Grundlagen der Elektronik: Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen ; ein Lernbuch
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2002
|
| Ausgabe: | 2., korrigierte Aufl. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Elektronik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | getr. Zählung graph. Darst. |
| ISBN: | 3826588258 |
Internformat
MARC
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STEFAN H. GOSSNER GRUNDLAGEN DER ELEKTRONIK HALBLEITER, BAUELEMENTE UND
SCHALTUNGEN SHAKER-VERLAG INHALTSVERZEICHNIS 1 EINFUEHRUNG IN DIE PHYSIK
DER HALBLEITER 1.1 EINORDNUNG DER HALBLEITER ZWISCHEN LEITERN UND
ISOLATOREN 1.2 AUFBAU VON LEITERN UND HALBLEITERN 1.2. 1 AUFBAU DER
ATOME 1.2.2 KRISTALLAUFBAU 1.3 LEITUNGSMECHANISMEN IN HALBLEITERN 1.3.1
EIGENLEITUNG (LEITUNGSMECHANISMEN IM REINEN HALBLEITER) 1.3.2
STOERSTELLENLEITUNG 1.3.3 ERKLAERUNG DER LEITUNGSMECHANISMEN IM HALBLEITER
MIT ENERGIE-MODELLEN 1.3.4 ENERGIE-VERTEILUNG DER FREIEN ELEKTRONEN UND
DER LOECHER 2 DER PN-UEBERGANG 2.1 DER PN-UEBERGANG OHNE AEUSSERE SPANNUNG 2.
1 . 1 DER IDEALE ABRUPTE PN-UEBERGANG 2.1.2 LADUNGSTRAEGERDICHTE 2.1.3
RAUMLADUNGSDICHTE 2.1.4 DIFTUSIONSSPANNUNG 2.1.5 SPERRSCHICHTWEITE 2.1.6
SPERRSCHICHTKAPAZITAET 2.1.7 ENERGIEBAENDER-MODELL DES PN-UEBERGANGES X2
DER PN-UEBERGANG MIT AEUSSERER SPANNUNG 2.2.1 SPERRPOLUNG 2.2.2 FLUSSPOLUNG
2.2.3 DURCHBRUCH BEI HOHER FELDSTAERKE IN SPERRPOLUNG 2.2.4
GESAMTKENNLINIE DES PN-UEBERGANGES 2.2.5 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER
KENNLINIE 2.2.6 SCHALTVERHALTEN DES PN-UEBERGANGS 3
METALL-HALBLEITER-UEBERGAENGE , 3.1 SCHOTTKY-KONTAKT
(SPERRSCHICHT-KONTAKT) 3.1.1 UEBERGANG VON N-HALBLEITER ZU METALL MIT
GROESSERER AUSTRITTSARBEIT (W M WH) 3.1.2 UEBERGANG VON P-HALBLEITER ZU
METALL MIT GERINGERER AUSTRITTSARBEIT (W M H ) 3.1.3 EIGENSCHAFTEN DES
SCHOTTKY-KONTAKTS ' X2 OHMSCHER KONTAKT 3.2. 1 UEBERGANG VON N-HALBLEITER
ZU METALL MIT KLEINERER AUSTRITTSARBEIT (W M WH) 3.2.2 UEBERGANG VON
P-HALBLEITER ZU METALL MIT GROESSERER AUSTRITTSARBEIT (W M WH) 3.2.3
OHMSCHER KONTAKT DURCH HOCHDOTIERTE HALBLEITERZWISCHENSCHICHT DIE DIODE
LL ALLGEMEINES 2 UNIVERSAL- UND RICHTDIODE 3 HOCHSPERRENDE
LEISTUNGSDIODEN J*44 SCHALTDIODEN DIE Z-DTODE KAPAZITAETSDIODE
TUNNELDIODE BACKWARD-DLODE SCHOTTKY-DLODE WEITERE DLODENFORMEN 1-1 1-1
1-1 1-1 1-3 1-5 1-5 1-7 1-12 1-14 2-1 2-1 2-1 2-2 2-2 2-3 2-4 2-4 2-4
