Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation: Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie
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I
NHALTSVERZEICHNIS
I
I
NHALTSVERZEICHNIS
KURZFASSUNG
.
V
1
EINLEITUNG
.
1
2
PHYSIKALISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
SIC
.
4
2.1
POLYTYPISMUS
.4
2.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
5
3
SIC-KRISTALLWACHSTUM
.
7
3.1
KRISTALLWACHSTUMSVERFAHREN
.
7
3.1.1
KRISTALLDEFEKTE
.
8
3.2
EPITAXIE
.
9
3.2.1
FLUESSIGPHASENEPITAXIE
(LPE)
.
9
3.2.2
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
(MBE)
.
9
3.2.3
CHEMISCHE
GASPHASENEPITAXIE
.
10
3.2.4
GASFLUSSDYNAMIK
UND
WACHSTUMSMODELL
.
12
4
VORSTELLUNG
DER
EPITAXIEANLAGE
.
16
4.1
KALTWANDREAKTOR
.
16
4.1.1
DER
STANDARDREAKTOR
.
16
4.1.1.1
REAKTOR
.
17
4.1.1.2
HEIZUNG
.
17
4.1.1.3
GASVERSORGUNG
.
18
4.1.1.4
ABGASSYSTEM
.19
4.1.2
MODIFIKATION
DES
REAKTORINNENQUERSCHNITTES
.
19
4.1.3
TANTALKARBID
(TAC)
ALS
BESCHICHTUNG
FUER
SUSZEPTOREN
.
21
II
I
NHALTSVERZEICHNIS
4.1.4
SUSZEPTORDESIGN
UND
TEMPERATURHOMOGENITAET
.
23
4.2
HEISSWANDREAKTOR
.
25
4.2.1
KONZEPT
UND
REALISIERUNG
.
25
5
EINGESETZTE
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
.28
5.1
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
28
5.1.1
VAN-DER-PAUW-MESSUNG
.
28
5.1.2
HALL-EFFEKT-MESSUNG
.
29
5.1.2.1
AUSWERTUNG
.
31
5.1.3
KAPAZITAETS
/SPANNUNGSMESSUNG
.
32
5.1.4
DEEP-LEVEL-TRANSIENT-SPECTROSCOPY
(DLTS)
.
34
5.2
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
.
35
5.3
KRISTALLOGRAPHLSCHE
UNTERSUCHUNGEN
.
36
5.3.1
SPANNUNGSOPTIK
.
36
5.3.2
RASTERKRAFTMIKROSKOPIE
.
37
5.3.3
TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE
(TEM)
.
38
5.4
SCHICHTDICKENBESTIMMUNG
HOMOEPITAKTISCHER
SCHICHTEN
.
39
6
HETEROEPITAXIE
VON
3C-SIC
AUF
SI-SUBSTRATEN
.
41
6.1
EINLEITUNG
.
41
6.2
DER
3C-SIC/SI-GRENZUEBERGANG
.
43
6.2.1
BUFFERLAYER-KONZEPT
.
43
6.2.2
KAVITAETEN
UND
MIKROKANAELE
.
43
6.2.3
OPTIMIERUNG
DER
KARBONISIERUNG
.
46
6.2.4
MODELL
DER
DEFEKTBILDUNG
.
48
6.3
KRISTALLOGRAPHLSCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
3C-SIC-SCHICHTEN
.
50
6.3.1
ERGEBNISSE
AUS
ROENTGENBEUGUNGS-UNTERSUCHUNGEN
.
50
6.3.2
NACHWEIS
VON
DEFEKTEN
MITTELS
TEM
.
51
I
NHALTSVERZEICHNIS
_
FFL
6.3.3
ANWENDUNG
DES
PROZESSES
AUF
SOI-SUBSTRATE
.
52
6.4
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
55
6.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
56
7
HOMOEPITAXIE
VON
4H-
UND
6H-SIC
.
58
7.1
EINLEITUNG
.
58
7.1.1
POLYTYPREPRODUKTION
DURCH
STUFENBESTIMMTES
WACHSTUM
.
58
7.1.2
YYSITE-COMPETITION
"
-EPITAXIE
VON
VERBUNDHALBLEITEM
.
59
7.2
PROBENPRAEPARATION
.
61
7.2.1
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
VON
SIC
NACH
IN-SITU
PRAEPARATION
.
62
7.3
WACHSTUMSKINETIK
.
65
7.3.1
KALTWANDREAKTOR
.
65
7.3.2
SCHICHTDICKENHOMOGENITAET
BEI
ROTATION
DES
SUBSTRATES
.
68
7.3.3
ERGEBNISSE
DER REAKTORSIMULATION
.
72
7.3.4
HEISSWANDREAKTOR
MIT
SUBSTRATROTATION:
ERSTE
ERGEBNISSE
.
73
7.4
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
VON
EPITAXIESCHICHTEN
.
74
7.4.1
NACHWEIS
MORPHOLOGISCHER
DEFEKTE
IN
4H-SIC
.
74
7.5
STICKSTOFFDOTIERUNG
.
76
7.5.1
ERGEBNISSE
DER
HALL-MESSUNG
.
76
7.5.2
EINBAUVERHALTEN
VON
STICKSTOFF
.
80
7.5.3
HOMOGENITAET
DES
EINBAUS
VON
STICKSTOFF
IN
EPITAXIESCHICHTEN
.
83
7.6
PHOTOLUMINESZENZSPEKTRUM
VON
4H-SIC
.
87
7.7
TIEFE
STOERSTELLEN
IN
4H-SIC-EPITAXIESCHICHTEN
.
88
7.8
ANWENDUNG:
DIE
HOCHSPANNUNGS-SCHOTTKY-DIODE
.
90
7.8.1
DIODENSTRUKTUR
UND
HERSTELLUNG
.
90
7.8.2
SPERREIGENSCHAFTEN
DER
MERGED-PN-SCHOTTKY-DIODEN
.
92
7.9
ZUSAMMENFASSUNG
.
94
IV
I
NHALTSVERZEICHNIS
8
RESUEMEE
UND
AUSBLICK
.
96
9
LITERATURVERZEICHNIS
.
97
10
ANHANG
.
I
ANHANG
A
.
I
ANHANG
B
.
IV
ANHAENGE
.
VII
DANKSAGUNG
.
XI |
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| spelling | Wischmeyer, Frank 1968- Verfasser (DE-588)123702461 aut Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie eingereicht von Frank Wischmeyer 2001 V, 102, XII S. Ill., graph. Darst. : 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2001 Hochschulschrift gtt Chemischer Reaktor (DE-588)4121085-2 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Hochtemperaturtechnik (DE-588)4160291-2 gnd rswk-swf Hexagonaler Kristall (DE-588)4312570-0 gnd rswk-swf Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd rswk-swf Heteroepitaxie (DE-588)4260178-2 gnd rswk-swf Kubisches Gitter (DE-588)4314776-8 gnd rswk-swf CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd rswk-swf Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd rswk-swf Homoepitaxie (DE-588)4457865-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 s Kubisches Gitter (DE-588)4314776-8 s Heteroepitaxie (DE-588)4260178-2 s CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 s DE-604 Hexagonaler Kristall (DE-588)4312570-0 s Homoepitaxie (DE-588)4457865-9 s Chemischer Reaktor (DE-588)4121085-2 s Hochtemperaturtechnik (DE-588)4160291-2 s DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009935685&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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