Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation: Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2001 |
| Beschreibung: | V, 102, XII S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV014616260 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20021204 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 020730s2001 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 964169185 |2 DE-101 | |
| 035 | |a (OCoLC)51708272 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV014616260 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-703 |a DE-12 |a DE-83 | ||
| 100 | 1 | |a Wischmeyer, Frank |d 1968- |e Verfasser |0 (DE-588)123702461 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation |b Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie |c eingereicht von Frank Wischmeyer |
| 264 | 1 | |c 2001 | |
| 300 | |a V, 102, XII S. |b Ill., graph. Darst. : 21 cm | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2001 | ||
| 650 | 7 | |a Hochschulschrift |2 gtt | |
| 650 | 0 | 7 | |a Chemischer Reaktor |0 (DE-588)4121085-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Hochtemperaturtechnik |0 (DE-588)4160291-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Hexagonaler Kristall |0 (DE-588)4312570-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Heteroepitaxie |0 (DE-588)4260178-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Kubisches Gitter |0 (DE-588)4314776-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a CVD-Verfahren |0 (DE-588)4009846-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Homoepitaxie |0 (DE-588)4457865-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Kubisches Gitter |0 (DE-588)4314776-8 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Heteroepitaxie |0 (DE-588)4260178-2 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a CVD-Verfahren |0 (DE-588)4009846-1 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Siliciumcarbid |0 (DE-588)4055009-6 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Hexagonaler Kristall |0 (DE-588)4312570-0 |D s |
| 689 | 1 | 2 | |a Homoepitaxie |0 (DE-588)4457865-9 |D s |
| 689 | 1 | 3 | |a CVD-Verfahren |0 (DE-588)4009846-1 |D s |
| 689 | 1 | 4 | |a Chemischer Reaktor |0 (DE-588)4121085-2 |D s |
| 689 | 1 | 5 | |a Hochtemperaturtechnik |0 (DE-588)4160291-2 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009935685&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009935685 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1807322632095268864 |
|---|---|
| adam_text |
I
NHALTSVERZEICHNIS
I
I
NHALTSVERZEICHNIS
KURZFASSUNG
.
V
1
EINLEITUNG
.
1
2
PHYSIKALISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
SIC
.
4
2.1
POLYTYPISMUS
.4
2.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
5
3
SIC-KRISTALLWACHSTUM
.
7
3.1
KRISTALLWACHSTUMSVERFAHREN
.
7
3.1.1
KRISTALLDEFEKTE
.
8
3.2
EPITAXIE
.
9
3.2.1
FLUESSIGPHASENEPITAXIE
(LPE)
.
9
3.2.2
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
(MBE)
.
9
3.2.3
CHEMISCHE
GASPHASENEPITAXIE
.
10
3.2.4
GASFLUSSDYNAMIK
UND
WACHSTUMSMODELL
.
12
4
VORSTELLUNG
DER
EPITAXIEANLAGE
.
16
4.1
KALTWANDREAKTOR
.
16
4.1.1
DER
STANDARDREAKTOR
.
16
4.1.1.1
REAKTOR
.
17
4.1.1.2
HEIZUNG
.
17
4.1.1.3
GASVERSORGUNG
.
18
4.1.1.4
ABGASSYSTEM
.19
4.1.2
MODIFIKATION
DES
REAKTORINNENQUERSCHNITTES
.
19
4.1.3
TANTALKARBID
(TAC)
ALS
BESCHICHTUNG
FUER
SUSZEPTOREN
.
21
II
I
NHALTSVERZEICHNIS
4.1.4
SUSZEPTORDESIGN
UND
TEMPERATURHOMOGENITAET
.
23
4.2
HEISSWANDREAKTOR
.
25
4.2.1
KONZEPT
UND
REALISIERUNG
.
25
5
EINGESETZTE
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
.28
5.1
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
28
5.1.1
VAN-DER-PAUW-MESSUNG
.
28
5.1.2
HALL-EFFEKT-MESSUNG
.
29
5.1.2.1
AUSWERTUNG
.
31
5.1.3
KAPAZITAETS
/SPANNUNGSMESSUNG
.
32
5.1.4
DEEP-LEVEL-TRANSIENT-SPECTROSCOPY
(DLTS)
.
34
5.2
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
.
35
5.3
KRISTALLOGRAPHLSCHE
UNTERSUCHUNGEN
.
36
5.3.1
SPANNUNGSOPTIK
.
