Halbleiter: technische Erläuterungen, Technologien und Kenndaten
Gespeichert in:
| Format: | Buch |
|---|---|
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Erlangen
Publicis Corporate Publ.
2004
|
| Ausgabe: | 3., überarb. und wesentl. erw. Aufl. |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 618 S. zahlr. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 389578205X 9783895782053 |
Internformat
MARC
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|---|---|
| adam_text | Inhaltsverzeichnis
1 Halbleitergrundlagen und geschichtlicher Überblick .............................14
1.1 Einführung .................................................................................................... 14
1.2 Geschichtlicher Überblick ............................................................................ 14
1.2.1 Halbleiterdioden............................................................................................ 14
1.2.2 Bipolare Transistoren.................................................................................... 15
1.2.3 Der Siegeszug des Siliziums......................................................................... 15
1.2.4 Andere Halbeiterwerkstoffe und Bauelemente............................................. 17
1.2.5 Feldeffekt-Transistoren................................................................................. 17
1.2.6 Integrierte Halbleiterschaltkreise.................................................................. 18
1.2.7 Einteilung von Halbleiterbauelementen........................................................23
1.3 Aufbau und Funktionsweise von integrierten Schaltkreisen.........................23
1.3.1 Bipolare integrierte Schaltungen...................................................................24
1.3.2 Integrierte MOS-Schaltungen .......................................................................31
1.4 Sonstige Halbleiterbauelemente....................................................................39
1.4.1 Halbleiterbauteile ohne spezielle Struktur....................................................39
1.4.2 Halbleiterdioden............................................................................................40
1.4.3 Transistoren...................................................................................................43
1.4.4 Sonstige integrierte Halbleiter ......................................................................45
2 Dioden und Transistoren ............................................................................46
2.1 Hochfrequenz-Dioden...................................................................................46
2.2 Ladungsträger-Lebensdauer und Serienwider¬
stand von Hochfrequenz-PIN-Dioden...........................................................47
2.2.1 Wie lassen sich die elektrischen Parameter einer PIN-Diode messen? ........49
2.3 Definition der Kapazitäten bei Bipolartransistoren.......................................50
2.3.1 Wie werden Ccb, Cce und Ceb gemessen?......................................................51
2.4 Definition eines Kleinsignal-HF-Transistors durch das Messen von
drei Parametern .............................................................................................51
2.4.1 Messung der S-Parameter .............................................................................52
2.4.2 Messanordnung zur Bestimmung der Rauschzahl eines Transistors ............53
2.4.3 Messanordnung zur Bestimmung der Rauschzahl eines Mischers ...............54
2.4.4 Messung des
ІРЗ
-Wertes
(Intercept-Punkt 3.Ordnung) ................................54
2.5 Bipolare HF-Transistoren ............................................................................55
2.5.1 SIEGET: vom Kopf auf die Füße gestellt .....................................................56
2.5.2 Anwendungen ...............................................................................................59
2.5.3 SiGe-Transistoren .........................................................................................59
2.6 Silizium-MMICs erleichtern die HF Entwicklung .......................................60
2.6.1 Drei Applikationsschaltungen.......................................................................64
2.6.2 Nicht nur im Handy einsetzbar .....................................................................65
2.7 Strom stabilisieren mit dem Arbeitspunktstabilisator
BCR
400...................66
2.7.1 Arbeitsweise..................................................................................................66
Inhaltsverzeichnis
2.7.2 Regelverhalten ..............................................................................................67
3 Leistungshalbleiter......................................................................................69
3.1 Klassifizierung ..............................................................................................69
3.1.1 Einteilung der Leistungshalbleiter nach Parametern ....................................71
3.2 Produktentwicklung ......................................................................................72
3.2.1 Unterschiede während der Produktentwicklung ...........................................73
3.3 Die Produktgruppen ......................................................................................74
3.4 Wafer-Technologien
(Frontend)
...................................................................75
3.4.1 Grundprozesse...............................................................................................75
3.4.2 Power-MOSFET ...........................................................................................77
3.4.3 Smart-FETs ...................................................................................................78
3.4.4 Smart-Power-ICs...........................................................................................81
3.4.5 Ausblick und Trends .....................................................................................85
3.5 Gehäuse-Technologien (Backend) ................................................................86
3.5.1 Einteilung der Leistungshalbleitergehäuse ...................................................87
3.5.2 Statische Eigenschaften von Leistungsgehäusen..........................................88
3.5.3 Dynamische Eigenschaften von Leistungsgehäusen (Dynamic
Properties)
. 90
3.5.4 Analyse von Leistungshalbleitergehäusen mit der Finite-Elemente-
