Philip, P. (2003). Transient numerical simulation of sublimation growth of SiC bulk single crystals: Modeling, finite volume method, results. Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Philip, Peter. Transient Numerical Simulation of Sublimation Growth of SiC Bulk Single Crystals: Modeling, Finite Volume Method, Results. Berlin: Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2003.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Philip, Peter. Transient Numerical Simulation of Sublimation Growth of SiC Bulk Single Crystals: Modeling, Finite Volume Method, Results. Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2003.
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