Holdings: Grundlagen der Elektronik

Grundlagen der Elektronik: Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen ; ein Lernbuch

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Bibliographic Details
Main Author:	Goßner, Stefan (Author)
Format:	Book
Language:	German
Published:	Aachen Shaker 2002
Edition:	2., korrigierte Aufl.
Series:	Berichte aus der Elektronik
Subjects:	Halbleiterelektronik Elektronisches Bauelement Elektronische Schaltung
Online Access:	Inhaltsverzeichnis
Physical Description:	getr. Zählung graph. Darst.
ISBN:	3826588258

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adam_text	STEFAN H. GOSSNER GRUNDLAGEN DER ELEKTRONIK HALBLEITER, BAUELEMENTE UND SCHALTUNGEN SHAKER-VERLAG INHALTSVERZEICHNIS 1 EINFUEHRUNG IN DIE PHYSIK DER HALBLEITER 1.1 EINORDNUNG DER HALBLEITER ZWISCHEN LEITERN UND ISOLATOREN 1.2 AUFBAU VON LEITERN UND HALBLEITERN 1.2. 1 AUFBAU DER ATOME 1.2.2 KRISTALLAUFBAU 1.3 LEITUNGSMECHANISMEN IN HALBLEITERN 1.3.1 EIGENLEITUNG (LEITUNGSMECHANISMEN IM REINEN HALBLEITER) 1.3.2 STOERSTELLENLEITUNG 1.3.3 ERKLAERUNG DER LEITUNGSMECHANISMEN IM HALBLEITER MIT ENERGIE-MODELLEN 1.3.4 ENERGIE-VERTEILUNG DER FREIEN ELEKTRONEN UND DER LOECHER 2 DER PN-UEBERGANG 2.1 DER PN-UEBERGANG OHNE AEUSSERE SPANNUNG 2. 1 . 1 DER IDEALE ABRUPTE PN-UEBERGANG 2.1.2 LADUNGSTRAEGERDICHTE 2.1.3 RAUMLADUNGSDICHTE 2.1.4 DIFTUSIONSSPANNUNG 2.1.5 SPERRSCHICHTWEITE 2.1.6 SPERRSCHICHTKAPAZITAET 2.1.7 ENERGIEBAENDER-MODELL DES PN-UEBERGANGES X2 DER PN-UEBERGANG MIT AEUSSERER SPANNUNG 2.2.1 SPERRPOLUNG 2.2.2 FLUSSPOLUNG 2.2.3 DURCHBRUCH BEI HOHER FELDSTAERKE IN SPERRPOLUNG 2.2.4 GESAMTKENNLINIE DES PN-UEBERGANGES 2.2.5 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER KENNLINIE 2.2.6 SCHALTVERHALTEN DES PN-UEBERGANGS 3 METALL-HALBLEITER-UEBERGAENGE , 3.1 SCHOTTKY-KONTAKT (SPERRSCHICHT-KONTAKT) 3.1.1 UEBERGANG VON N-HALBLEITER ZU METALL MIT GROESSERER AUSTRITTSARBEIT (W M WH) 3.1.2 UEBERGANG VON P-HALBLEITER ZU METALL MIT GERINGERER AUSTRITTSARBEIT (W M H ) 3.1.3 EIGENSCHAFTEN DES SCHOTTKY-KONTAKTS ' X2 OHMSCHER KONTAKT 3.2. 