Methode ........................................................................................................95
3.5.5 Das Datenblatt
„Thermal and Package
Information ...................................98
3.5.6 Die produktspezifischen Eigenschaften von Leistungshalbleiter-
Gehäusen für Automobilanwendungen.........................................................98
3.5.7 Multichip-Packages und Trends.................................................................. 103
3.6 Automobilanwendungen............................................................................. 104
3.6.1 MOSFET und IGBT ................................................................................... 104
3.6.2 Smart-FETundSmart-IGBT ...................................................................... 107
3.6.3
Multichannel
Switches................................................................................ 113
3.6.4 Brückenschaltungen.................................................................................... 115
3.6.5 SuppIy-ICs .................................................................................................. 120
3.6.6
Transceiver
.................................................................................................. 125
3.6.7 Smart-Power-System-ICs............................................................................ 129
3.6.8 Trends für Automobilanwendungen............................................................ 133
3.7 Stromversorgungs- und Antriebsanwendungen .......................................... 134
3.7.1 Schaltnetzteile - Topologien und Produkte................................................. 135
3.7.2 Schaltnetzteiltopologien.............................................................................. 137
3.7.3 Auswahlkriterien für Schaltnetzteile........................................................... 141
3.7.4 Integrierte Schaltungen für Schaltnetzteile .................................................146
3.7.5 Leistungsfaktorkorrekfur............................................................................. 147
3.7.6 Antriebe - Drehzahlregelung und Leistungselektronik ..............................153
3.7.7 Niedervolt-Leistungstransistoren: OptiMOS™ ..........................................156
3.7.8 Hochvolttransistoren: CoolMOS™............................................................. 163
3.7.9 Siliziumkarbid - Basis für hohe Leistungsdichten ..................................... 170
3.7.10 Hochvolt-Leistungs-IGBTs......................................................................... 180
4 Optohalbleiter ........................................................................................... 187
4.1 Physik der optischen Strahlung................................................................... 187
4.1.1 Grundlagen und Begriffe............................................................................. 187
Inhaltsverzeichnis
4.1.2 Fotodioden .................................................................................................. 190
4.1.3 Silizium-Fotodioden ...................................................................................190
4.1.4 Fototransistoren........................................................................................... 191
4.1.5 Lumineszenzdioden .................................................................................... 192
4.2 Halbleiterlaser............................................................................................. 196
4.2.1 Grundlagen der Halbleiterlaser...................................................................196
4.2.2 Aufbaueines Oxidstreifenlasers .................................................................197
4.2.3 Laserarrays.................................................................................................. 199
4.2.4 Weitere Anwendungen von Halbleiterlasern...............................................202
4.3 Optokoppler und Solid State
Relays
...........................................................202
4.3.1 Aufbau.........................................................................................................202
4.3.2 Anwendungen .............................................................................................203
4.3.3 Parameter ....................................................................................................203
4.3.4 Wesentliche Optokoppler-Eigenschaften....................................................204
4.4 Lichtwellenleiter .........................................................................................205
4.4.1 Optische Fasern als Übertragungsmedium .................................................205
4.4.2 Sende- und Empfangsmodule für LWL-Anwendungen..............................207
4.4.3
Transponder
fuer
LWL-Anwendungen.......................................................209
4.4.4 Verbindungen von Glasfasern .....................................................................210
4.4.5 Kopplungselemente für Plastikfasern .........................................................211
4.4.6 Anwendungsbeispiele für Plastikfasern......................................................212
4.4.7 Einsatz optischer Übertragungstechnik mit Plastikfasern im Kfz ..............212
4.5 IrDA - Datenübertragung mit infraroter Strahlung ....................................217
4.5.1 IrDA - ein Weltstandard für alle Geräte .....................................................217
4.5.2 Voller IrDA-Standard..................................................................................218
5 Sensoren.....................................................................................................220
5.1 Überblick.....................................................................................................220
5.2 Magnetfeldsensoren ....................................................................................220
5.2.1 Diskrete Hall-Effekt-Sensoren....................................................................220
5.2.2 Integrierte Hallsensor-ASICs......................................................................224
5.2.3 GMRs..........................................................................................................228
5.3 Drucksensoren.............................................................................................235
5.3.1 Oberflächenmikromechanik, Drucksensor mit digitalem
Ausgang (KP100)........................................................................................235
