Silizium-Halbleitertechnologie: mit 35 Übungsaufgaben
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart [u.a.]
Teubner
2002
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| Ausgabe: | 3., überarb. und erg. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Lehrbuch
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | XIII, 309 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3519201496 |
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ULRICH HILLERINGMANN SILIZIUM- HALBLEITERTECHNOLOGIE 3. UEBERARBEITETE
UND ERGAENZTE AUFLAGE MIT 157 ABBILDUNGEN UND 35 UEBUNGSAUFGABEN TEUBNER
B. G. TEUBNER STUTTGART * LEIPZIG * WIESBADEN 2008
AGI-INFORMATION MANAGEMENT CONSULTANTS MAY BE USED FOR PERSONAL
PURPORSES ONLY OR BY LIBRARIES ASSOCIATED TO DANDELON.COM NETWORK.
INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 1.1 AUFGABE 3 2 HERSTELLUNG VON
SILIZIUMSCHEIBEN 4 2.1 SILIZIUM ALS BASISMATERIAL 4 2.2 HERSTELLUNG UND
REINIGUNG DES ROHMATERIALS 7 2.2.1 HERSTELLUNG VON TECHNISCHEM SILIZIUM
7 2.2.2 CHEMISCHE REINIGUNG DES TECHNISCHEN SILIZIUMS 7 2.2.3
ZONENREINIGUNG 9 2.3 HERSTELLUNG VON EINKRISTALLEN 10 2.3.1 DIE
KRISTALLSTRUKTUR 10 2.3.2 KRISTALLZIEHVERFAHREN NACH CZOCHRALSKI 12
2.3.3 TIEGELFREIES ZONENZIEHEN 14 2.3.4 KRISTALLFEHLER 16 2.4
KRISTALLBEARBEITUNG 17 2.4.1 SAEGEN 18 2.4.2 OBERFLAECHENBEHANDLUNG 19
2.4.2.1 LAEPPEN 19 2.4.2.2 SCHEIBENRAND ABRUNDEN 20 2.4.2.3 AETZEN 21
2.4.2.4 POLIEREN 21 2.5 AUFGABEN ZUR SCHEIBENHERSTELLUNG 22 3 OXIDATION
DES SILIZIUMS 23 3.1 DIE THERMISCHE OXIDATION VON SILIZIUM 24 3.1.1
TROCKENE OXIDATION 25 3.1.2 NASSE OXIDATION 25 3.1.3 H 2 O 2
-VERBRENNUNG 27 3.2 MODELLIERUNG DER OXIDATION 28 VIII
INHALTSVERZEICHNIS 3.3 DIE GRENZFLAECHE SIO 2 /SILIZIUM 29 3.4
SEGREGATION 31 3.5 ABSCHEIDEVERFAHREN FUER OXID 33 3.5.1 DIE SILAN
PYROLYSE 33 3.5.2 DIE TEOS-OXIDABSCHEIDUNG 34 3.6 AUFGABEN ZUR OXIDATION
DES SILIZIUMS 35 4 LITHOGRAFIE 36 4.1 MASKENTECHNIK 37 4.1.1
PATTERN-GENERATOR UND STEP- UND-REPEAT-BELICHTUNG 38 4.1.2
DIREKTSCHREIBEN DER MASKE MIT DEM ELEKTRONENSTRAHL 38 4.1.3
MASKENTECHNIKEN FUER HOECHSTE AUFLOESUNGEN 39 4.2 BELACKUNG 40 4.2.1 AUFBAU
DER FOTOLACKE 40 4.2.2 AUFBRINGEN DER LACKSCHICHTEN 41 4.3
BELICHTUNGSVERFAHREN 43 4.3.1 OPTISCHE LITHOGRAFIE (FOTOLITHOGRAFIE) 43
