Transient numerical simulation of sublimation growth of SiC bulk single crystals: modeling, finite volume method, results
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Philip, Peter 1971- (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Berlin Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik 2003
Schriftenreihe:Report / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik im Forschungsverbund Berlin e.V. 22
Schlagworte:
Online-Zugang:Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:XV, 289 S. Ill., graph. Darst.

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