5.3.2 Drucksensoren mit analogem Ausgang (KP 120)........................................238
5.3.3 Piezoresistiver Drucksensor in SMD-Gehäuse (KP200) ............................241
5.4 Temperatursensoren ....................................................................................242
6 Speicher......................................................................................................244
6.1 Speichertypen..............................................................................................244
6.1.1 Mechanische Speicher ................................................................................244
6.1.2 Magnetische Speicher.................................................................................244
6.1.3 Optische Speicher .......................................................................................244
6.1.4 Halbleiterspeicher .......................................................................................245
6.2 Grandlagen und Einsatzgebiet der DRAMs ...............................................245
6.2.1 Was sind SRAMs und DRAMs?.................................................................245
6.2.2 DRAM-Typen .............................................................................................247
Inhaltsverzeichnis
6.2.3 Die Spezifikation.........................................................................................248
6.2.4 Mechanischer Aufbau des DRAM ..............................................................248
6.2.5 Funktionen eines DRAM am Beispiel des SDR SDRAM..........................249
6.2.6 Technologie.................................................................................................251
6.2.7 Interner Aufbau und prinzipielle Funktion eines DRAM ...........................255
6.2.8 Entwicklung und Fertigung eines DRAM ..................................................263
6.2.9 Qualitätssicherung.......................................................................................265
6.3 Wie DRAMs schneller wurden...................................................................267
6.3.1 EDO-DRAMs beschleunigen Speicherzugriff............................................268
6.3.2 Synchron schneller......................................................................................268
6.3.3 Verdoppelte Datenrate.................................................................................269
6.3.4 Module vereinfachen Speicheraufrüstung ..................................................270
7 MikroController.........................................................................................272
7.1 Einführung ..................................................................................................272
7.2 S-Bit-Mikrocontroller .................................................................................272
7.2.1 Einführung ..................................................................................................272
7.2.2 Speicherorganisation...................................................................................272
7.2.3 Zusatzfunktionsregisterbereich...................................................................275
7.2.4 CPU-Architektur.........................................................................................276
7.2.5 Grundlegende Interruptverarbeitung...........................................................279
7.2.6 E/A-Portstrukturen......................................................................................281
7.2.7 CPU-Takteinteilung ....................................................................................283
7.2.8 Zugriff auf den externen Speicher...............................................................284
7.2.9 Überblick über den Befehlssatz ..................................................................287
7.2.10 Blockschaltbilder von CSOO-Mikrocontrollern...........................................292
7.3
ló-Bit-Mikrocontroller
...............................................................................296
7.3.1 Einführung ..................................................................................................296
7.3.2 Die Mitglieder der lD-Bit-Mikrocontroller-Familie ...................................296
7.3.3 Architekturiibersicht Cloö-Familie ............................................................298
7.3.4 Speicherorganisation...................................................................................298
7.3.5 Grundlegende CPU-Konzepte und -Optimierungen ...................................298
7.3.6 Die On-Chip-Systetnressourcen..................................................................304
7.3.7 Externe Busschnittstelle..............................................................................305
7.3.8 Die On-Chip-Peripherieblöcke ...................................................................306
7.3.9 Energieüberwachungsmerkmale.................................................................313
7.3.10 Besondere Merkmale der XC 166-Familie..................................................314
7.3.11 Zusammenfassung des Befehlssatzes..........................................................315
7.3.12 Blockdiagramme der lo-Bit-Mikrocontroller.............................................317
7.4 32-Bit-TriCore-Architektur.........................................................................322
7.4.1 Die Leistungsmerkmale der TriCore-Architektur in der Übersicht ............323
7.4.2 Programm-Zustandsregister........................................................................323
7.4.3 Datentypen..................................................................................................324
7.4.4 Adressierungsarten......................................................................................324
7.4.5 Befehlsformate............................................................................................325
7.4.6
Tasks
und Kontexte.....................................................................................325
7.4.7 Unterbrechungssystem................................................................................326
7.4.8
Trap-System
................................................................................................326
7.4.9 Schutzsystem...............................................................................................327
7.4.10
Reset-System
