Metallorganische Gasphasenepitaxie von (Ga, In, Al)N-Halbleiterschichten auf Silizium-Substraten:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Wiss.-und-Technik-Verl.
2002
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Berlin studies in solid state physics
9 |
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INHALT
1.
EINLEITUNG
1
2.
MATERLAIEIGENSCHAFTEN
7
2.1.
KRISTALLSTRUKTUR
7
2.2.
PHYSIKALISCHE
EIGENSCHAFTEN
9
2.3.
TERNAERE
VERBINDUNGEN
12
2.3.1.
AIGAN
12
2.3.2.
INGAN
13
2.4.
GITTERFEHLANPASSUNG
1S
2.5.
THERMISCHE
FEHLANPASSUNG
16
2.6.
DEFEKTE
IM
GAN
16
3.
MOCVD
-
WACHSTUMSPROZESSE
FUER
(LN,GA,AI)N
AUF
FREMDSUBSTRATEN
19
3.1.
ALLGEMEINES
KONZEPT
DES
WACHSTUMS
19
3.2.
NUKLEATLONSSCHLCHTEN
21
3.3.
GAN-WACHSTUM
22
3.4.
AIGAN-WACHSTUM
24
3.5.
INGAN-WACHSTUM
25
4.
EXPERIMENTELLE
METHODEN
29
4.1.
AUFBAU
DER
MOCVD-ANLAGE
29
4.2.
OBERFLAECHENANALYSE
31
4.3.
KRISTALLSTRUKTURANALYSE
32
4.4.
LUMINESZENZTECHNIKEN
33
4.5.
SEKUNDAERIONENMASSENSPEKTROSKOPLE
37
4.6.
ELEKTRISCHE
METHODEN
37
4.6.1.
PN-DIODEN
39
4.6.2.
OHMSCHE
KONTAKTE
41
5.
HETEROEPITAXIE
VON
GAN
AUF
SL-SUBSTRATEN
43
5.1.
BESONDERHEITEN
VON
SL-SUBSTRATEN
44
5.2.
NUKLEATION
47
5.2.1.
GAN
UND
AIN-NUKLEATLONEN
48
5.2.2.
ZNO-NUKLEATION
49
5.2.3.
ALAS-NUKLEATION
53
5.3.
MECHANISMEN
DER
UMWANDLUNG
VON
ALAS
IN
AIN
55
5.4.
OPTIMIERUNG
DES
ALAS/AIN
-
NUKLEATIONSPROZESSES
59
5.5.
QUALITAET
VON
GAN-SCHICHTEN
AUF
SL-SUBSTRATEN
63
5.5.1.
SI(1
OO)-SUBSTRATE
64
5.5.2.
SI(111)-SUBSTRATE
65
5.6.
DISKUSSION
74
6.
DOTIERUNG
VON
GAN
77
6.1.
HINTERGRUNDDOTIERUNG
77
6.2.
N-DOTIERUNG
79
6.3.
P-DOTIERUNG
81
6.4.
DISKUSSION
87
7.
WACHSTUM
TERNAERER
SCHICHTEN
89
7.1.
AIGAN
89
7.2.
INGAN
94
7.3.
DISKUSSION
104
8.
LED-STRUKTUREN
105
8.1.
AUFBAU
DER
LED-STRUKTUREN
106
8.2.
WACHSTUM
107
8.3.
KONTAKTIERUNG
108
8.4.
CHARAKTERISIERUNG
111
8.5.
DISKUSSION
116
9.
WACHSTUM
AUF
STRUKTURIERTEN
SL(111)-SUBSTRATEN
119
9.1.
METHODEN
DER
VERSETZUNGSREDUKTION
120
9.2.
MECHANISMEN
DES
LATERALEN
GAN-WACHSTUMS
121
9.3.
VERSETZUNGSREDUKTION
DURCH
LATERALES
WACHSTUM
123
9.4.
HERSTELLUNG
STRUKTURLERTERSI(111)-SUBSTRATE
124
9.5.
WACHSTUM
126
9.6.
CHARAKTERISIERUNG
128
9.6.1.
GRABENORIENTIERUNG
PARALLEL
SI[110]
128
9.6.2.
GRABENORIENTIERUNG
PARALLEL
SI[1
12]132
9.7.
DISKUSSION
136
10.
ZUSAMMENFASSUNG
137
LITERATURVERZEICHNIS
145 |
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