Untersuchungen zur Reduktion des p-seitigen Kontaktwiderstands bei GaN-basierten Halbleiterlasern:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2002
|
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| Beschreibung: | Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2003 |
| Beschreibung: | IX, 137 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
.
1
2
GAN-BASIERTE
HALBLEITERLASER
.
6
2.1
(AL,GA,IN)N-MATERIALSYSTEM
.
6
2.2
FUNKTIONSPRINZIP
UND
AUFBAU
.
10
2.3
HERSTELLUNG
DER
BAUTEILE
.
13
2.4
OPTISCHE
UND
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISTIK
.
15
2.5
BEDEUTUNG
DES
P-GAN-KONTAKTS
FUER
DIE
LEBENSDAUER
.
18
3
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
ZUM
METALL-HALBLEITERIIBERGANG
.
20
3.1
BAENDERMODELL
.
21
3.2
STROMTRANSPORTMECHANISMEN
.
26
3.3
KONTAKTWIDERSTAND
.
29
3.4
SCHLUSSFOLGERUNGEN
FUER
DIE
KONTAKTTECHNOLOGIE
AUF
P-GAN
.
31
4
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
P-GAN
.
32
4.1
INTRINSISCHE
DEFEKTE
.
33
4.2
DOTIERSTOFFE
.
34
4.3
SELBSTKOMPENSATION
.
36
4.4
EINFLUSS
VON
WASSERSTOFF
.
38
4.5
BESCHRAENKUNG
DER
LOECHERKONZENTRATION
UND
DER
DIFFERENZ
N
A
-
N
D
.
39
5
METHODEN
ZUR
CHARAKTERISIERUNG
DER
KONTAKTEIGENSCHAFTEN
VON
METALL-HALBLEITERUEBERGAENGEN
UND
DEREN
EIGNUNG
FUER
P-GAN
.
41
5.1
METHODEN
ZUR
BESTIMMUNG
DES
SPEZIFISCHEN
KONTAKTWIDERSTANDS
.
41
5.1.1
MESSMETHODEN
MIT
VERTIKALEM
STROMFLUSS
.
42
5.1.2
MESSMETHODEN
MIT
LATERALEM
STROMFLUSS
.
43
5.1.3
BEURTEILUNG
DER
VERSCHIEDENEN
MESSMETHODEN
IN
BEZUG
AUF
P-GAN-KONTAKTE
.
49
5.2
CHARAKTERISIERUNG
DER
P-GAN-EPITAXIESCHICHTEN
.
50
5.3
METHODEN
ZUR
BESTIMMUNG
DER
SCHOTTKYBARRIERENHOEHE
.
53
6
KONTAKTWIDERSTANDSMESSUNGEN
AN
P-GAN-EPITAXIESCHICHTEN
.
57
6.1
VERWENDETE
TESTSTRUKTUREN
UND
MASKENDESIGN
.
58
6.2
NICHTLINEARE
1-U-KENNLINIEN
.
60
INHALTSVERZEICHNIS
IX
6.3
MESSUNGEN
AN
DIODENSTRUKTUREN
.
64
6.4
INOMOGENITAET
VON
SPEZIFISCHEM
KONTAKTWIDERSTAND
UND
P-GAN-SCHICHT
WIDERSTAND
.
66
6.5
GRENZEN
DER
MESSGENAUIGKEIT
.
68
7
ERGEBNISSE
ZU
METALLKONTAKTEN
AUF
P-GAN
.
71
7.1
EINFLUSS
TECHNOLOGISCHER
PARAMETER
AUF
DEN
KONTAKTWIDERSTAND
.
72
7.1.1
AUSWAHL
DES
KONTAKTMETALLS
BEZUEGLICH
DER
AUSTRITTSARBEIT
.
72
7.1.2
GITTERSCHAEDEN
DURCH
PLASMAPROZESSE
.
74
7.1.3
TEMPERATURBEHANDLUNGEN
VON
P-GAN-METALLKONTAKTEN
.
77
7.1.4
OBERFLAECHENPRAEPARATION
VON
P-GAN
.
83
7.1.5
WASSERSTOFFEINTRAG
DURCH
EINEN
TYPISCHEN
PECVD-PROZESS
.
84
7.2
UNTERSUCHUNG
DES
STROMTRANSPORTMECHANISMUS
UEBER
TEMPERATURABHAENGIGE
KONTAKTWIDERSTANDSMESSUNGEN
.
87
7.3
DOTIERUNGSABHAENGIGKEIT
DES
KONTAKTWIDERSTANDS
.
91
8
BEWERTUNG
UND
DISKUSSION
.
98
8.1
EINFLUSS
TECHNOLOGISCHER
PARAMETER
AUF
DEN
KONTAKTWIDERSTAND
.
98
8.1.1
AUSWAHL
DES
KONTAKTMETALLS
BEZUEGLICH
DER
AUSTRITTSARBEIT
.
98
8.1.2
GITTERSCHAEDEN
DURCH
PLASMAPROZESSE
.
99
8.1.3
TEMPERATURBEHANDLUNGEN
VON
P-GAN-METALLKONTAKTEN
.
102
8.1.4
OBERFLAECHENPRAEPARATION
VON
P-GAN
.
107
8.1.5
WASSERSTOFFEINTRAG
DURCH
EINEN
TYPISCHEN
PECVD-PROZESS
.
109
8.2
UNTERSUCHUNG
DES
STROMTRANSPORTMECHANISMUS
UEBER
TEMPERATURABHAENGIGE
KONTAKTWIDERSTANDSMESSUNGEN
.
110
8.3
DOTIERUNGSABHAENGIGKEIT
DES
KONTAKTWIDERSTANDS
.
113
9
AUSWIRKUNGEN
AUF
DIE
EIGENSCHAFTEN
VON
LASERDIODEN
UND
AUSBLICK
.
118
ANHANG
.
122
LITERATURVERZEICHNIS
.
130
PUBLIKATIONEN
UND
TAGUNGSBEITRAEGE
.
136 |
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