...............................................................................................327
Inhaltsverzeichnis
7.4.11 Fehlersuch-System......................................................................................328
7.4.12 Programmiermodell ....................................................................................328
7.4.13 Speichennodell ...........................................................................................329
7.4.14 Adressierungsmodell...................................................................................331
7.4.15 Kernregister.................................................................................................333
7.4.16 Universalregister (GPRs) ............................................................................334
7.4.17 Blockdiagramme von 32-Bit Mikrocontrollern ..........................................338
8 Chipkarten.................................................................................................340
8.1 Übersicht.....................................................................................................340
8.2 Einführung ..................................................................................................340
8.3 Markt...........................................................................................................340
8.4 Anwendungen .............................................................................................341
8.5 Geschäftliches Beziehungsgeflecht.............................................................344
8.6 Produkte ......................................................................................................344
8.7 Krypto-Expertise.........................................................................................346
8.8 Chips für multifunktionale Karten..............................................................347
8.9 „Human Interfaces - eine neue Peripherie................................................348
8.10 Technologie und Fertigung .........................................................................349
8.11 Sicherheit ....................................................................................................351
8.12 Ausblick......................................................................................................352
9 Automotive Silicon Solutions ...................................................................354
9.1 Elektronik im Automobil ............................................................................354
9.2 Karosserie- und Komfort-Elektronik ..........................................................355
9.2.1 Bordnetzsteuergeräte und Lichtmodule ......................................................355
9.2.2 Türsteuergeräte............................................................................................359
9.2.3 Klimaanlagen..............................................................................................362
9.3 Safety-Elektronik........................................................................................365
9.3.1 Aktive Sicherheits-Systeme ........................................................................367
9.3.2 Passive Sicherheits-Systeme.......................................................................372
9.4 Automobile Antriebe...................................................................................382
9.4.1 Halbleitertechnologien für den Powertrain-Regelkreis...............................382
9.4.2 Powertrain-Applikationen - Systemüberblick............................................383
9.4.3 Die künftige Aufteilung von Antriebsstrang-Applikationen.......................389
9.5 Infotainment-Elektronik..............................................................................390
9.5.1 Dashboard/Instrumenten-Cluster................................................................390
9.5.2
Car
Audio....................................................................................................390
9.5.3 Telematiksysteme........................................................................................391
9.5.4 Navigationssysteme ....................................................................................392
9.5.5 Multimedia-Systeme...................................................................................392
9.5.6 Applikationsübergreifende Technologien...................................................392
9.6 Neues 42 V-Bordnetz ..................................................................................395
9.6.1 Begriffsdefinition 12 V und 42 V................................................................395
9.6.2 Das 42
V
PowerNet für neue Lösungsansätze ............................................396
9.6.3 42
V
und dessen Einfluss auf Leistungshalbleiter.......................................398
10
Inhaltsverzeichnis
9.7 Herausforderungen und Chancen von X-by-Wire ......................................405
9.7.1 System und Design-Anforderungen............................................................406
9.7.2 Möglichkeiten durch X-by-Wire ................................................................406
9.7.3 Halbleiterkonzepte für X-by-Wire Systeme................................................408
9.8 Die Zukunft der Automobilelektronik ........................................................410
10 Unterhaltungselektronik ..........................................................................412
10.1 Abheben in die Breitbandkommunikation ..................................................412
10.1.1 Digitalisierung des Kabelfernsehens...........................................................413
10.1.2 Der digitale terrestrische Rundfunk hebt ab ...............................................414
10.1.3 Verbesserte Rückkopplung für den digitalen Satellitenrundfunk ...............417
10.2 MultiMediaCard - idealer Massenspeicher für mobile Endgeräte .............418
10.2.1 Vielfaltige Anwendungen............................................................................418
10.2.2 Standardisierung angelaufen.......................................................................420
10.2.3 Flexible Schnittstelle...................................................................................420
10.2.4 128 MByte im Jahre 2001 ...........................................................................420
11 Kommunikationsbausteine.......................................................................424
11.
11.
11.
11.
