSUNGEN
.
69
3.5.1
DER
HALLEFFEKT
UND
LEITFAEHIGKEITSMESSAUFBAU
.
69
3.5.2
DIE
VAN-DER-PAUW-METHODE
.
70
4
BESTIMMUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
73
4.1
HALLEFFEKTMESSUNGEN
.
73
4.1.1
ERGEBNISSE
FUER
N-LEITENDES
(N)
SIC
.
73
4.1.2
ERGEBNISSE
FUER
P-LEITENDES
(BOR/ALUMINIUM)
SIC
.
80
4.2
BANDKANTENVERSCHIEBUNG
.
84
4.2.1
AUSWERTUNG
DER
BANDKANTE
.
84
4.2.2
FITERGEBNISSE
DER
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
BANDKANTE
.
87
4.2.3
DOTIERSTOFF-INDUZIERTE
BANDKANTENVERSCHIEBUNG
BEI
RAUMTEMPERATUR
.
90
4.3
PHOTOIONISATION
UND
FREIE
LADUNGSTRAEGERABSORPTION
.
92
4.3.1
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
INFRAROTABSORPTION
.
92
4.3.2
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATIONSABHAENGIGKEIT
DER
INFRAROTABSORPTION
.
94
4.4
BANDKANTENNAHE
ABSORPTION
.
96
4.4.1
IDENTIFIKATION
UND
VERGLEICH
DER
FITFUNKTIONEN
.
96
4.4.2
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
.
99
4.4.3
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
.
103
4.4.4
FAZIT
.
109
4.5
REKOMBINATION
STICKSTOFFGEBUNDENER
EXZITONEN
.
110
4.5.1
UEBERSICHT
UEBER
TIEFTEMPERATUR-PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
.
110
4.5.2
DOTIERSTOFFKONZENTRATIONSABHAENGIGKEIT
GEBUNDENER
EXZITONEN
IN
N-LEITENDEM
(N)
6H-SIC
.
114
4.5.3
BESTIMMUNG
VON
EXZITON-EINFANGSQUERSCHNITTEN
DES
NEUTRALEN
STICKSTOFFS
IN
N-LEITENDEM
(N)
6H-SIC
.
117
5
METHODEN
ZUR
BESTIMMUNG
DER
KOMPENSATION
121
5.1
TEMPERATURABHAENGIGE
HALLEFFEKTMESSUNGEN
.
121
5.1.1
N-LEITENDES
(N)
6H-SIC
.
124
5.1.2
P-LEITENDES
(B)
6H-SIC
.
128
INHALTSVERZEICHNIS
III
5.2
EINFLUSS
DER
KOMPENSATION
AUF
DIE
BANDKANTENNAHE
ABSORPTIONS
BANDE
IN
6H-SIC
.
133
5.3
EINFLUSS
DER
KOMPENSATION
AUF
DIE
PHOTOIONISATION
IN
P-LEITENDEM
(B)
6H-SIC
.
135
6
ABBILDUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
IN
SIC-SCHEIBEN
139
6.1
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
.
139
6.2
VERFAHREN
ZUR
ABBILDUNG
VON
SIC-SCHEIBEN
.
140
6.3
ANWENDUNGSBEISPIELE
.
145
6.3.1
POLYTYPENERKENNUNG
.
145
6.3.2
HOMOGENITAET
-
GRENZEN
DES
AUFLOESUNGSVERMOEGENS
.
145
6.3.3
RADIALVERTEILUNG
DER
STICKSTOFFKONZENTRATION
IN
DER
SIC-SCHEIBE
.
146
6.3.4
ABBILDUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
IN
LAENGSSCHNITTEN
.
148
6.3.5
ABBILDUNG
ALUMINIUMDOTIERTER,
P-LEITENDER
SIC-SCHEIBEN
.
149
6.3.6
ABBILDUNG
DER
KOMPENSATION
IN
P-LEITENDEM
(B)
SIC
.