1 UEBERGANG VON N-HALBLEITER ZU METALL MIT KLEINERER AUSTRITTSARBEIT (W M WH) 3.2.2 UEBERGANG VON P-HALBLEITER ZU METALL MIT GROESSERER AUSTRITTSARBEIT (W M WH) 3.2.3 OHMSCHER KONTAKT DURCH HOCHDOTIERTE HALBLEITERZWISCHENSCHICHT DIE DIODE LL ALLGEMEINES 2 UNIVERSAL- UND RICHTDIODE 3 HOCHSPERRENDE LEISTUNGSDIODEN J44 SCHALTDIODEN DIE Z-DTODE KAPAZITAETSDIODE TUNNELDIODE BACKWARD-DLODE SCHOTTKY-DLODE WEITERE DLODENFORMEN 1-1 1-1 1-1 1-1 1-3 1-5 1-5 1-7 1-12 1-14 2-1 2-1 2-1 2-2 2-2 2-3 2-4 2-4 2-4 2-5 2-5 2-7 2-9 2-11 2-12 2-12 3-1 3-2 3-2 3-4 3-6 3-7 3-7 3-8 3-10 4-1 4-1 4-3 4-4 4-4 4-5 4-5 4-6 4-7 44 4-8 INHALTSVERZEICHNIS 5 STABILISIERUNGSSCHALTUNG MIT Z-DIODE 5.1 GRUNDSCHALTUNG 5.1.1 GRAPHISCHE SCHALTUNGSANALYSE 5.1.2 RECHNERISCHE SCHALTUNGSANALYSE (BETRIEB MIT GLEICHSPANNUNG) 5.2 BERECHNUNG VON GRENZWERTEN 5.2. 1 ZULAESSIGER ARBEITSBEREICH DER Z-DIODE 5.2.2 GRENZWERTE FUER DIE EINZELBAUELEMENTE 5.3 UEBERLAGERUNG VON GLEICH- UND WECHSELSPANNUNG 5.3.1 WELLIGKEIT DER STABILISIERTEN GLEICHSPANNUNG 5.3.2 VERLUSTLEISTUNG DER Z-DIODE 5.3.3 GENAUERE BETRACHTUNG DES DIFFERENTIELLEN WIDERSTANDES 6 NETZGLEICHRICHTER 6.1 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN OHNE GLAETTUNG (MIT OHMSCHER LAST) 6.1.1 EINWEGGLEICHRICHTER 6.1.2 ZWEIWEGGLEICHRICHTER - MITTELPUNKTSCHALTUNG 6.1.3 ZWEIWEGGLEICHRICHTER - BRUECKENGLEICHRICHTER (GRAETZ-GLEICHRICHTER) 6.1.4 GENAUERE BERECHNUNG DER ZWEIWEGGLEICHRICHTER 6.2 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN MIT GLAETTUNG 6.2.1 GLAETTUNGSARTEN 6.2.2 BERECHNUNG DES ZWEIWEGGLEICHRICHTERS MIT GLAETTUNGSKONDENSATOR 6.3 GLEICHRICHTER MIT PUFFERBATTERIE 5-1 5-1 5-1 5-4 5-6 5-6 5-7 5-11 5-11 5-12 5-12 6-1 6-1 6-1 6-3 6-5 6-6 6-8 6-9 6-10 6-16 7 DREHSTROMGLEICHRICHTER 7.1 MITTELPUNKT-SCHALTUNG (HALBBRUECKE) (3-PULSIGER GLEICHRICHTER) 7.2 DREHSTROM-BRIICKENGLELCHRICHTER (6-PULSIGER GLEICHRICHTER) 8 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG 8.1 SPANNUNGSVERDOPPELUNG MIT DER DELONSCHALTUNG 8.2 SPANNUNGSVERDOPPELUNG MIT VULARDSCHALTUNG &3 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG DURCH KASKADIERUNG DER VILLARDSCHALTUNG 9 DER BIPOLARE TRANSISTOR 9.1 AUFBAU UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 9.2 FUNKTIONSWEISE 9.2. 1 DER TRANSISTOREFFEKT 9.2.2 STROEMUNGSMECHANISMEN IM TRANSISTOR 9.2.3 EINFLUSS DER KOLLEKTOR-BASIS-SPANNUNG AUF DEN KOLLEKTORSTROM 93 SCHALTZEICHE N - RICHTUNGSPFEILE FUER STROEME UND SPANNUNGEN 9.4 TRANSISTOR-GRUNDSCHALTUNGEN 9.4.1 BASISSCHALTUNG 9.4.2 EMITTERSCHALTUNG 9.4.3 KOLLEKTORSCHALTUNG ' 9.4.4 UMRECHNUNG DER STROMVERSTAERKUNGEN 9.5 DARLINGTON- ODER SUPER-BETA-SCHALTUNG 10 ARBEITSPUNKT DES BIPOLAREN TRANSISTORS / GLEICHSTROMBETRIEB 18.1 EINSTELLUNG DES ARBELTSPUNKTES 10.1.1 EINPRAEGUNG DES BASISSTROMES 10.1.2 EINPRAEGUNG DER BASIS-EMITTER