2-5 2-5 2-7 2-9 2-11 2-12 2-12 3-1 3-2 3-2 3-4 3-6 3-7 3-7 3-8 3-10 4-1
4-1 4-3 4-4 4-4 4-5 4-5 4-6 4-7 44 4-8 INHALTSVERZEICHNIS 5
STABILISIERUNGSSCHALTUNG MIT Z-DIODE 5.1 GRUNDSCHALTUNG 5.1.1 GRAPHISCHE
SCHALTUNGSANALYSE 5.1.2 RECHNERISCHE SCHALTUNGSANALYSE (BETRIEB MIT
GLEICHSPANNUNG) 5.2 BERECHNUNG VON GRENZWERTEN 5.2. 1 ZULAESSIGER
ARBEITSBEREICH DER Z-DIODE 5.2.2 GRENZWERTE FUER DIE EINZELBAUELEMENTE
5.3 UEBERLAGERUNG VON GLEICH- UND WECHSELSPANNUNG 5.3.1 WELLIGKEIT DER
STABILISIERTEN GLEICHSPANNUNG 5.3.2 VERLUSTLEISTUNG DER Z-DIODE 5.3.3
GENAUERE BETRACHTUNG DES DIFFERENTIELLEN WIDERSTANDES 6
NETZGLEICHRICHTER 6.1 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN OHNE GLAETTUNG (MIT
OHMSCHER LAST) 6.1.1 EINWEGGLEICHRICHTER 6.1.2 ZWEIWEGGLEICHRICHTER -
MITTELPUNKTSCHALTUNG 6.1.3 ZWEIWEGGLEICHRICHTER - BRUECKENGLEICHRICHTER
(GRAETZ-GLEICHRICHTER) 6.1.4 GENAUERE BERECHNUNG DER
ZWEIWEGGLEICHRICHTER 6.2 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN MIT GLAETTUNG 6.2.1
GLAETTUNGSARTEN 6.2.2 BERECHNUNG DES ZWEIWEGGLEICHRICHTERS MIT
GLAETTUNGSKONDENSATOR 6.3 GLEICHRICHTER MIT PUFFERBATTERIE 5-1 5-1 5-1
5-4 5-6 5-6 5-7 5-11 5-11 5-12 5-12 6-1 6-1 6-1 6-3 6-5 6-6 6-8 6-9 6-10
6-16 7 DREHSTROMGLEICHRICHTER 7.1 MITTELPUNKT-SCHALTUNG (HALBBRUECKE)
(3-PULSIGER GLEICHRICHTER) 7.2 DREHSTROM-BRIICKENGLELCHRICHTER
(6-PULSIGER GLEICHRICHTER) 8 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG 8.1
SPANNUNGSVERDOPPELUNG MIT DER DELONSCHALTUNG 8.2 SPANNUNGSVERDOPPELUNG
MIT VULARDSCHALTUNG &3 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG DURCH KASKADIERUNG DER
VILLARDSCHALTUNG 9 DER BIPOLARE TRANSISTOR 9.1 AUFBAU UND
HERSTELLUNGSVERFAHREN 9.2 FUNKTIONSWEISE 9.2. 1 DER TRANSISTOREFFEKT
9.2.2 STROEMUNGSMECHANISMEN IM TRANSISTOR 9.2.3 EINFLUSS DER
KOLLEKTOR-BASIS-SPANNUNG AUF DEN KOLLEKTORSTROM 93 SCHALTZEICHE N -
RICHTUNGSPFEILE FUER STROEME UND SPANNUNGEN 9.4
TRANSISTOR-GRUNDSCHALTUNGEN 9.4.1 BASISSCHALTUNG 9.4.2 EMITTERSCHALTUNG
9.4.3 KOLLEKTORSCHALTUNG ' 9.4.4 UMRECHNUNG DER STROMVERSTAERKUNGEN 9.5
DARLINGTON- ODER SUPER-BETA-SCHALTUNG 10 ARBEITSPUNKT DES BIPOLAREN
TRANSISTORS / GLEICHSTROMBETRIEB 18.1 EINSTELLUNG DES ARBELTSPUNKTES
10.1.1 EINPRAEGUNG DES BASISSTROMES 10.1.2 EINPRAEGUNG DER BASIS-EMITTER
SPANNUNG 10.1.3 EINSTELLUNG DER KOLLEKTOR-EMITTER-SPANNUNG 7-1 7-1 7-3
8-1 8-1 8-2 8-4 9-1 9-1 9-3 9-3 9-6 9-7 9-8 9-8 9-8 9-10 9-13 9-14 9-14
