Wechselrichter für transformatorlose unterbrechungsfreie Stromversorgungsanlagen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
2002
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Fortschrittberichte VDI
Reihe 21, Elektrotechnik ; 332 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Literaturverz. S. 98 - 101 |
| Beschreibung: | VII, 101 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
| ISBN: | 3183332213 |
Internformat
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INHALT
VERZEICHNIS
DER
VERWENDETEN
FORMELZEICHEN
.
VII
1
EINLEITUNG
.
1
2
ANFORDERUNGEN
UND
KONZEPTE
FUER
USV-ANLAGEN
.
3
2.1
USV-KONZEPTE
.
4
2.1.1
USV
IM
DAUERBETRIEB
.
5
2.1.2
USV
IM
ANLAUF-ODER
MITLAUFBETRIEB
.
5
2.1.3
USV-SYSTEM
MIT
PASSIVER
REDUNDANZ
.
6
2.1.4
USV-SYSTEM
MIT
AKTIVER
REDUNDANZ
(PARALLELBETRIEB)
.
7
2.1.5
USV-ANLAGEN
MIT
NETZ-WECHSELRICHTER-PARALLELBETRIEB
.
8
2.2
ANFORDERUNGEN
AN
USV-SYSTEME
.
9
2.3
STEUERVERFAHREN
FTLR
EINPHASIGE
USV-WECHSELRICHTER
.
11
2.3.1
PULSWEITENMODULATION
.
11
2.3.1.1
PULSWEITENMODULATION
MIT
ZWEI
SPANNUNGSEBENEN
.
11
2.3.1.2
PULSWEITENMODULATION
MIT
DREI
SPANNUNGSEBENEN
.
12
2.3.2
TOLERANZBANDREGELUNG
.
14
3
LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTE
UND
IHR
VERHALTEN
IN
USV-WECHSELRICHTERN
.
16
3.1
DERMETAL-OXIDE-SILICON-FELDFFEKT-TRANSISTORMOSFET
.
17
3.2
DER
INSULATED-GATE-BIPOLAR-TRANSISTOR IGBT
.
18
3.3
DER
COOLMOS
(SUPER-JUNCTION-MOSFET)
.
19
3.4
DER
INTEGRATED-GATE-COMMUTATED-THYRISTOR
IGCT
.
20
4
SCHALTUNGSTOPOLOGIEN
VON
DAUERBETRIEB-USV-ANLAGEN
.
22
4.1
EINPHASIGE
USV
IM
DAUERBETRIEB
MIT
TRANSFORMATOR
.
22
4.2
DREIPHASIGE
USV-ANLAGE
IM
DAUERBETRIEB
MIT
TRANSFORMATOR
.
23
4.3
EINPHASIGE
DAUERBETRIEB-USV
OHNE
TRANSFORMATOR
MIT
ZWEIPUNKTWECHSELRICHTER
25
4.3.1
ZWISCHENKREISSPANNUNGSERZEUGUNG
FUER
USV-ANLAGEN
OHNE
TRANSFORMATOR
.
26
4.3.2
BATTERIEANKOPPLUNG
.
27
5
WECHSELRICHTER
FTLR
TRANSFORMATORLOSE
USV-ANLAGEN
.
29
5.1
DERZWEIPUNKT-HALBBRUECKEN-WECHSELRICHTER
.
30
5.1.1
BERECHNUNG
DER
HALBLEITERSTROM-EFFEKTIV-UND
MITTELWERTE
.
30
5.1.2
ZWISCHENKREISKONDENSATORSTROM
BEI
EINPHASIGER
BELASTUNG
.
32
5.1.3
ZK-KONDENSATORSTROM
BEI
DREIPHASIGER
BELASTUNG
.
35
5.2
DERNEUTRAL-POINT-CLAMPED-DREIPUNKTWECHSELRICHTER
.
36
5.2.1
BERECHNUNG
DER
HALBLEITERSTROM-EFFEKTIV-UND
MITTELWERTE
.
38
5.2.2
ZK-KONDENSATORSTROM
BEI
EINPHASIGER
BELASTUNG
.
40
5.3
DERLMBRICATED-CELL-WECHSELRICHTER
.
43
5.3.1
BERECHNUNG
DER
HALBLEITERSTROM-EFFEKTIV-UND
MITTELWERTE
.
44
5.3.2
BERECHNUNG
DES
STROMEFFEKTIVWERTES
IM
KLEMMKONDENSATOR
.
47
5.4
DER
ZWEIPUNKT-HALBBRUECKEN-ARCP-WECHSELRICHTER
.
48
5.4.1
FESTLEGUNG
DER
BOOSTSTROEME
UND
DIMENSIONIERUNG
DER
SCHWINGKREISBAU
ELEMENTE
.
52
5.5
DER
NPC-ARCP-WECHSELRICHTER
.
54
6
VERGLEICH
VON
HART
UND
RESONANT
SCHALTENDEN
ZWEI
UND
DREIPUNKT-WECHSELRICHTEM
FUER
TRANSFORMATORLOSE
USV-ANLAGEN
.
63
6.1
VERLUSTLEISTUNGS-UND
WIRKUNGSGRADBESTIMMUNG
IN
WECHSELRICHTERN
.
63
6.2
GEGENUEBERSTELLUNG
DER
VERLUSTE
IN
DEN
WECHSELRICHTERN
.
66
VI
INHALT
6.2.1
VERLUSTE
IN
DEN
ZWEIPUNKT-HALBBRUECKEN-WECHSELRICHTEM
.
66
6.2.2
VERLUSTE
IN
DEN
HART
SCHALTENDEN
NPC
UND
IC
DREIPUNKTWECHSELRICHTEM
.
73
6.2.3
VERLUSTE
IM
HART
SCHALTENDEN
UND
IM
NPC-ARCP-WECHSELRICHTER
MIT
IGBTS
76
6.2.4
VERLUSTE
IN
DEN
WEICH
SCHALTENDEN
NPC-ARCP-WECHSELRICHTEM
IN
ABHAENGIGKEIT
VOM
HALBLEITER-TYP
.
83
7
BAULEISTUNGS-UND
KOSTENVERGLEICH
.
86
7.1
BAULEISTUNGSVERGLEICH
FILR
GESAMT-USV-SYSTEME
.
86
7.2
KOSTENVERGLEICH
.
90
8
ZUSAMMENFASSUNG
.
93
9
ANHANG
.
96
9.1
AUFBAU
DER
LEISTUNGSTEILE
DER
VERSUCHSWECHSELRICHTER
.
96
10
LITERATUR
.
98 |
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