4.3.1.1 KONTAKTBELICHTUNG 43 4.3.1.2 ABSTANDSBELICHTUNG (PROXIMITY) 44
4.3.1.3 PROJEKTIONSBELICHTUNG 45 4.3.1.4 VERKLEINERNDE
PROJEKTIONSBELICHTUNG 47 4.3.2 ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAFIE 49 4.3.3
ROENTGENSTRAHL-LITHOGRAFIE 51 4.3.4 WEITERE VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG
53 4.4 LACKBEARBEITUNG 54 4.4.1 ENTWICKELN UND HAERTEN DES LACKES 54
4.4.2 LINIENWEITENKONTROLLE 56 4.4.3 ABLOESEN DER LACKMASKE 57 4.5
AUFGABEN ZUR LITHOGRAFIETECHNIK 59 T INHALTSVERZEICHNIS IX 5 ATZTECHNIK
5.1 NASSCHEMISCHES AETZEN 5.1.1 TAUCHAETZUNG 5.1.2 SPRUEHAETZUNG 5.1.3
AETZLOESUNGEN FUER DIE NASSCHEMISCHE STRUKTURIERUNG 5.1.3.1 ISOTROP
WIRKENDE AETZLOESUNGEN 5.1.3.2 ANISOTROPE SILIZIUMAETZUNG 5.2 TROCKENAETZEN
5.2.1 PLASMAAETZEN (PE) 5.2.2 REAKTIVES IONENAETZEN (RIE) 5.2.2.1
PROZESSPARAMETER DES REAKTIVEN IONENAETZENS 5.2.2.2 REAKTIONSGASE 5.2.3
IONENSTRAHLAETZEN 5.2.4 TROCKENAETZVERFAHREN FUER HOHE AETZRATEN 5.3
ENDPUNKTDETEKTION 5.3.1 VISUELLE KONTROLLE 5.3.2 ELLIPSOMETRIE 5.3.3
SPEKTROSKOPIE 5.3.4 INTERFEROMETRIE 5.3.5 MASSENSPEKTROMETRIE 5.4
AUFGABEN ZUR AETZTECHNIK 6 DOTIERTECHNIKEN 6.1 LEGIERUNG 6.2 DIFFUSION
6.2.1 FICK'SEHE GESETZE 6.2.1.1 DIE DIFFUSION AUS UNERSCHOEPFLICHER
QUELLE 6.2.1.2 DIE DIFFUSION AUS ERSCHOEPFLICHER QUELLE 6.2.2
DIFFUSIONSVERFAHREN 6.2.3 ABLAUF DES DIFFUSIONSPROZESSES 6.2.4 GRENZEN
DER DIFFUSIONSTECHNIK 60 61 62 62 63 63 64 66 67 69 70 73 77 78 79 80 80
81 81 82 82 84 85 87 88 89 91 93 95 96 X INHALTSVERZEICHNIS 6.3
IONENIMPLANTATION 98 6.3.1 REICHWEITE IMPLANTIERTER IONEN 98 6.3.2
CHANNELING 100 6.3.3 AKTIVIERUNG DER DOTIERSTOFFE 101 6.3.4 TECHNISCHE
AUSFUEHRUNG DER IONENIMPLANTATION 105 6.3.5 CHARAKTERISTIKEN DER
IMPLANTATION 109 6.4 AUFGABEN ZU DEN DOTIERTECHNIKEN 110 7
DEPOSITIONSVERFAHREN 112 7.1 CHEMISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 112 7.1.1
DIE SILIZIUM-GASPHASENEPITAXIE 112 7.1.2 DIE CVD-VERFAHREN ZUR
SCHICHTDEPOSITION 116 7.1.2.1 APCVD-VERFAHREN 117 7.1.2.2 LOW PRESSURE
CVD-VERFAHREN (LPCVD) 119 7.1.2.3 PLASMA ENHANCED CVD-VERFAHREN (PECVD)
121 7.2 PHYSIKALISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 122 7.2.1
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE (MBE) 122 7.2.2 AUFDAMPFEN 123 7.2.3