10-1 10-1 10-2 10-2 10-3 U INHALTSVERZEICHNIS 10.2 STABILISIERUNG DES
ARBELTSPUNKTES 10-3 10.2.1 ANFORDERUNGEN AN DIE STABILITAET DES
ARBEITSPUNKTES 10-3 10.2.2 URSACHEN FUER ARBEITSPUNKT-VERSCHIEBUNGEN 10-3
10.2.3 GEGENKOPPLUNGSMASSNAHMEN ZUR ARBEITSPUNKT-STABILISIERUNG 10-4
10.2.4 VERFAHREN ZUR BERECHNUNG VON ABWEICHUNGEN DES ARBEITSPUNKTES 10-6
10.2.5 BERECHNUNG VON ABWEICHUNGEN DES ARBEITSPUNKTES EINER GEGEBENEN
SCHALTUNG 10-7 10.2.6 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES BEI DER
SCHALTUNGSDIMENSIONIERUNG 10-9 10.3 GLEICHSTROMBETRIEB DES BIPOLAREN
TRANSISTORS - BEISPIELSCHALTUNGEN 10-11 10.3.1 KONSTANTSPANNUNGSQUELLE
10-11 10.3.2 KONSTANTSTROMQUELLE 10-12 11 DER BIPOLARE TRANSISTOR IM
WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER 11-1 11.1 GRUNDSCHALTUNG EINES
WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKERS IN EMITTERSCHALTUNG 11-1 11.1.1
PRINZIPIELLER AUFBAU UND FUNKTION 11-1 11.1.2 ANALYSE DES ARBEITSPUNKTES
11 -2 11.1.3 WECHSELSTROMANALYSE 11-2 11.1.4 VERZERRUNGEN UND
BEGRENZUNGEN DES AUSGANGSSIGNALES (AUSSTEUERUNGSGRENZEN) 11-3 11.1.5
TECHNISCHE REALISIERUNG 11-5 11.2 RC-GEKOPPELTER
WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN EMITTERSCHALTUNG 11-6 11 .2.1
DIMENSIONIERUNG DER SCHALTUNG 11-6 11.2.2 GRAFISCHE ANALYSE DES
ARBEITSPUNKTES (GLEICHSTROM-ANALYSE) 11-8 11.2.3 GRAFISCHE ANALYSE DES
WECHSELSTROM-VERHALTENS 11-11 11.2.4 BERECHNUNG DER WECHSELSTROMGROESSEN
11-14 11.2.5 WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKUNG BEI STROMGEGENKOPPLUNG 11-15
11.2.6 BERECHNUNG DER KONDENSATOREN 11-18 11.2.7 GESAMT-GRENZFREQUENZEN
11-21 11.3 RC-GEKOPPELTER WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN
KOLLEKTORSCHALTUNG 11-23 11.3.1 DIMENSIONIERUNG DER SCHALTUNG 11-24
11.3.2 WECHSELSTROM-BERECHNUNGEN 11-26 11.3.3 BOOTSTRAPSCHALTUNG 11-29
11.4 RC-GEKOPPELTER WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN BASISSCHALTUNG 11-31
11.4.1 DIE SCHALTUNG 11-31 11.4.2 BERECHNUNG DER WECHSELSTROM-KENNGROESSEN
11-31 11.4.3 OBERE GRENZFREQUENZ DER BASISSCHALTUNG 11-32 11.5 VERGLEICH
DER TRANSISTOR-GRUNDSCHALTUNGEN 11-33 11.6 TRANSISTORENDSTUFEN 11-33 12
DER BIPOLARE TRANSISTOR ALS SCHALTER 12-1 12.1 DER IDEALE SCHALTER (ZUM
VERGLEICH) 12-1 12.2 DIE BETRIEBSZUSTAENDE DES TRANSISTOR-SCHALTERS 12-3
12.2.1 AUSGEWAEHLTE DETAILS AUS DER HALBLEITER-UND TRANSISTORPHYSIK 12-3
