Nanostrukturen in Halbleiterbauelementen:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2002
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| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG.!
2
NANOSTRUKTUREN
UND
IHRE
ANWENDUNGEN
.
6
2.1
QUANTENFILME
IN
QUANTENKASKADENLASEM
.
6
2.2
QUANTENDRAEHTE
IN
QUANTENDRAHTLASEM
.
10
3
DIE
MATERIALIEN
INGAAS
UND
INP
.
16
3.1
DAS
HERSTELLUNGSVERFAHREN
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
.
16
3.2
BESTIMMUNG
DER
BANDLUECKE
MIT
PHOTOLUMINESZENZ
.
17
MESSAUFBAU
UND
AUSWERTUNG
.
17
PHOTOLUMINESZENZ
.
18
4
HOMOGENITAET
UND
SCHICHTDICKENKONTROLLE
IN
QUANTENFILMEN
.
28
4.1
RASTERKRAFTMIKROSKOPIE
AN
SPALTFLAECHEN
.
28
4.2
HOMOGENITAET
.
31
4.3
SCHICHTDICKENKONTROLLE
.
36
5
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
QUANTENFILMEN
.
41
5.1
POTENTIALTOEPFE
.
41
5.2
INTERBANDUEBERGAENGE
(PHOTOLUMINESZENZ)
.
43
5.3
INTRABANDUEBERGAENGE
(ABSORPTION)
.
47
6
TUNNELN
DURCH
POTENTIALBARRIEREN
.
55
6.1
TRANSMISSIONSKOEFFIZIENT
.
55
6.2
EINFACHBARRIEREN
.
57
6.3
BESTIMMUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
IN
NANO-HETEROSTRUKTUREN
.
61
PHYSIKALISCHES
MODELL
.
61
VI
MESSVERFAHREN
.
63
DISKUSSION
.
64
7
EINDIMENSIONALE
STRUKTUREN
IM
V-NUTENKONZEPT
.67
7.1
QUANTENSTRUKTUREN
IN
V-NUTEN
.
67
7.2
TECHNOLOGIEN
.
71
7.3
WACHSTUM
VON
QUANTENDRAEHTEN
BEI
ERHOEHTER
TEMPERATUR
.
75
7.4
TUNNELN
DURCH
POTENTIALBARRIEREN
.
80
7.5
AUSBLICK:
WEITERFUEHRENDE
OPTIMIERUNGEN
.
80
STROMBUENDELUNG
.
80
MEHRFACHQUANTENDRAEHTE
.
81
8
QUANTENPUNKTE
-
SELBSTORGANISIERT
ODER
KONTROLLIERT
HERGESTELLT?.
84
8.1
STATISTISCHE
VERTEILUNG
VON
SELBSTORGANISIERTEN
QUANTENPUNKTEN
.
84
8.2
KONZEPT
FUER
KONTROLLIERT
HERGESTELLTE
QUANTENPUNKTE
.
90
9
ZUSAMMENFASSUNG.
94
10
ANHANG.
96
10.1
NATURKONSTANTEN
.
96
10.2
MATERIALPARAMETER
.
97
10.3
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
BANDLUECKE
.
98
10.4
ABKUERZUNGEN
.
99
10.5
SYMBOLE
.100
11
QUELLEN
-------------------------------------------------------------------------------------------------
103
12
DANKSAGUNG
.
117 |
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