Überblick und Trends..................................................................................424
.1 Strategische Ziele........................................................................................424
.2 Hohe Innovationsraten ................................................................................425
.3 Switching-ICs .............................................................................................425
11.1.4 Network ICs ................................................................................................425
11.1.5
Communication
Terminal ICs.....................................................................426
11.2 ISDN: Von der Vermittlung bis zum Teilnehmer ........................................427
11.2.1 Funktionsblöcke im ISDN ..........................................................................427
11.2.2 Digital-Linecard..........................................................................................430
11.2.3 Extended-Linecard-Controller (EUC)........................................................430
11.2.4 ISDN-D-Channel-Exchange-Controller (IDEC) ........................................430
11.2.5 U-Transceiver für das Analog-Frontend .....................................................431
11.2.6 ISDN-High-Voltage-Power-Controller (IHPC)...........................................431
11.2.7
Network-Termination
..................................................................................432
11.2.8
Intelligent-Network-Termination-Controller
(INTC) .................................432
11.2.9
ISDN-DC-DC-
Wandler
(IDDC)
.................................................................433
Н.2.10
ISDN-S-Interface-Feeder-Circuit (ISFC) ...................................................433
11.2.11 Dual-Signal-Processing-Codec-Filter.........................................................435
11.3 ISDN-Endgeräte: Die Teilnehmerseite .......................................................435
11.3.1 Telefon ........................................................................................................435
11.3.2 PC-Einsteckkarte.........................................................................................437
11.3.3 Terminaladapter (TA) und USB-SO-Adapter ..............................................437
11.3.4 Kombination NT1 und TA ..........................................................................438
11.3.5 High-End-Telefon mit USB-SO-Adapter und TA-Funktion........................438
11.4 Referenz-Designs für ISDN........................................................................439
11.4.1 Komplette Lösungen führen zur schnelleren Vermarktung.........................439
11.4.2 Hardware.....................................................................................................440
11.4.3 Software ......................................................................................................440
11.4.4 ISDN-Zugang..............................................................................................440
11.4.5 ISDN-Telefon..............................................................................................441
11.5 Qualitätsanalyse im Telefonnetz .................................................................441
11
Inhaltsverzeichnis
11.5.1 TIQUS für jedes Telefonnetz ......................................................................442
11.5.2 Bei Anruf Test: Die Probeverbindung.........................................................442
11.5.3 ISDN-Zugangstechnologie von Infineon ....................................................443
11.6 Flexibles Chipkonzept senkt Kosten bei Nebenstellenanlagen...................444
11.6.1 Kostengünstige Systemlösungen.................................................................444
11.6.2 Trend zur Verkleinerung..............................................................................444
11.6.3 Auf digitale PBX zugeschnittene ICs .........................................................444
11.6.4 PCM-Switching-Lösungen .........................................................................445
11.6.5 Verwenden von SWITI zum Anschließen an
Н.100/Н.1
10-Busse .............447
11.7 Nächste Architektur-Generation von Mobil-Endgeräten - GOLDige
Zukunft für GSM ........................................................................................448
11.7.1 E-GOLD - Erweiterung des GOLD-Standards ..........................................449
11.7.2 Anwendungsunterstützung..........................................................................449
11.7.3 Die Zukunft hat bereits begonnen...............................................................450
11.7.4 GSM-Modul................................................................................................450
11.8 Digitale Anrufbeantworter ..........................................................................450
11.8.1 DSP reduziert Daten ...................................................................................451
11.8.2 Einkanaliger Codec genügt.........................................................................452
11.8.3
SAM
bietet Kostenoptimierung ..................................................................453
11.8.4 Entwicklung leicht gemacht........................................................................456
11.9 Freisprechalgorithmen ................................................................................457
11.9.1 Freisprechsysteme.......................................................................................457
11.9.2 Vollduplex-Systeme ....................................................................................457
11.9.3 Halbduplex-Systeme...................................................................................457
11.9.4 Echokompensation (Vollduplex-Systeme) .................................................458
11.9.5 ITU-T-Empfehlungen..................................................................................461
11.10 DSL-Architekturen .....................................................................................462