12.2.2 PRINZIPIELLE ANSTEUERUNGSVARIANTEN 12-4 12.2.3 DER GESPERRTE
TRANSISTOR 12-5 12.2.4 DER LEITENDE TRANSISTOR (UNGESAETTIGT, UCB 0) 12-6
12.2.5 DER LEITENDE TRANSISTOR (GESAETTIGT) 12-9 12.2.6
KENNLINIEN-ARBEITSBEREICHE DES TRANSISTORS ALS SCHALTER 12-11 123 DAS
DYNAMISCHE VERHALTEN 12-12 12.3.1 EINSCHALTVORGANG 12-12 12.3.2 DER
AUSSCHALTVORGANG 12-15 12.4 MASSNAHMEN ZUR VERBESSERUNG DES
SCHALTVERHALTENS 12-19 12.5 SCHALTVERLUSTLEISTUNG 12-21 12.6
TRANSISTORSCHALTER BEI OHMSCHER, KAPAZITIVER UND INDUKTIVER LAST 12-23
12.6.1 OHMSCHELAST 12-23 12.6.2 OHMISCH-INDUKTIVE LAST 12-23 12.6.3
OHMISCH-KAPAZITIVE LAST 12-25 12.7 TRANSISTOR IN DIGITALEN
GRUNDSCHALTUNGEN 12-2 M INHALTSVERZEICHNIS 13 DER FELDEFFEKTTRANSISTOR
(FET) 13.1 ALLGEMEINES / GRUNDPRINZIP 13.2 SPERRSCHICHT-FET 13.2.1
AUFBAU UND WIRKUNGSPRINZIP 13.2.2 EINFLUSS DER KANALSPANNUNG AUF DIE
KENNLINIE 13.2.3 STEUERUNG UEBER DAS GATE 13.2.4 DIE KENNLINIEN DES
SPERRSCHICHT-FET 133 IG-FET (ISOLATED GATE) 13.3.1 ANREICHERUNGSTYP
13.3.2 VERARMUNGSTYP 13.3.3 KURZKANALSTRUKTUREN - DER VMOS-FET 13.3.4
VORTEILE DER IG-FET 13.4 UEBERSICHT UEBER ALLE FET-TYPEN 13.5 FET ALS
ANALOGSCHALTER 13.5.1 EIN-UND AUSSCHALTBEDINGUNGEN 13.5.2 GRUNDSCHALTUNG
EINES FET-ANALOGSCHAITERS 13.5.3 VERBESSERTER EET-ANALOGSCHALTER 13.5.4
GEGENTAKT-FET-ANALOGSCHALTER 13.6 ARBEITSPUNKT-EINSTEUUNG -
KONSTANTSTROMQUELLE (J-FET) 13.7 J-FET-WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER 13.7.1
SCHALTUNG DES J-FET-WS-VERSTAERKERS 13.7.2 WECHSELSTROM-ERSATZSCHALTBILD
DES J-FET IN SOURCE-SCHALTUNG 13.7.3 BERECHNUNG DES
WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKERS 13.8 CMOS-TECHNIK 13.8.1 CMOS-INVERTER
13.8.2 CMOS-NOR-GATTER 13.8.3 CMOS-NAND-GATTER 13.8.4
CMOS-UEBERTRAGUNGSGATTER 14 DER OPERATIONSVERSTAERKER 14.1 ALLGEMEINES
14.2 ANWENDUNGSBEISPIELE OHNE RUECKKOPPLUNG ODER MIT MITKOPPLUNG 14.2.1
KOMPARATOR 14.2.2 SCHMITT-TRIGGER 143 ANWENDUNGSBEISPIELE MIT
GEGENKOPPLUNG 14.3.1 INVERTIERENDER VERSTAERKER 14.3.2
NICHT-INVERTIERENDER VERSTAERKER 14.3.3 ADDITION (MIT INVERSION) 14.3.4
SUBTRAKTION (DIFFERENZVERSTAERKER) 14.3.5 INTEGRATION 14.3.6
DIFFERENTIATION 14.3.7 TIEFPASS ODER VERZOEGERUNGSGLIED 1. ORDNUNG 14.3.8
HOCHPASS 14.3.9 BANDPASS 143.10 PI-REGLER 1*4 FEHLER-RECHNUN G 14.4. 1
FEHLER DURCH EINGANGS-OFFSET-SPANNUNG 14.4.2 FEHLER DURCH EINGANGSSTROEME
(BIAS-STROEME) 14.43 FEHLER DURCH UNGLEICHHEIT DER EINGANGSSTROEME