150
7
ZUSAMMENFASSUNG
151
ANHANG
A:
ELEMENTARZELLEN
EINIGER
POLYTYPEN
IN
SIC
153
ANHANG
B:
NOTATIONEN
ZUM
POIYTYPISMUS
154
ANHANG
C:
BRILLOUINZONEN
IN
SIC
157
ANHANG
D:
BANDDISPERSIONEN
EINIGER
POLYTYPEN
VON
SIC
159
ANHANG
E:
EFFEKTIVE
MASSEN
IN
SIC
160
LITERATURVERZEICHNIS
164
UEBERSICHT
VON
KONFERENZEN
UEBER
SIC
173
LISTE EIGENER VEROEFFENTLICHUNGEN
175
DANKSAGUNG
177
LEBENSLAUF
179 |
| any_adam_object | 1 |
| author | Weingärtner, Roland |
| author_facet | Weingärtner, Roland |
| author_role | aut |
| author_sort | Weingärtner, Roland |
| author_variant | r w rw |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV017625321 |
| ctrlnum | (OCoLC)54880515 (DE-599)BVBBV017625321 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV017625321</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20041117</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">031028s2003 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">969102542</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832219854</subfield><subfield code="9">3-8322-1985-4</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)54880515</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV017625321</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Weingärtner, Roland</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden</subfield><subfield code="c">Roland Weingärtner</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2003</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">III, 179 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2003. - Enth. Zsfassung in engl. und dt. Sprache</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Absorptionskoeffizient</subfield><subfield code="0">(DE-588)4279469-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Photolumineszenz</subfield><subfield code="0">(DE-588)4174517-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hall-Effekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4023028-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ladungsträger</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166397-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Ladungsträger</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166397-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Absorptionskoeffizient</subfield><subfield code="0">(DE-588)4279469-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Photolumineszenz</subfield><subfield code="0">(DE-588)4174517-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Hall-Effekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4023028-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=010601952&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-010601952</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV017625321 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-08-22T00:16:00Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3832219854 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-010601952 |
| oclc_num | 54880515 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-29 DE-29T |
| owner_facet | DE-29 DE-29T |
| physical | III, 179 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2003 |
| publishDateSearch | 2003 |
| publishDateSort | 2003 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Weingärtner, Roland Verfasser aut Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden Roland Weingärtner Aachen Shaker 2003 III, 179 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2003. - Enth. Zsfassung in engl. und dt. Sprache Absorptionskoeffizient (DE-588)4279469-9 gnd rswk-swf Photolumineszenz (DE-588)4174517-6 gnd rswk-swf Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 gnd rswk-swf Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd rswk-swf Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 s Ladungsträger (DE-588)4166397-4 s Absorptionskoeffizient (DE-588)4279469-9 s Photolumineszenz (DE-588)4174517-6 s Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=010601952&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Weingärtner, Roland Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden Absorptionskoeffizient (DE-588)4279469-9 gnd Photolumineszenz (DE-588)4174517-6 gnd Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 gnd Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4279469-9 (DE-588)4174517-6 (DE-588)4023028-4 (DE-588)4166397-4 (DE-588)4055009-6 (DE-588)4113937-9 |
| title | Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden |
| title_auth | Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden |
| title_exact_search | Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden |
| title_full | Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden Roland Weingärtner |
| title_fullStr | Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden Roland Weingärtner |
| title_full_unstemmed | Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden Roland Weingärtner |
| title_short | Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden |
| title_sort | bestimmung der ladungstragerkonzentration und kompensation in siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer methoden |
| topic | Absorptionskoeffizient (DE-588)4279469-9 gnd Photolumineszenz (DE-588)4174517-6 gnd Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 gnd Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd |
| topic_facet | Absorptionskoeffizient Photolumineszenz Hall-Effekt Ladungsträger Siliciumcarbid Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=010601952&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT weingartnerroland bestimmungderladungstragerkonzentrationundkompensationinsiliziumkarbidmittelsoptischerundelektrischermethoden |