Halbleiterlaser mit verteilter komplexer Rückkopplung:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2002
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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| Beschreibung: | Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 2002 |
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HALBLEITERLASER
MIT
VERTEILTER
KOMPLEXER
RUECKKOPPLUNG
INHALTSVERZEICHNIS:
HAEUFIG
VERWENDETE
ABKUERZUNGEN
7
VEROEFFENTLICHUNGEN
8
ZUSAMMENFASSUNG
/
ABSTRACT
9
1.
EINFUEHRUNG
13
2.
GRUNDLAGEN
17
2.1
HALBLEITERLASER
FILR
DIE OPTISCHE
NACHRICHTENUEBERTRAGUNG
17
2.2
FUNKTIONSWEISE
EINES
HALBLEITERLASERS
17
2.3
KENNGROESSEN
VON
HALBLEITERLASEM
19
2.3.1
SCHWELLSTROM
19
2.3.2
DOPPEL-HETEROSTRUKTUR-HALBLEITERLASER,
QUANTENFILMLASER
22
2.4
THEORETISCHE
BETRACHTUNG
DER
VERTEILTEN
KOMPLEXEN
RUECKKOPPLUNG
29
2.4.1
WELLENLAENGENSELEKTION:
BRAGG-BEDINGUNG
31
2.4.2
MOEGLICHKEITEN
DER
THEORETISCHEN
BESCHREIBUNG
DER
VERTEILTEN
'
RUECKKOPPLUNG
32
2.4.2.1
NUMERISCH:
MATRIXTHEORIE
33
2.4.2.2
ANALYTISCH:
THEORIE
GEKOPPELTER
MODEN
35
2.4.3
REINE
INDEX
UND
REINE
VERSTAERKUNGSKOPPLUNG
38
2.4.4
KOMPLEXE
KOPPLUNG
43
2.4.5
EINFLUSS
DER
SPALTKANTEN
47
2.4.5
WELLENLAENGENSCHALTBARE
LASER
MIT
VERTEILTER
RUECKKOPPLUNG
53
2.5
LASERDYNAMIK
59
2.5.1
STATIONAERER
BETRIEB
60
2.5.2
MODULATIONSEIGENSCHAFTEN
VON
HALBLEITERLASEM
61
2.6
LINIENBREITE
VON
HALBLEITERLASEM
66
3.
REALISIERUNG
VON
KOMPLEX
GEKOPPELTEN
HALBLEITERLASERN
71
3.1
EPITAXIE DER
VERTIKALSTRUKUR
71
3.2
ELEKTRISCHE
KONTAKTIERUNG
71
3.3
BAUFORMEN
VON
HALBLEITERLASEM
74
3.3.1
BREITSTREIFENLASER ZUR
MATERIALCHARAKTERISIERUNG
74
3.3.2
RIPPENWELLENLEITERLASER
75
3.3.3
LASER
MIT
VERGRABENER
HETEROSTRUKTUR
75
3.4
LASER
MIT
LONGITUDINALER
VERTEILTER
RUECKKOPPLUNG
77
3.4.1
REALISIERUNG DER
GITTERSTRUKTUR
77
3.4.2
HERSTELLUNG
DER
KOMPLEXEN
KOPPLUNG
DURCH
EPITAKTISCHES
EINBETTEN
GEAETZTER
STRUKTUREN
78
3.5
LASER
MIT
LATERALER
VERTEILTER
RUECKKOPPLUNG
81
3.5.1
RIPPENWELLENLEITERLASER
MIT
SELBSTJUSTIERENDEN
P-KONTAKTEN
81
3.5.2
REALISIERUNG
VON
GITTERSTRUKTUREN
AUF
NICHTPLANAREN
OBERFLAECHEN
83
3.5.3
EINBETTEN
DER
STRUKTUREN
IN
PHOTOPOLYMER
UND
HERSTELLUNG
DES
STREIFENLEITERKONTAKTS
84
3.6
REALISIERUNG
DER
VERTEILTEN RUECKKOPPLUNG
DURCH
TIEFGEAETZTE,
KONTAKTIERTE
BRAGG-GITTER
87
3.7
WELLENLAENGENSCHALTBARE
LASER:
MEHRSEGMENTLASER
88
4.
CHARAKTERISIERUNG
VON
KOMPLEX
GEKOPPELTEN
HALBLEITERLASERN
91
4.1
HALBLEITERLASER
MIT
LONGITUDINALER
VERTEILTER
RUECKKOPPLUNG
91
4.1.1
DFB
LASER
MIT
EPITAKTISCH
EINGEBETTETEN
GITTERN
91
4.1.2
HALBLEITERLASER
MIT
TIEFGEAETZTEN
KONTAKTIERTEN
BRAGG-GITTEM
99
4.2
BESTIMMUNG
DER
LINIENBREITE
VON
HALBLEITERLASEM
100
4.3
HALBLEITERLASER
MIT
LATERALER
VERTEILTER
RUECKKOPPLUNG
105
4.4
WELLENLAENGENSCHALTBARE
HALBLEITERLASER
109
4.4.1
WELLENLAENGENSCHALTBARE
LASER
MIT
AKTIVEM
BRAGG-SEGMENT
109
4.4.2
WELLENLAENGENSCHALTBARE
LASER
MIT
SUPERPERIODISCH
ABWECHSELNDEN
GITTERPERIODEN
113
4.5
HALBLEITERLASER
ALS
AKTIVE
WELLENLAENGENFILTER
115
5.
MODULATIONSEIGENSCHAFTEN
VON
KOMPLEX
GEKOPPELTEN
HALBLEITERLASERN
5.1
MESSUNG
DER
STROMMODULATIONSANTWORT
UNTER
KLEINSIGNALMODULATION
117
5.2
ERSATZSCHALTBILD
DES
LASERS
IM
DYNAMISCHEN
BETRIEB
119
5.3
MESSUNG
DER
STROMMODULATIONSANTWORT
DER
OPTISCHEN LEISTUNG
121
5.4
REDUZIERUNG
DER
PARASITAEREN
ELEKTRISCHEN
EFFEKTE
123
5.5
BESTIMMUNG
INTRINSISCHER
KENNGROESSEN
DER
KOMPLEX
GEKOPPELTEN
HALBLEITERLASER
AUS
DER
STROMMODULATIONSANTWORT
DER
OPTISCHEN
LEISTUNG
124
6.
AUSBLICK
127
6.1
WELLENLAENGENSCHALTBARE
LASER
FUER
WDM-ANWENDUNGEN
127
6.2
LASER-MODULATOR-INTEGRATION
FUER
HOHE
DATENUEBERTRAGUNGSRATEN
IN
TDM-ANWENDUNGEN
128
ANHANG
A.
FREIES
ELEKTRONENGAS
IM
KASTENPOTENTIAL
129
B.
AETZ-UND
BELICHTUNGSPROZESSE
131
C.
PROBENDATEN
133
D.
HERSTELLUNGSVERFAHREN
IM
DETAIL:
134
BREITSTREIFENLASER
MIT
CR/ZN/AU-KONTAKT
134
KOMPLEX
GEKOPPELTER
HALBLEITERLASER
MIT
METALLABSORPTIONSGITTER
135
LITERATURVERZEICHNIS
137
LEBENSLAUF
145 |
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