36
5.3.2
RASTERKRAFTMIKROSKOPIE
.
37
5.3.3
TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE
(TEM)
.
38
5.4
SCHICHTDICKENBESTIMMUNG
HOMOEPITAKTISCHER
SCHICHTEN
.
39
6
HETEROEPITAXIE
VON
3C-SIC
AUF
SI-SUBSTRATEN
.
41
6.1
EINLEITUNG
.
41
6.2
DER
3C-SIC/SI-GRENZUEBERGANG
.
43
6.2.1
BUFFERLAYER-KONZEPT
.
43
6.2.2
KAVITAETEN
UND
MIKROKANAELE
.
43
6.2.3
OPTIMIERUNG
DER
KARBONISIERUNG
.
46
6.2.4
MODELL
DER
DEFEKTBILDUNG
.
48
6.3
KRISTALLOGRAPHLSCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
3C-SIC-SCHICHTEN
.
50
6.3.1
ERGEBNISSE
AUS
ROENTGENBEUGUNGS-UNTERSUCHUNGEN
.
50
6.3.2
NACHWEIS
VON
DEFEKTEN
MITTELS
TEM
.
51
I
NHALTSVERZEICHNIS
_
FFL
6.3.3
ANWENDUNG
DES
PROZESSES
AUF
SOI-SUBSTRATE
.
52
6.4
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
55
6.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
56
7
HOMOEPITAXIE
VON
4H-
UND
6H-SIC
.
58
7.1
EINLEITUNG
.
58
7.1.1
POLYTYPREPRODUKTION
DURCH
STUFENBESTIMMTES
WACHSTUM
.
58
7.1.2
YYSITE-COMPETITION
"
-EPITAXIE
VON
VERBUNDHALBLEITEM
.
59
7.2
PROBENPRAEPARATION
.
61
7.2.1
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
VON
SIC
NACH
IN-SITU
PRAEPARATION
.
62
7.3
WACHSTUMSKINETIK
.
65
7.3.1
KALTWANDREAKTOR
.
65
7.3.2
SCHICHTDICKENHOMOGENITAET
BEI
ROTATION
DES
SUBSTRATES
.
68
7.3.3
ERGEBNISSE
DER REAKTORSIMULATION
.
72
7.3.4
HEISSWANDREAKTOR
MIT
SUBSTRATROTATION:
ERSTE
ERGEBNISSE
.
73
7.4
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
VON
EPITAXIESCHICHTEN
.
74
7.4.1
NACHWEIS
MORPHOLOGISCHER
DEFEKTE
IN
4H-SIC
.
74
7.5
STICKSTOFFDOTIERUNG
.
76
7.5.1
ERGEBNISSE
DER
HALL-MESSUNG
.
76
7.5.2
EINBAUVERHALTEN
VON
STICKSTOFF
.
80
7.5.3
HOMOGENITAET
DES
EINBAUS
VON
STICKSTOFF
IN
EPITAXIESCHICHTEN
.
83
7.6
PHOTOLUMINESZENZSPEKTRUM
VON
4H-SIC
.
87
7.7
TIEFE
STOERSTELLEN
IN
4H-SIC-EPITAXIESCHICHTEN
.
88
7.8
ANWENDUNG:
DIE
HOCHSPANNUNGS-SCHOTTKY-DIODE
.
90
7.8.1
DIODENSTRUKTUR
UND
HERSTELLUNG
.
90
7.8.2
SPERREIGENSCHAFTEN
DER
MERGED-PN-SCHOTTKY-DIODEN
.
92
7.9
ZUSAMMENFASSUNG
.
94
IV
I
NHALTSVERZEICHNIS
8
RESUEMEE
UND
AUSBLICK
.
96
9
LITERATURVERZEICHNIS
.
97
10
ANHANG
.
I
ANHANG
A
.
I
ANHANG
B
.
IV
ANHAENGE
.
VII
DANKSAGUNG
.
