Simulation von Leistungsbauelementen mit durch Bestrahlungsverfahren eingestellter Trägerlebensdauer:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
[Norderstedt]
Books on Demand GmbH
2003
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Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | 186 S. graph. Darst. |
ISBN: | 3833003111 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
5
2
LEBENSDAUEREINSTELLUNG
AN
SI-HALBLEITERN
9
2.1
ZIELSTELLUNG
DER
TRAEGERLEBENSDAUEREINSTELLUNG
.
9
2.1.1
FREILAUFDIODEN
.
9
2.1.2
IGBT
.
26
2.2
REKOMBINATION
IN
SILIZIUM
.
.
35
2.2.1
INTRINSISCHE
REKOMBINATIONSPROZESSE
.
35
2.2.2
EXTRINSISCHE
REKOMBINATIONSPROZESSE
.
37
2.3
TECHNOLOGIE
DER
LEBENSDAUEREINSTELLUNG
.
51
2.3.1
DIFFUSION
VON
SCHWERMETALLEN
.
51
2.3.2
STRAHLUNGSINDUZIERTE
STOERSTELLEN
.
55
2.4
DAS
MULTITRAP-REKOMBINATIONSMODELL
.
60
2.4.1
KRITERIEN
FUER
DIE
MODELLWAHL
.
60
2.4.2
VORSTELLUNG
DES
REKOMBINATIONSMODELLS
.
62
2.4.3
BERUECKSICHTIGUNG
VON
STOERSTELLENPROFILEN
.
64
3
CHARAKTERISIERUNG
TIEFER
STOERSTELLEN
67
3.1
DLTS-MESSUNGEN
.
67
3.1.1
VORSTELLUNG
DES
MESSVERFAHRENS
.
67
3.1.2
GRENZEN
DES
DLTS-VERFAHRENS
.
77
3.2
OCVD-MESSUNGEN
.
78
3.2.1
GRUNDPRINZIP
.
78
3.2.2
MESSAUFBAU
UND
EINSCHRAENKUNGEN
.
80
3.2.3
OPTISCHE
OCVD
.
82
4
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
85
4.1
PROBENUEBERSICHT
.
85
4.1.1
DIODENPROBEN
.
86
4.1.2
IGBT-PROBEN
.
88
4.1.3
TABELLARISCHE
UEBERSICHT
DER
PROBEN
.
92
INHALTSVERZEICHNIS
4.2
BESTIMMUNG
RELEVANTER
ZENTRENPARAMETER
.
92
4.2.1
CHARAKTERISIERUNG
DES
BASISMATERIALS
.
92
4.2.2
UNTERSUCHUNGEN
AN
ELEKTRONENBESTRAHLTEM
SILIZIUM
.
97
4.2.3
UNTERSUCHUNGEN
AN
MIT
HELIUMIONEN
BESTRAHLTEM
SILIZIUM
.
103
4.2.4
UEBERSICHT
DER
GEMESSENEN
ZENTRENPARAMETER
.
104
4.3
BESTIMMUNG
VON
ZENTRENPROFILEN
.
105
4.3.1
PROFILBESTIMMUNG
MIT
HILFE
DES
DLTS-VERFAHRENS
.
105
4.3.2
DISKUSSION
ALTERNATIVER
MESSVERFAHREN
.
112
5
SIMULATIONSERGEBNISSE
117
5.1
VORSTELLUNG
DER
SIMULATIONSUMGEBUNG
.
117
5.1.1
DER
2D-BAUELEMENTESIMULATOR
TESCA
.
117
5.1.2
PROGRAMME
ZUR
GITTERERZEUGUNG
UND
AUSWERTUNG
.
120
5.2
UNTERSUCHUNGEN
AN
FREILAUFDIODEN
.
121
5.2.1
DURCHLASS
VERHALTEN
.
121
5.2.2
SCHALTVERHALTEN
.
128
5.3
UNTERSUCHUNGEN
AN
IGBT
'
S
.
133
5.3.1
DURCHLASSVERHALTEN
.
133
5.3.2
SCHALTVERHALTEN
.
138
6
BEWERTUNG
DES
REKOMBINATIONSMODELLS
141
6.1
GUELTIGKEIT
DES
REKOMBINATIONSMODELLS
.
141
6.2
ABSCHAETZUNG
VON
FEHLERMOEGLICHKEITEN
.
142
6.3
ERWEITERTE
MOEGLICHKEITEN
DER
SIMULATION
.
146
7
ZUSAMMENFASSUNG
149
A
VERWENDETE
SIMULATIONSMODELLE
153
A.L
REKOMBINATION
.
153
A.2
EIGENLEITUNG
.
155
A.3
BEWEGLICHKEITSMODELL
.
155
A.4
DOTIERUNGSEINGABE
.
157
B
VERWENDETE
SYMBOLE
159
LITERATURVERZEICHNIS
169
INDEX
181
DANKSAGUNG
185
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