Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen:
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1
I
NHALTSVERZEICHNIS
1
INHALTSVERZEICHNIS
.
L
.
1
2
EINLEITUNG
.
.3
3
GRUNDLAGEN
DES
EPITAKTISCHEN
LIFT-OFFS
(ELO).
.
J5
3.1
DIE
PRINZIPIELLE
DURCHFUEHRUNG
DES
EPITAKTISCHEN
LIFT-OFIS
.
5
3.2
TRANSFER
VON
ELO-FIHNEN
AUF
PLANARE
ZIELSUBSTRATE.
.
.
9
3.3
TRANSFER
VON
ELO-FILMEN
AUF
GEKRUEMMTE
OBERFLAECHEN
UND
AUF
FLEXIBLE
ZIELSUBSTRATE
.
.10
3.4
DIE
HERSTELLUNG
FIEITRAGENDER
HALBLEITERSTRUKTUREN
MIT
DEM
EPITAKTISCHEN
LIFT-OFT
.
.22
4
DER
FELDEFFEKT-ADRESSIERBARE
POTENTIOMETRISCHE
SENSOR
(FAPS).
.
27
4.1
EINLEITUNG.
_
27
42
DAS
ZELLMEMBRANPOTENTIAL
_
_
28
4.3
AUSBILDUNG
VON
AKTIONSPOTENTIALEN.
_
29
4.4
METHODEN
ZUR
MESSUNG
DER
ELEKTRISCHEN
AKTIVITAET
EINZELNER
ZELLEN.
_
_
31
4.5
DIE
PROBLEMATIK
EINES
ZELL-HALBLEITER-HYBRIDS
.
36
4.6
DAS
FUNKTIONSPRINZIP
DES
FAPS
_
39
4.7
DIE
HERSTELLUNG
EINER
FAPS-TESTSTRUKTUR
_
.46
4.7.1
MASKENHERSTELLUNGFIIR
DIE
OPTISCHE
LITHOGRAFIE
_
.
_
.48
4.7.2
DIE
PROZESSSCHRITTE
IM
UEBERBLICK.
_
_
_
52
4.8
CHARAKTERISIERUNG
DER
FAPS-TESTSTRUKTUR
.
57
4.8.1
MESSUNG
DER
CHARAKTERISTISCHEN
KENNGROESSEN
_
_
.
_
_
.57
4.8.2
ERGEBNISSE
DER
MESSUNGEN
.
.
63
4.8.3
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE.
_
_
_
_
_
.64
4.9
HERSTELLUNG
EINES
FAPS
MIT
HOHER
ORTSAUFLOESUNG
---------------
.69
4.10
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK.
_
.73
5
DER
QUANTEN-HALL-EFFEKT
(QHE)
IN
NICHT-PLANARER
GEOMETRIE
.
.75
5.1
EINLEITUNG.
.
75
2
1
I
NHALTSVERZEICHNIS
5.2
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
.
76
5.2.1
ZWEIDIMENSIONALE
ELEKTRONENSYSTEME.
.
76
5.2.2
ZWEIDIMENSIONALE
ELEKTRONENSYSTEME
IM
MAGNETFELD
.
79
5.2.3
ZYLINDRISCH
GEKRUEMMTE
ZWEIDIMENSIONALE
ELEKTRONENSYSTEME.
.
81
5.2.4
MAGNETOKAPAZITAET
ZWEIDIMENSIONALER
ELEKTRONENSYSTEME
_
_
.90
5.3
TECHNOLOGIE
UND
PROBENPRAEPARATION
_
_
_
_
_
93
5.4
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSIONEN
.
.
97
5.5
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
.
.
108
6
PHOTOLUMINESZENZ
AN
QUANTENTBPFEN
IN
VERSPANNTEN
HALBLEITER-HETEROSTRUKTUREN
.111
6.1
EINLEITUNG.
.
111
6.2
PHOTOLUMINESZENZ
AN
VERSPANNTEN
HALBLEITERSTRUKTUREN
_
_
_
112
6.3
FUNKTIONSPRINZIPIEN
ZUR
VERSPANNUNGSINDUZIERUNG
_
_
_
119
6.4
BESCHREIBUNG
DES
MESSAUFBAUS
_
123
6.5
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSIONEN
.
.127
6.5.1
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
AN
EINER
GAAS/ALGAAS-HETEROSTRUKTUR
MIT
DREI
QUANTENTOEPFEN.
_
_
128
6.5.2
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
AN
EINER
GAAS/ALGAAS-HETEROSTRUKTUR
MIT
SECHS
QUANTENTOEPFEN.
.
_
_
.
.
.142
6.6
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
.
148
7
ABSCHLIESSENDE
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK.
.
149
8
LITERATURVERZEICHNIS
.
.155
9
ANHANG
.
.160
9.1
SCHICHTAUFBAU
DER
VERWENDEN
HALBLEITERHETEROSTRUKTUREN.
.
160
9.2
ELO-PROZESSTECHNOLOGIE
.
163
9.3
MASKENHERSTELLUNG
IM
REFLEKTIVEN
VERFAHREN
_
165
9.4
MASKENHERSTELLUNG
IM
TRANSMITIVEN
VERFAHREN
.
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