(EINGANGS-OFFSETSTROM) TU AAFTU UND FUNKTIONSWEISE EINES
OPERATIONSVERSTAERKERS -' ]HS.L EINGANGSSTUFE '%*2 KOPPELSTUFE ***"**
AOSGMGSSTUFE GNUNTSCHALNMG DES OP 741 13-1 13-1 13-1 13-1 13-2 13-4 13-5
13-6 13-6 13-9 13-10 13-11 13-11 13-12 13-12 13-12 13-14 13-15 13-16
13-18 13-18 13-18 13-19 13-20 13-20 13-20 13-21 13-22 14-1 14-1 14-4
14-4 14-5 144 14-7 14-9 14-10 14-11 14-12 14-13 14-14 14-16 I 14-17
14-18 14-191 14-191 14-201 14-211 14-221 14-2 14-2 14-2 14-31
INHALTSVERZEICHNIS 15 SPEZIELLE SCHALTUNGSBEISPIELE MIT
OPERATIONSVERSTAERKERN 15.1 INSTRUMENTENVERSTAERKER 15.2
PRAEZISIONSGLEICHRICHTER 153 ABTAST-HALTE-GLIEDER (SAMPLE & HOLD -
VERSTAERKER) 15.4 ASTABILER MULTIVLBRATOR 15.5 FENSTERKOMPARATOREN 15.6
MULAVIBRATOREN MIT DEM TUNER 555 15.7 FREQUENZ-SPANNUNGS- UND
SPANNUNGS-FREQUENZ-WANDLER 15.8 DIGITAL-ANALOG- UND
ANALOG-DIGITAL-UMSETZER DIGITAL-ANALOG-UMSETZER 15.8.1 15.8.2
ANALOG-DIGITAL-WANDLER 16 DER THYRISTOR 16.1 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE
16.2 HAUPTEINSATZGEBIETE 163 TRIAC 17 OPTOELEKTRISCHE BAUELEMENTE 17.1
FOTOWIDERSTAND (LDR) 17.2 FOTODIODE 17.2.1 PN-UEBERGANG UNTER
LICHTEINWIRKUNG 17.2.2 DIODENBETRIEB DER FOTODIODE 17.2.3 FOTO-PIN-DIODE
17.2.4 FOTO-LAWINEN-DIODE (AVALANCHE-FOTODIODE) 17.2.5 ELEMENTBETRIEB
DER FOTODIODE 17.2.6 SOLARZELLE 173 FOTOTRANSISTOR 17.4
LUMINESZENZ-DIODEN 173 DISPLAYS 17.5.1 LED-DISPLAYS 17.5.2
FLUESSIGKRISTALL-DISPLAYS 17.6 OPTOELEKTRONISCHE KOPPLER 17.6.1
OPTOKOPPLER (GESCHLOSSEN) 17.6.2 OPTOKOPPLER-LICHTSCHRANKEN 17.7
LASER-DIODEN 17.8 LICHTWELLENLEITER 18 HALBLEITERBAUELEMENTE OHNE
PN-UEBERGANG (HOMOGENE HALBLEITERBAUELEMENTE) 18.1 HEISSLEITER
(NTC-WIDERSTAENDE) 18.2 KALTLEITER (PTC-WIDERSTAENDE) 183 VARISTOREN (VDR)
* 18.4 FOTOWIDERSTAND (LDR) 183 FELDPLATTE (MDR) 18.6 HALLGENERATOR 18.7
DEHNUNGSMESSSTRELFEN 15-1 15-1 15-2 15-3 15-5 15-6 15-7 15-9 15-11 15-11
15-14 16-1 16-1 16-4 16-5 17-1 17-1 17-2 17-2 17-4 17-4 17-4 17-5 17-6
17-7 17-8 17-9 17-9 17-9 17-10 17-10 17-11 17-12 17-15 18-1 18-1 18-3
18-4 18-4 18-5 18-5 18-6 INHALTSVERZEICHNIS 19 GLEICHSPANNUNGSWANDLER
19.1 DROSSEL-AUFWAERTSWANDLER 19.2 DROSSEL-ABWAERTSWANDLER 193
DROSSEL-INVERSWANDLER 19.4 EINSCHWINGVORGAENGE 19-1 19-1 19-3 19-5 19-6
20 THERMISCHE PROBLEME / WAERMEABLEITUNG 20.1 TEMPERATURERHOEHUNG VON
BAUELEMENTEN DURCH WAERMEFREISETZUNG 20.1.1 VERLUSTWAERME -
VERLUSTLEISTUNG 20.1.2 WAERMEKAPAZITAET 20.2 WAERMEABLEITUNG 20.2.1 DER