SPANNUNG 10.1.3 EINSTELLUNG DER KOLLEKTOR-EMITTER-SPANNUNG 7-1 7-1 7-3 8-1 8-1 8-2 8-4 9-1 9-1 9-3 9-3 9-6 9-7 9-8 9-8 9-8 9-10 9-13 9-14 9-14 10-1 10-1 10-2 10-2 10-3 U INHALTSVERZEICHNIS 10.2 STABILISIERUNG DES ARBELTSPUNKTES 10-3 10.2.1 ANFORDERUNGEN AN DIE STABILITAET DES ARBEITSPUNKTES 10-3 10.2.2 URSACHEN FUER ARBEITSPUNKT-VERSCHIEBUNGEN 10-3 10.2.3 GEGENKOPPLUNGSMASSNAHMEN ZUR ARBEITSPUNKT-STABILISIERUNG 10-4 10.2.4 VERFAHREN ZUR BERECHNUNG VON ABWEICHUNGEN DES ARBEITSPUNKTES 10-6 10.2.5 BERECHNUNG VON ABWEICHUNGEN DES ARBEITSPUNKTES EINER GEGEBENEN SCHALTUNG 10-7 10.2.6 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES BEI DER SCHALTUNGSDIMENSIONIERUNG 10-9 10.3 GLEICHSTROMBETRIEB DES BIPOLAREN TRANSISTORS - BEISPIELSCHALTUNGEN 10-11 10.3.1 KONSTANTSPANNUNGSQUELLE 10-11 10.3.2 KONSTANTSTROMQUELLE 10-12 11 DER BIPOLARE TRANSISTOR IM WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER 11-1 11.1 GRUNDSCHALTUNG EINES WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKERS IN EMITTERSCHALTUNG 11-1 11.1.1 PRINZIPIELLER AUFBAU UND FUNKTION 11-1 11.1.2 ANALYSE DES ARBEITSPUNKTES 11 -2 11.1.3 WECHSELSTROMANALYSE 11-2 11.1.4 VERZERRUNGEN UND BEGRENZUNGEN DES AUSGANGSSIGNALES (AUSSTEUERUNGSGRENZEN) 11-3 11.1.5 TECHNISCHE REALISIERUNG 11-5 11.2 RC-GEKOPPELTER WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN EMITTERSCHALTUNG 11-6 11 .2.1 DIMENSIONIERUNG DER SCHALTUNG 11-6 11.2.2 GRAFISCHE ANALYSE DES ARBEITSPUNKTES (GLEICHSTROM-ANALYSE) 11-8 11.2.3 GRAFISCHE ANALYSE DES WECHSELSTROM-VERHALTENS 11-11 11.2.4 BERECHNUNG DER WECHSELSTROMGROESSEN 11-14 11.2.5 WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKUNG BEI STROMGEGENKOPPLUNG 11-15 11.2.6 BERECHNUNG DER KONDENSATOREN 11-18 11.2.7 GESAMT-GRENZFREQUENZEN 11-21 11.3 RC-GEKOPPELTER WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN KOLLEKTORSCHALTUNG 11-23 11.3.1 DIMENSIONIERUNG DER SCHALTUNG 11-24 11.3.2 WECHSELSTROM-BERECHNUNGEN 11-26 11.3.3 BOOTSTRAPSCHALTUNG 11-29 11.4 RC-GEKOPPELTER WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN BASISSCHALTUNG 11-31 11.4.1 DIE SCHALTUNG 11-31 11.4.2 BERECHNUNG DER WECHSELSTROM-KENNGROESSEN 11-31 11.4.3 OBERE GRENZFREQUENZ DER BASISSCHALTUNG 11-32 11.5 VERGLEICH DER TRANSISTOR-GRUNDSCHALTUNGEN 11-33 11.6 TRANSISTORENDSTUFEN 11-33 12 DER BIPOLARE TRANSISTOR ALS SCHALTER 12-1 12.1 DER IDEALE SCHALTER (ZUM VERGLEICH) 12-1 12.2 DIE BETRIEBSZUSTAENDE DES TRANSISTOR-SCHALTERS 