XI |
| any_adam_object | 1 |
| author | Wischmeyer, Frank 1968- |
| author_GND | (DE-588)123702461 |
| author_facet | Wischmeyer, Frank 1968- |
| author_role | aut |
| author_sort | Wischmeyer, Frank 1968- |
| author_variant | f w fw |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV014616260 |
| ctrlnum | (OCoLC)51708272 (DE-599)BVBBV014616260 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV014616260</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20021204</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">020730s2001 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">964169185</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)51708272</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV014616260</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Wischmeyer, Frank</subfield><subfield code="d">1968-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)123702461</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation</subfield><subfield code="b">Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie</subfield><subfield code="c">eingereicht von Frank Wischmeyer</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2001</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">V, 102, XII S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst. : 21 cm</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2001</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gtt</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Chemischer Reaktor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4121085-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hochtemperaturtechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4160291-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hexagonaler Kristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4312570-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heteroepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4260178-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kubisches Gitter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4314776-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4009846-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Homoepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4457865-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Kubisches Gitter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4314776-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Heteroepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4260178-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">CVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4009846-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Hexagonaler Kristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4312570-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Homoepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4457865-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">CVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4009846-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="4"><subfield code="a">Chemischer Reaktor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4121085-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="5"><subfield code="a">Hochtemperaturtechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4160291-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009935685&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009935685</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV014616260 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-08-14T00:59:33Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009935685 |
| oclc_num | 51708272 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-703 DE-12 DE-83 |
| owner_facet | DE-703 DE-12 DE-83 |
| physical | V, 102, XII S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
| publishDate | 2001 |
| publishDateSearch | 2001 |
| publishDateSort | 2001 |
| record_format | marc |
| spelling | Wischmeyer, Frank 1968- Verfasser (DE-588)123702461 aut Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie eingereicht von Frank Wischmeyer 2001 V, 102, XII S. Ill., graph. Darst. : 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2001 Hochschulschrift gtt Chemischer Reaktor (DE-588)4121085-2 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Hochtemperaturtechnik (DE-588)4160291-2 gnd rswk-swf Hexagonaler Kristall (DE-588)4312570-0 gnd rswk-swf Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd rswk-swf Heteroepitaxie (DE-588)4260178-2 gnd rswk-swf Kubisches Gitter (DE-588)4314776-8 gnd rswk-swf CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd rswk-swf Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd rswk-swf Homoepitaxie (DE-588)4457865-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 s Kubisches Gitter (DE-588)4314776-8 s Heteroepitaxie (DE-588)4260178-2 s CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 s DE-604 Hexagonaler Kristall (DE-588)4312570-0 s Homoepitaxie (DE-588)4457865-9 s Chemischer Reaktor (DE-588)4121085-2 s Hochtemperaturtechnik (DE-588)4160291-2 s DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009935685&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Wischmeyer, Frank 1968- Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie Hochschulschrift gtt Chemischer Reaktor (DE-588)4121085-2 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Hochtemperaturtechnik (DE-588)4160291-2 gnd Hexagonaler Kristall (DE-588)4312570-0 gnd Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Heteroepitaxie (DE-588)4260178-2 gnd Kubisches Gitter (DE-588)4314776-8 gnd CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd Homoepitaxie (DE-588)4457865-9 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4121085-2 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4160291-2 (DE-588)4312570-0 (DE-588)4158813-7 (DE-588)4260178-2 (DE-588)4314776-8 (DE-588)4009846-1 (DE-588)4055009-6 (DE-588)4457865-9 (DE-588)4113937-9 |
| title | Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie |
| title_auth | Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie |
| title_exact_search | Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie |
| title_full | Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie eingereicht von Frank Wischmeyer |
| title_fullStr | Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie eingereicht von Frank Wischmeyer |
| title_full_unstemmed | Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie eingereicht von Frank Wischmeyer |
| title_short | Siliziumkarbid-CVD in Horizontalflussreaktoren mit Substratrotation |
| title_sort | siliziumkarbid cvd in horizontalflussreaktoren mit substratrotation aspekte der homo und heteroepitaxie |
| title_sub | Aspekte der Homo- und Heteroepitaxie |
| topic | Hochschulschrift gtt Chemischer Reaktor (DE-588)4121085-2 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Hochtemperaturtechnik (DE-588)4160291-2 gnd Hexagonaler Kristall (DE-588)4312570-0 gnd Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Heteroepitaxie (DE-588)4260178-2 gnd Kubisches Gitter (DE-588)4314776-8 gnd CVD-Verfahren (DE-588)4009846-1 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd Homoepitaxie (DE-588)4457865-9 gnd |
| topic_facet | Hochschulschrift Chemischer Reaktor Silicium Hochtemperaturtechnik Hexagonaler Kristall Halbleitersubstrat Heteroepitaxie Kubisches Gitter CVD-Verfahren Siliciumcarbid Homoepitaxie |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009935685&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT wischmeyerfrank siliziumkarbidcvdinhorizontalflussreaktorenmitsubstratrotationaspektederhomoundheteroepitaxie |