WAERMEWIDERSTAND 20.2.2 WAERMEWIDERSTAND BEI WAERMELEITUNG 20.2.3
WAERMEWIDERSTAND BEI KONVEKTION 20.2.4 WAERMESTRAHLUNG 20.2.5
KAHLFLAECHENBERECHNUNG 203 DER WAERMESTROMKREIS 20.4 BERECHNUNG DES
WAERMESTROMKREISES 20.4.1 ANALOGIE THERMISCHER UND ELEKTRISCHER GROESSEN
20.4.2 BERECHNUNG VON TEMPERATUREN IM STATIONAEREN BETRIEB 20.4.3
REDUZIERUNG DER ZULAESSIGEN VERLUSTLEISTUNG BEI HOHER UMGEBUNGSTEMPERATUR
20.4.4 THERMISCHE AUSGLEICHSVORGAENGE 20-1 20-1 20-1 20-1 20-2 20-2 20-2
20-3 20-3 20-3 20-4 20-6 20-6 20-7 20-7 20-8 ANHANG A SCHALTUNGSANALYSE
A.1 GRUNDLAGEN DER ZWEIPOLTHEORIE A.2 EINFACHE ZWEIPOLE A.2.1 PASSIVE
ZWEIPOLE A.2.2 AKTIVE ZWEIPOLE A.2.2./ EINFACHE SPANNUNGSQUELLE A.2.2.2
EINFACHE STROMQUELLE A.2.2.3 AEQUIVALENZPRINZIP A3 ERSATZWIDERSTAND
PASSIVER ZWEIPOLE A.3.1 BERECHNUNG BEI LINEAREN ELEMENTEN A.3.2
GRAFISCHES VERFAHREN BEI NICHTLINEAREN ELEMENTEN A.3.2.1 REIHENSCHALTUNG
A.3.2.2 PARALLELSCHALTUNG A.3.3 LINEARISIERUNG VON KENNLINIEN A.4
ERSATZSCHALTUNG AKTIVER ZWEIPOLE A.4. 1 AKTIVE ZWEIPOLE MIT EINER QUELLE
A.4.2 AKTIVE ZWEIPOLE MIT MEHREREN QUELLEN AS ZUSAMMENSCHALTUNG AKTIVER
UND PASSIVER ZWEIPOLE A.5.1 DER LINEARE GRUNDSTROMKREIS A.5.2 DER
NICHTLINEARE GRUNDSTROMKREIS - GRAFISCHES SCHNITTPUNKTVERFAHREN A,5.2.I
NICHTLINEARER GLEICHSTROMKREIS A.5.2.2 STROMKREIS MIT ZEITVERAENDERLICHER
QUELLENSPANNUNG A.5.2.3 UEBERLAGERUNG VON GLEICH- UND WECHSELSPANNUNG
(GRAFISCHE SUPERPOSITION) A.5.3 STROMKREISE MIT BIPOLAREM TRANSISTOR A.
5.3.1 VIER-QUADRANTEN-KENNLINIENFELD A.5.3.2
ARBEITS-UEBERTRAGUNGSKENNLINIE A.5.3.3 GRAFISCHE ERMITTLUNG DES
ARBEITSPUNKTES A.5.3.4 GRAFISCHE ANALYSE DES WECHSELSTROMVERHALTENS A-L
AL A-LT A-LJ A- A4 A4 VI HNIS )LER TPOLTHEORLE MI - VIERPOLPARAMETER ER
(HYBRID-PARAMETER) »RER VIERPOL JR DES TRANSISTORS / WAERMEABLEITUNG
H-PARAMETER AUS DEN KENNLINIEN DES TRANSISTORS ENTEN DURCH
WAERMEFREISETZUNG DATENBLAETTERN VON NF-TRANSISTOREN RUETTELTE
NAEHERUNGSWERTE DER VIERPOLPARAMETER DES TRANSISTORS ILTUNG UNG B-L B-L
B-3 B-3 B-4 B-5 B-5 B-7 B-8 B-9 B-9 B-JO MG IVENDETE GROESSENSYMBOLE UND
SCHALTZEICHEN C-L SE L-L ES EHER GROESSEN STATIONAEREN BETRIEB STLEISTUNG
BEI HOHER UMGEBUNGSTEMPEN LLYSE :AREN ELEMENTEN LEITEN ASSIVER ZWEIPOLE
- GRAFISCHES SCHNITTPUNKTVERFAHREN IS :HER QUELLENSPANNUNG D
WECHSELSPANNUNG (GRAFISCHE SUPEI STOER ELD IE EITSPUNKTES
ELSTROMVERHALTENS VN |
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