Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Elektronisch Software E-Book |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2002
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | München, Univ., Fak. für Physik, Diss., 2002 |
| Beschreibung: | 1 CD-ROM 12 cm. - 12 cm |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nmm a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV015635803 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 006 | a m||| 00||| | ||
| 007 | co|uuu---uuuuu | ||
| 008 | 021216s2002 |||| q||u| ||||||ger d | ||
| 016 | 7 | |a 965817644 |2 DE-101 | |
| 035 | |a (OCoLC)634758400 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV015635803 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-19 | ||
| 100 | 1 | |a Böhm, Stefan |d 1965- |e Verfasser |0 (DE-588)124269516 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen |c Stefan Böhm |
| 264 | 1 | |c 2002 | |
| 300 | |a 1 CD-ROM |c 12 cm. - 12 cm | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b c |2 rdamedia | ||
| 338 | |b cd |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a München, Univ., Fak. für Physik, Diss., 2002 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Abhebetechnik |0 (DE-588)4559362-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Epitaxie |0 (DE-588)4152545-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Epitaxie |0 (DE-588)4152545-0 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Abhebetechnik |0 (DE-588)4559362-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-010116068 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804129710318288896 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Böhm, Stefan 1965- |
| author_GND | (DE-588)124269516 |
| author_facet | Böhm, Stefan 1965- |
| author_role | aut |
| author_sort | Böhm, Stefan 1965- |
| author_variant | s b sb |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV015635803 |
| ctrlnum | (OCoLC)634758400 (DE-599)BVBBV015635803 |
| format | Electronic Software eBook |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01335nmm a2200373 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV015635803</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="006">a m||| 00||| </controlfield><controlfield tag="007">co|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">021216s2002 |||| q||u| ||||||ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">965817644</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)634758400</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV015635803</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-19</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Böhm, Stefan</subfield><subfield code="d">1965-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)124269516</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen</subfield><subfield code="c">Stefan Böhm</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2002</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 CD-ROM</subfield><subfield code="c">12 cm. - 12 cm</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cd</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">München, Univ., Fak. für Physik, Diss., 2002</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Abhebetechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4559362-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Epitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4152545-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Epitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4152545-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Abhebetechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4559362-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-010116068</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV015635803 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T19:09:28Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-010116068 |
| oclc_num | 634758400 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-19 DE-BY-UBM |
| owner_facet | DE-19 DE-BY-UBM |
| physical | 1 CD-ROM 12 cm. - 12 cm |
| publishDate | 2002 |
| publishDateSearch | 2002 |
| publishDateSort | 2002 |
| record_format | marc |
| spelling | Böhm, Stefan 1965- Verfasser (DE-588)124269516 aut Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen Stefan Böhm 2002 1 CD-ROM 12 cm. - 12 cm txt rdacontent c rdamedia cd rdacarrier München, Univ., Fak. für Physik, Diss., 2002 Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd rswk-swf Abhebetechnik (DE-588)4559362-0 gnd rswk-swf Epitaxie (DE-588)4152545-0 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 s Epitaxie (DE-588)4152545-0 s Abhebetechnik (DE-588)4559362-0 s DE-604 |
| spellingShingle | Böhm, Stefan 1965- Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Abhebetechnik (DE-588)4559362-0 gnd Epitaxie (DE-588)4152545-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4150649-2 (DE-588)4559362-0 (DE-588)4152545-0 (DE-588)4113937-9 |
| title | Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen |
| title_auth | Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen |
| title_exact_search | Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen |
| title_full | Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen Stefan Böhm |
| title_fullStr | Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen Stefan Böhm |
| title_full_unstemmed | Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen Stefan Böhm |
| title_short | Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen |
| title_sort | der epitaktische lift off als methode elektrische und optische eigenschaften in iii v halbleiter strukturen zu beeinflussen |
| topic | Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Abhebetechnik (DE-588)4559362-0 gnd Epitaxie (DE-588)4152545-0 gnd |
| topic_facet | Drei-Fünf-Halbleiter Abhebetechnik Epitaxie Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT bohmstefan derepitaktischeliftoffalsmethodeelektrischeundoptischeeigenschafteniniiivhalbleiterstrukturenzubeeinflussen |