12-3 12.2.1 AUSGEWAEHLTE DETAILS AUS DER HALBLEITER-UND TRANSISTORPHYSIK 12-3 12.2.2 PRINZIPIELLE ANSTEUERUNGSVARIANTEN 12-4 12.2.3 DER GESPERRTE TRANSISTOR 12-5 12.2.4 DER LEITENDE TRANSISTOR (UNGESAETTIGT, UCB 0) 12-6 12.2.5 DER LEITENDE TRANSISTOR (GESAETTIGT) 12-9 12.2.6 KENNLINIEN-ARBEITSBEREICHE DES TRANSISTORS ALS SCHALTER 12-11 123 DAS DYNAMISCHE VERHALTEN 12-12 12.3.1 EINSCHALTVORGANG 12-12 12.3.2 DER AUSSCHALTVORGANG 12-15 12.4 MASSNAHMEN ZUR VERBESSERUNG DES SCHALTVERHALTENS 12-19 12.5 SCHALTVERLUSTLEISTUNG 12-21 12.6 TRANSISTORSCHALTER BEI OHMSCHER, KAPAZITIVER UND INDUKTIVER LAST 12-23 12.6.1 OHMSCHELAST 12-23 12.6.2 OHMISCH-INDUKTIVE LAST 12-23 12.6.3 OHMISCH-KAPAZITIVE LAST 12-25 12.7 TRANSISTOR IN DIGITALEN GRUNDSCHALTUNGEN 12-2 M INHALTSVERZEICHNIS 13 DER FELDEFFEKTTRANSISTOR (FET) 13.1 ALLGEMEINES / GRUNDPRINZIP 13.2 SPERRSCHICHT-FET 13.2.1 AUFBAU UND WIRKUNGSPRINZIP 13.2.2 EINFLUSS DER KANALSPANNUNG AUF DIE KENNLINIE 13.2.3 STEUERUNG UEBER DAS GATE 13.2.4 DIE KENNLINIEN DES SPERRSCHICHT-FET 133 IG-FET (ISOLATED GATE) 13.3.1 ANREICHERUNGSTYP 13.3.2 VERARMUNGSTYP 13.3.3 KURZKANALSTRUKTUREN - DER VMOS-FET 13.3.4 VORTEILE DER IG-FET 13.4 UEBERSICHT UEBER ALLE FET-TYPEN 13.5 FET ALS ANALOGSCHALTER 13.5.1 EIN-UND AUSSCHALTBEDINGUNGEN 13.5.2 GRUNDSCHALTUNG EINES FET-ANALOGSCHAITERS 13.5.3 VERBESSERTER EET-ANALOGSCHALTER 13.5.4 GEGENTAKT-FET-ANALOGSCHALTER 13.6 ARBEITSPUNKT-EINSTEUUNG - KONSTANTSTROMQUELLE (J-FET) 13.7 J-FET-WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER 13.7.1 SCHALTUNG DES J-FET-WS-VERSTAERKERS 13.7.2 WECHSELSTROM-ERSATZSCHALTBILD DES J-FET IN SOURCE-SCHALTUNG 13.7.3 BERECHNUNG DES WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKERS 13.8 CMOS-TECHNIK 13.8.1 CMOS-INVERTER 13.8.2 CMOS-NOR-GATTER 13.8.3 CMOS-NAND-GATTER 13.8.4 CMOS-UEBERTRAGUNGSGATTER 14 DER OPERATIONSVERSTAERKER 14.1 ALLGEMEINES 14.2 ANWENDUNGSBEISPIELE OHNE RUECKKOPPLUNG ODER MIT MITKOPPLUNG 14.2.1 KOMPARATOR 14.2.2 SCHMITT-TRIGGER 143 ANWENDUNGSBEISPIELE MIT GEGENKOPPLUNG 14.3.1 INVERTIERENDER VERSTAERKER 14.3.2 NICHT-INVERTIERENDER VERSTAERKER 14.3.3 ADDITION (MIT INVERSION) 14.3.4 SUBTRAKTION (DIFFERENZVERSTAERKER) 14.3.5 INTEGRATION 14.3.6 DIFFERENTIATION 14.3.7 TIEFPASS ODER VERZOEGERUNGSGLIED 1. ORDNUNG 14.3.8 HOCHPASS 14.3.9 BANDPASS 143.10 PI-REGLER 14 FEHLER-RECHNUN G 14.4. 