Abtragen von Silizium mit ultrakurzen Laserpulsen:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
2002
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Fortschrittberichte VDI
Reihe 2, Betriebstechnik ; 609 |
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I
INHALTSVERZEICHNIS
I
INHALTSVERZEICHNIS
.
III
II
FORMELZEICHEN,
NATURKONSTANTEN
UND
ABKUERZUNGEN.
.
VII
III
ABSTRACT
.
XIII
1
EINLEITUNG
.
1
2
STAND
DER
TECHNIK
UND
DES
WISSENS
_
3
2.1
K
RISTALLINE
H
ALBLEITER
.
3
2
2
L
ASERSTRAHLQUELLE
.
6
2.3
S
TRAHL
-S
TOFF
-W
ECHSELWIRKUNG
VON
ULTRAKURZEN
L
ASERPULSEN
MIT
H
ALBLEITERN
.
9
2.3.
1
ANREGUNG
VON
MATERIE
DURCH
LASERSTRAHLUNG
.
9
2.3.2
ANREGUNG
GEBUNDENER
VALENZELEKTRONEN
.
10
2.3.3
ANREGUNGFREIER
LEITUNGSBANDELEKTRONEN
.
11
2.3.4
WECHSELWIRKUNGEN
MIT
INDIREKTEN
HALBLEITERN
.
12
2.4
R
ELEVANTE
F
ERTIGUNGSVERFAHREN
ZUM
TRENNEN
VON
KRISTALLINEM
S
ILIZIUM
.
25
2.4.1
DICING.
.
26
2.4.2
WASSERSTRAHLGEFUEHRTES
LASERSTRAHLTRENNEN
.
28
2
4.3
DICING
BEFORE
GNNDMG
(DBG)
.
30
3
AUFGABENSTELLUNG
_
31
4
VERSUCHSTECHNIK
.
32
4.1
V
ORGEHENSWEISE
.
32
4.2
A
NALYSE
-
UND
A
USWERTETECHNIK
.32
4.2.1
MESSUNG
DER
PULSDSAUER
IM
FEMTOSEKUNDENBEREICH
.
32
4.2.2
LICHTOPTISCHES
MIKROSKOP
.
35
4.2.3
TAKTILE
VERFAHREN
.
35
4.2.4
REPUKA-TECHNIK.
.
36
4.2.5
VERFAHREN
ZUR
BEURTEILUNG
DER
TRENNFIIGENGEOMETNE
MITTELS
BILDVERARBEITUNG
.
37
5
BESTIMMUNG
DER
SIGNIFIKANTEN
EINFLUESSE
AUF
DIE
ABLATION
VON
SILIZIUM
MIT
ULTRAKURZEN
LASERPULSEN
.
39
5.1
V
ERSUCHSPLANUNG
.
39
5.1.1
MENSCH
.
40
5.1.2
MASCHINE
.
40
5.1.3
MATERIAL
.
44
5.1.4
MILIEU
.
45
5.1.5
METHODE
.
47
5.2
VERSUCHSAUFBAU
.
48
6
BEOBACHTUNGEN
UND
DISKUSSION
DER
ALLGEMEINEN
EINFLUBFAKTOREN
BEI
DER
BEARBEITUNG
VON
EINKRISTALLINEM
SILIZIUM
MIT
ULTRAKURZEN
LASERPULSEN
.
50
6.1
PULSENERGIE
Q
(FLUENZ
F)
.
50
6.2
P
OLARISATION
.54
6.3
K
RISTALLAUSRICHTUNG
{
HKL
}
.
74
6.4
S
UBSTRATTEMPERATUR
T,
.
75
6.5
M
ATERIALDICKES
.
76
6.6
S
TRAHLFORMUNG
.
79
6.6.1
ABBILDENDE
VERFAHREN
.
79
7
INDUSTRIELLE
RELEVANZ
.
91
7.1
A
KTUELLE
INDUSTRIELLE
A
PPLIKATIONEN
.
91
8
DISKUSSION
DER
FERTIGUNGSVERFAHREN
ZUM
TRENNEN
DUENNER
WAFER
AUS
EINKRISTALLINEM
SILIZIUM
.96
9
ZUSAMMENFASSUNG
UND
FOLGERUNGEN
FUER
DIE
PRAXIS
.
99
10
LITERATURVERZEICHNIS
.
109
11
ANHANG
.
102
11.1
S
TATISTISCHE
G
RUNDLAGEN
.
102
11.1.1
HYPOTHESENPRUEFUNG
.
102
11.1.2
PRUEFLING
DER
NORMALVERTEILUNG
.
104
11.1.3
AUSREISSERTEST
.
105
VI |
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