KATHODENZERSTAEUBUNG (SPUTTERN) 125 7.3 AUFGABEN ZU DEN
ABSCHEIDETECHNIKEN 130 8 METALLISIERUNG UND KONTAKTE 131 8.1 DER
METALL-HALBLEITER-KONTAKT 132 8.2 MEHRLAGENVERDRAHTUNG 137 8.2.1
PLANARISIERUNGSTECHNIKEN 137 8.2.1.1 DER BPSG-REFLOW 138 8.2.1.2 REFLOW-
UND RUECKAETZTECHNIK ORGANISCHER SCHICHTEN 139 8.2.1.3 SPIN-ON-GLAESER 140
8.2.1.4 CHEMISCH-MECHANISCHES POLIEREN 141 8.2.2 AUFFUELLEN VON
KONTAKTOEFFNUNGEN 143 8.3 ZUVERLAESSIGKEIT DER ALUMINIUM-METALLISIERUNG
144 INHALTSVERZEICHNIS XI 8.4 KUPFERMETALLISIERUNG 146 8.5 AUFGABEN ZUR
KONTAKTIERUNG 150 9 SCHEIBENREINIGUNG 152 9.1 VERUNREINIGUNGEN UND IHRE
AUSWIRKUNGEN 153 9.1.1 MIKROSKOPISCHE VERUNREINIGUNGEN 154 9.1.2
MOLEKULARE VERUNREINIGUNGEN 155 9.1.3 ALKALISCHE UND ATOMARE
VERUNREINIGUNGEN 156 9.2 REINIGUNGSTECHNIKEN 157 9.3 AETZLOESUNGEN ZUR
SCHEIBENREINIGUNG 158 9.4 BEISPIEL EINER REINIGUNGSSEQUENZ 160 9.5
AUFGABEN ZUR SCHEIBENREINIGUNG 161 10 MOS-TECHNOLOGIEN ZUR
SCHALTUNGSINTEGRATION 162 10.1 EINKANAL MOS-TECHNIKEN 162 10.1.1 DER
PMOS ALUMINIUM-GATE-PROZESS 162 10.1.2 DIE N-KANAL ALUMINIUM-GATE
MOS-TECHNIK 166 10.1.3 DIE NMOS SILIZIUM-GATE-TECHNOLOGIE 169 10.2 DER
N-WANNEN SILIZIUM-GATE CMOS-PROZESS 172 10.2.1 SCHALTUNGSELEMENTE DER
CMOS-TECHNIK 182 10.2.2 LATCHUP-EFFEKT 185 10.3 FUNKTIONSTEST UND
PARAMETERERFASSUNG 189 10.4 AUFGABEN ZUR MOS-TECHNIK 191 11
ERWEITERUNGEN ZUR HOECHSTINTEGRATION 194 11.1 LOKALE OXIDATION VON
SILIZIUM (LOCOS-TECHNIK) 194 11.1.1 DIE EINFACHE LOKALE OXIDATION VON
SILIZIUM 194 11.1.2 SPOT-TECHNIK ZUR LOKALEN OXIDATION 197 11.1.3 DIE
SILO-TECHNIK 199 11.1.4 POLY-BUFFERED LOCOS 200 XII INHALTSVERZEICHNIS
11.1.5 DIE SWAMI-LOCOS-TECHNIK 201 11.1.6 GRABEN-ISOLATION 204 11.2
MOS-TRANSISTOREN FUER DIE HOECHSTINTEGRATION 205 11.2.1
DURCHBRUCHMECHANISMEN IN MOS-TRANSISTOREN 207 11.2.1.1
KANALLAENGENMODULATION 208 11.2.1.2 DRAIN-DURCHGRIFF (PUNCH-THROUGH) 208
11.2.1.3 DRAIN-SUBSTRAT DURCHBRUCH (SNAP-BACK) 209 11.2.1.4
TRANSISTORALTERUNG DURCH HEISSE ELEKTRONEN 209 11.2.2 DIE SPACER-TECHNIK
ZUR DOTIERUNGSOPTIMIERUNG 210 11.2.2.1 LDD N-KANAL MOS-TRANSISTOREN 210
11.2.2.2 P-KANAL OFFSET-TRANSISTOREN 213 11.2.3 SELBSTJUSTIERENDE
KONTAKTE 217 11.3SOI-TECHNIKEN 220 11.3.1 SOI-SUBSTRATE 220 11.3.1.1
