Chemical Vapour Deposition (CVD) für zukünftige Technologien in einem Cluster Tool:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2002
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2001 |
| Beschreibung: | III, 111 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
UEBERSICHT
III
1
EINLEITUNG
1
2
CVD-PROZESSE
UND
DUENNE
SCHICHTEN
3
2.1
GRUNDLAGEN
DER
CVD-ABSCHEIDUNG
.
3
2.2
EIGENSCHAFTEN
VON
CVD
.
5
2.3
THEORETISCHER
ANSATZ
FUER
CVD-ABSCHEIDUNGEN
.
10
2.3.1
ERHALTUNGSGLEICHUNGEN
FUER
MASSE,
IMPULS
UND
ENERGIE
.
10
2.3.2
GASPHASENREAKTIONEN
.
12
2.3.3
HETEROGENE
REAKTIONEN
-
KATALYT.
OBERFLAECHENREAKTIONEN
.
15
2.3.4
REACTIVE-STICKING-KOEFFIZIENT
7
.
16
2.4
ABSCHEIDUNGEN
MIT
SILAN
.
16
2.4.1
POLYSILIZIUM
.
17
2.4.1.1
UNDOTIERTE
ABSCHEIDUNG
AUS
SILAN
.
17
2.4.1.2
IN-SITU
DOTIERTE
ABSCHEIDUNG
.
20
2.4.2
SILIZIUMNITRID
.
22
2.5
GATEMATERIALIEN
.
24
2.5.1
MOS-FELDEFFEKTTRANSISITOR
.
24
2.5.2
NEUE
MATERIALIEN
.
27
3
HERSTELLUNG
DER
SCHICHTEN
IM
HOT
CLUSTER
29
3.1
VERSUCHSANLAGE
H
OT
C
LUSTER
.
30
3.1.1
ZENTRALPLATTFORM
.
31
3.1.2
VPC-MODUL
.
31
3.1.3
RTP-MODUL
.
33
3.1.4
POLYSILIZIUM-MODUL
.
33
3.1.4.1
DIE
PROZESSKAMMER
.
33
3.1.4.2
PROZESSABLAUF
.
35
3.1.5
NITRID-MODUL
.
37
II
INHALTSVERZEICHNIS
3.1.5.1
DIE
PROZESSKAMMER
.
37
3.1.5.2
PROZESSABLAUF
.
38
3.1.6
SONSTIGES
.
39
3.2
VERSUCHSSTRUKTUREN
.
40
3.2.1
SPEICHERKONDENSATOREN
.
41
3.2.2
GATESTACK
FUER
LOGIKLOS
.
43
4
POLYSILIZIUM
47
4.1
WACHSTUMSRATEN
.
47
4.2
EINFLUSS
DER
DOTIERSTOFFE
.
50
4.3
EINFLUSS
DES
TRAEGERGASES
.
58
4.4
AUSWIRKUNGEN
AUF
DEN
BRECHUNGSINDEX
.
59
4.5
SIMULATION
DER
REAKTORKAMMER
.
62
4.6
TIEFE
TRENCHES
.
65
4.7
HEMI-SPHERICAL
GRAIN
SILICON
-
HSG
.
71
4.8
ZUSAMMENFASSUNG
.
75
5
SILIZIUMNITRID
77
5.1
KONZEPTE
FUER
ABSCHEIDUNG
.
77
5.2
OXIDATIONSTESTS
.
78
5.3
MESSUNGEN
AUF
INTEGRIERTEN
BAUELEMENTEN
.
80
5.3.1
CV-MESSUNGEN
.
81
5.3.2
IV-KENNLINIEN
.
82
5.3.3
BEWEGLICHKEIT
/Z
.
88
5.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
91
6
AUSBLICK
93
A
ANHANG
95
A.L
KENNLINIENFELDER
FUER
NMOS
UND
PMOS
.
95
L
LITERATURVERZEICHNIS
101
D
DANKSAGUNG
109 |
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