11.10.1 Grundlegende DSL-Konzepte.....................................................................462
11.10.2 Nutzung der Umgebung durch Asymmetrie ...............................................464
11.10.3
VDSL
überträgt Videodaten und größere Bandbreite.................................469
12 Kundenspezifische integrierte Schaltungen............................................471
12.1 Semicustom 1С............................................................................................471
12.1.1 Gatearrays ...................................................................................................472
12.1.2 Zelldesign....................................................................................................472
12.1.3 Gatearray oder Zelldesign? .........................................................................472
12.2 Technologien...............................................................................................473
12.2.1 Bipolare Semicustom ICs ...........................................................................473
12.2.2 CMOS Semicustom ICs ..............................................................................473
12.2.3 Bipolare Gatearrays ....................................................................................474
12.2.4 Bipolare Transistorarrays (Lineararrays) ....................................................475
12.3 Gehäusevarianten ........................................................................................476
12.4 Zusammenarbeit Kunde - 1С Hersteller .....................................................476
13 Elektromagnetische Verträglichkeit - EMV...........................................478
13.1 Grundlagen..................................................................................................478
13.1.1 EMV-Phänomene........................................................................................478
13.1.2 EMV: Normen und Vorschriften.................................................................481
12
Inhaltsverzeichnis
13.1.3 EMV-Messmethoden für integrierte Schaltungen (ICs)..............................482
13.1.4 Modelle zur Bestimmung der ESD-Festigkeit von Bauelementen .............490
13.2 Elektromagnetische Verträglichkeit von Automotive Power ICs................493
13.2.1 Power-Schalter-ICs .....................................................................................493
13.2.2 Störemission von DC-DC-Wandlern...........................................................497
13.2.3 Störemission von Kommunikations-ICs -
CAN
.........................................499
13.2.4 Störfestigkeit von Automotive-Power-Schalter-ICs....................................500
13.2.5 Störfestigkeit von Kommunikations-ICs -
CAN
.......................................502
13.2.6 EMV-Maßnahmen in Applikationsschaltungen - externe Bauelemente.....503
13.3 Elektromagnetische Verträglichkeit von Mikrocontrollern ........................503
13.3.1 Automobile Mikrocontroller-Systeme und Technologie-Trends ................503
13.3.2 EMV-optimierter Leiterplatten-Entwurf.....................................................505
13.3.3 Messung der Störemission von Mikrocontrollern.......................................509
13.3.4 Störfestigkeit von Mikrocontrollern............................................................514
13.4 EMV-Ziele bei der drahtgebundenen Kommunikation ..............................515
13.4.1 System, Komponenten und Grundlagen .....................................................516
13.4.2 High-Speed-PCB-Design - Signalintegrität
(SI)
........................................517
13.5 ESD-Schutzmaßnahmen beim
Handling
....................................................525
13.5.1 Schutzmaßnahmen gegen aufgeladene Objekte (Mensch/Maschine).........526
13.5.2 Schutzmaßnahmen gegen aufgeladene Bausteine.......................................526
14 Gehäuse......................................................................................................528
14.1 Von der Physik zur Innovation - Die wachsende Bedeutung der
Gehäuseentwicklung...................................................................................528
14.2 Gehäuse für Halbleiterchips - eine Übersicht ............................................529
14.3 Treibende Kräfte der Gehäuseentwicklung.................................................531
14.4 Gehäuseentwicklung weltweit ...................................................................532
14.4.1 Standardisierung .........................................................................................532
14.4.2 Trends weltweit: Speichergehäuse .............................................................532
14.4.3 Trends weltweit: IC-Gehäuse......................................................................533
14.4.4 Trends weltweit: Passive Bauelemente ......................................................536
14.5 Verarbeitbarkeit beim Kunden:
Fine Pitch
und Alternativen .....................536
14.6 1С
Packaging Road Map
-Wohin geht die Reise? .....................................537
14.7 Materialaspekte...........................................................................................539
14.7.1 Bleifreie, halogenfreie Gehäuse..................................................................539
14.7.2 Inhaltsstoffe in Bauteilen und Werkstoffen.................................................539
14.7.3
Soft Errors
durch radioaktive Verunreinigungen im Gehäusematerial ......540
15
Qualifât
......................................................................................................542
15.1 Elemente der Qualität .................................................................................542
15.2 Qualitätsmaßnahmen in Geschäftsprozessen ..............................................543
15.3 Verarbeitbarkeit beim Kunden ....................................................................544
16 Glossar .......................................................................................................551
13
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