FIPOS - FUELL ISOLATION BY POROUS OXIDIZED SILICON 221 11.3.1.2 SIMOX -
SILICON IMPLANTED OXIDE 222 11.3.1.3 WAFER-BONDING 224 11.3.1.4 ELO -
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH 225 11.3.1.5 DIE SOS-TECHNIK 226 11.3.1.6
SOI-SCHICHTEN DURCH REKRISTALLISATIONSVERFAHREN 227 11.3.2
PROZESSFUEHRUNG IN DER SOI-TECHNIK 229 11.4 TRANSISTOREN MIT
NANOMETERABMESSUNGEN 231 11.5 AUFGABEN ZUR HOECHSTINTEGRATIONSTECHNIK 235
12 BIPOLAR-TECHNOLOGIE 237 12.1 DIE STANDARD-BURIED-COLLECTOR TECHNIK
238 12.2 FORTGESCHRITTENE SBC-TECHNIK 241 12.3 BIPOLARPROZESS MIT
SELBSTJUSTIERTEM EMITTER 243 12.4 BICMOS-TECHNIKEN 247 12.5 AUFGABEN ZUR
BIPOLARTECHNOLOGIE 249 INHALTSVERZEICHNIS XIII 13 MONTAGE INTEGRIERTER
SCHALTUNGEN 251 13.1 VORBEREITUNG DER SCHEIBEN ZUR MONTAGE 251 13.1.1
VERRINGERUNG DER SCHEIBENDICKE 252 13.1.2 RUECKSEITENMETALLISIERUNG 253
13.1.3 TRENNEN DER CHIPS 254 13.1.3.1 RITZEN 254 13.1.3.2 LASERTRENNEN
255 13.1.3.3 SAEGEN/TRENNSCHLEIFEN 255 13.2 SCHALTUNGSMONTAGE 256 13.2.1
SUBSTRATE/SYSTEMTRAEGER 257 13.2.2 BEFESTIGUNGSTECHNIKEN 259 13.2.2.1
KLEBEN 260 13.2.2.2 LOETEN 261 13.2.2.3 LEGIEREN 261 13.3
KONTAKTIERVERFAHREN 262 13.3.1 EINZELDRAHT-KONTAKTIERUNG (BONDING) 262
13.3.1.1 THERMOKOMPRESSIONSVERFAHREN 263 13.3.1.2 ULTRASCHALLBONDEN 265
13.3.1.3 THERMOSONIC-VERFAHREN 267 13.3.2 KOMPLETTKONTAKTIERUNG 268
13.3.2.1 SPIDER-KONTAKTIERUNG 268 13.3.2.2 FLIPCHIP-KONTAKTIERUNG 271
13.3.2.3 BEAMLEAD-KONTAKTIERUNG 273 13.4 ENDBEARBEITUNG DER SUBSTRATE
274 13.5 AUFGABEN ZUR CHIPMONTAGE 276 ANHANG A: LOESUNGEN DER AUFGABEN
277 ANHANG B: FARBTABELLE OXIDDICKEN 295 LITERATURVERZEICHNIS 296
STICHWORTVERZEICHNIS 299 |
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| spelling | Hilleringmann, Ulrich Verfasser aut Silizium-Halbleitertechnologie mit 35 Übungsaufgaben Ulrich Hilleringmann 3., überarb. und erg. Aufl. Stuttgart [u.a.] Teubner 2002 XIII, 309 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Lehrbuch Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s DE-604 Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 s HEBIS Datenaustausch Darmstadt application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=010027289&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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