1 FEHLER DURCH EINGANGS-OFFSET-SPANNUNG 14.4.2 FEHLER DURCH EINGANGSSTROEME (BIAS-STROEME) 14.43 FEHLER DURCH UNGLEICHHEIT DER EINGANGSSTROEME (EINGANGS-OFFSETSTROM) TU AAFTU UND FUNKTIONSWEISE EINES OPERATIONSVERSTAERKERS -' ]HS.L EINGANGSSTUFE '%2 KOPPELSTUFE " AOSGMGSSTUFE GNUNTSCHALNMG DES OP 741 13-1 13-1 13-1 13-1 13-2 13-4 13-5 13-6 13-6 13-9 13-10 13-11 13-11 13-12 13-12 13-12 13-14 13-15 13-16 13-18 13-18 13-18 13-19 13-20 13-20 13-20 13-21 13-22 14-1 14-1 14-4 14-4 14-5 144 14-7 14-9 14-10 14-11 14-12 14-13 14-14 14-16 I 14-17 14-18 14-191 14-191 14-201 14-211 14-221 14-2 14-2 14-2 14-31 INHALTSVERZEICHNIS 15 SPEZIELLE SCHALTUNGSBEISPIELE MIT OPERATIONSVERSTAERKERN 15.1 INSTRUMENTENVERSTAERKER 15.2 PRAEZISIONSGLEICHRICHTER 153 ABTAST-HALTE-GLIEDER (SAMPLE & HOLD - VERSTAERKER) 15.4 ASTABILER MULTIVLBRATOR 15.5 FENSTERKOMPARATOREN 15.6 MULAVIBRATOREN MIT DEM TUNER 555 15.7 FREQUENZ-SPANNUNGS- UND SPANNUNGS-FREQUENZ-WANDLER 15.8 DIGITAL-ANALOG- UND ANALOG-DIGITAL-UMSETZER DIGITAL-ANALOG-UMSETZER 15.8.1 15.8.2 ANALOG-DIGITAL-WANDLER 16 DER THYRISTOR 16.1 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE 16.2 HAUPTEINSATZGEBIETE 163 TRIAC 17 OPTOELEKTRISCHE BAUELEMENTE 17.1 FOTOWIDERSTAND (LDR) 17.2 FOTODIODE 17.2.1 PN-UEBERGANG UNTER LICHTEINWIRKUNG 17.2.2 DIODENBETRIEB DER FOTODIODE 17.2.3 FOTO-PIN-DIODE 17.2.4 FOTO-LAWINEN-DIODE (AVALANCHE-FOTODIODE) 17.2.5 ELEMENTBETRIEB DER FOTODIODE 17.2.6 SOLARZELLE 173 FOTOTRANSISTOR 17.4 LUMINESZENZ-DIODEN 173 DISPLAYS 17.5.1 LED-DISPLAYS 17.5.2 FLUESSIGKRISTALL-DISPLAYS 17.6 OPTOELEKTRONISCHE KOPPLER 17.6.1 OPTOKOPPLER (GESCHLOSSEN) 17.6.2 OPTOKOPPLER-LICHTSCHRANKEN 17.7 LASER-DIODEN 17.8 LICHTWELLENLEITER 18 HALBLEITERBAUELEMENTE OHNE PN-UEBERGANG (HOMOGENE HALBLEITERBAUELEMENTE) 18.1 HEISSLEITER (NTC-WIDERSTAENDE) 18.2 KALTLEITER (PTC-WIDERSTAENDE) 183 VARISTOREN (VDR) * 18.4 FOTOWIDERSTAND (LDR) 183 FELDPLATTE (MDR) 18.6 HALLGENERATOR 18.7 DEHNUNGSMESSSTRELFEN 15-1 15-1 15-2 15-3 15-5 15-6 15-7 15-9 15-11 15-11 15-14 16-1 16-1 16-4 16-5 17-1 17-1 17-2 17-2 17-4 17-4 17-4 17-5 17-6 17-7 17-8 17-9 17-9 17-9 17-10 17-10 17-11 17-12 17-15 18-1 18-1 18-3 18-4 18-4 18-5 18-5 18-6 INHALTSVERZEICHNIS 19 GLEICHSPANNUNGSWANDLER 19.1 DROSSEL-AUFWAERTSWANDLER 19.2 DROSSEL-ABWAERTSWANDLER 193 DROSSEL-INVERSWANDLER 19.4 EINSCHWINGVORGAENGE 19-1 19-1 19-3 19-5 19-6 20 THERMISCHE PROBLEME / WAERMEABLEITUNG 20.1 TEMPERATURERHOEHUNG VON BAUELEMENTEN DURCH WAERMEFREISETZUNG 20.1.1 VERLUSTWAERME - VERLUSTLEISTUNG 20.1.2 WAERMEKAPAZITAET 20.2 WAERMEABLEITUNG 20.2.1 DER WAERMEWIDERSTAND 20.2.2 WAERMEWIDERSTAND BEI WAERMELEITUNG 20.2.3 WAERMEWIDERSTAND BEI KONVEKTION 20.2.4 WAERMESTRAHLUNG 20.2.5 KAHLFLAECHENBERECHNUNG 203 DER WAERMESTROMKREIS 20.4 BERECHNUNG DES WAERMESTROMKREISES 20.4.1 ANALOGIE THERMISCHER UND ELEKTRISCHER GROESSEN 20.4.2 BERECHNUNG VON TEMPERATUREN IM STATIONAEREN BETRIEB 20.4.3 REDUZIERUNG DER ZULAESSIGEN VERLUSTLEISTUNG BEI HOHER UMGEBUNGSTEMPERATUR 20.4.4 THERMISCHE AUSGLEICHSVORGAENGE 20-1 20-1 20-1 20-1 20-2 20-2 20-2 20-3 20-3 20-3 20-4 20-6 20-6 20-7 20-7 20-8 ANHANG A SCHALTUNGSANALYSE A.1 GRUNDLAGEN DER ZWEIPOLTHEORIE A.2 EINFACHE ZWEIPOLE A.2.1 PASSIVE ZWEIPOLE A.2.2 AKTIVE ZWEIPOLE A.2.2./ EINFACHE SPANNUNGSQUELLE A.2.2.2 EINFACHE STROMQUELLE A.2.2.3 AEQUIVALENZPRINZIP A3 ERSATZWIDERSTAND PASSIVER ZWEIPOLE A.3.1 BERECHNUNG BEI LINEAREN ELEMENTEN A.3.2 GRAFISCHES VERFAHREN BEI NICHTLINEAREN ELEMENTEN A.3.2.1 REIHENSCHALTUNG A.3.2.2 PARALLELSCHALTUNG A.3.3 LINEARISIERUNG VON KENNLINIEN A.4 ERSATZSCHALTUNG AKTIVER ZWEIPOLE A.4. 1 AKTIVE ZWEIPOLE MIT EINER QUELLE A.4.2 AKTIVE ZWEIPOLE MIT MEHREREN QUELLEN AS ZUSAMMENSCHALTUNG AKTIVER UND PASSIVER ZWEIPOLE A.5.1 DER LINEARE GRUNDSTROMKREIS A.5.2 DER NICHTLINEARE GRUNDSTROMKREIS - GRAFISCHES SCHNITTPUNKTVERFAHREN A,5.2.I NICHTLINEARER GLEICHSTROMKREIS A.5.2.2 STROMKREIS MIT ZEITVERAENDERLICHER QUELLENSPANNUNG A.5.2.3 UEBERLAGERUNG VON GLEICH- UND WECHSELSPANNUNG (GRAFISCHE SUPERPOSITION) A.5.3 STROMKREISE MIT BIPOLAREM TRANSISTOR A. 5.3.1 VIER-QUADRANTEN-KENNLINIENFELD A.5.3.2 ARBEITS-UEBERTRAGUNGSKENNLINIE A.5.3.3 GRAFISCHE ERMITTLUNG DES ARBEITSPUNKTES A.5.3.4 GRAFISCHE ANALYSE DES WECHSELSTROMVERHALTENS A-L AL A-LT A-LJ A- A4 A4 VI HNIS )LER TPOLTHEORLE MI - VIERPOLPARAMETER ER (HYBRID-PARAMETER) »RER VIERPOL JR DES TRANSISTORS / WAERMEABLEITUNG H-PARAMETER AUS DEN KENNLINIEN DES TRANSISTORS ENTEN DURCH WAERMEFREISETZUNG DATENBLAETTERN VON NF-TRANSISTOREN RUETTELTE NAEHERUNGSWERTE DER VIERPOLPARAMETER DES TRANSISTORS ILTUNG UNG B-L B-L B-3 B-3 B-4 B-5 B-5 B-7 B-8 B-9 B-9 B-JO MG IVENDETE GROESSENSYMBOLE UND SCHALTZEICHEN C-L SE L-L ES EHER GROESSEN STATIONAEREN BETRIEB STLEISTUNG BEI HOHER UMGEBUNGSTEMPEN LLYSE :AREN ELEMENTEN LEITEN ASSIVER ZWEIPOLE - GRAFISCHES SCHNITTPUNKTVERFAHREN IS :HER QUELLENSPANNUNG D WECHSELSPANNUNG (GRAFISCHE SUPEI STOER ELD IE EITSPUNKTES ELSTROMVERHALTENS VN
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