Optische Eigenschaften von Erbium in Si-Si 1-x C x -, Si-Si 1-x Ge x - und Si-SiO x -Heterostrukturen:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
München
Walter-Schottky-Inst.
2001
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
41 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2001 |
| Beschreibung: | III, 182 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
1
1
EINLEITUNG
3
2
GRUNDLAGEN
7
2.1
ERBIUM
IN
SILIZIUM
.
7
2.2
ANREGUNG
DES
ERBIUMS
IN
SILIZIUM
.
9
2.2.1
ANREGUNGSPROZESSE
.
10
2.2.2
ABREGUNGSPROZESSE
.
11
2.3
SIGE
WELLENLEITER
.
12
2.3.1
PLANARER
FILMWELLENLEITER
.
13
2.3.2
ABSORPTION
UND
VERSTAERKUNG
.
14
2.4
OXIDBARRIEREN
.
16
3
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
21
3.1
BEUGUNG
HOCHENERGETISCHER
ELEKTRONEN
.
21
3.2
SEKUNDAERIONENMASSENSPEKTROSKOPIE
.
22
3.3
ROENTGENDIFFRAKTOMETRIE
.
23
3.4
ELEKTROCHEMISCHE
KAPAZITAETS-SPANNUNGSMESSUNG
.
25
3.5
VAN-DER-PAUW
MESSUNG
.
27
3.6
PHOTO
UND
ELEKTROLUMINESZENZ
.
29
3.6.1
MAKRO-PHOTO
UND
ELEKTROLUMINESZENZ
.
29
3.6.2
MIKRO-PHOTO
UND
ELEKTROLUMINESZENZ
.
30
3.6.3
ZEITAUFGELOESTE
PHOTO
UND
ELEKTROLUMINESZENZ
.
31
4
PROBENHERSTELLUNG
33
4.1
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE
.
33
4.1.1
ANFORDERUNGEN
AN
DAS
VAKUUM
.
34
4.1.2
DOTIERQUELLEN
.
35
4.1.3
HETEROEPITAXIE
.
36
4.1.4
EINBAUVERHALTEN
VON
ERBIUM
IN
SILIZIUM
.
38
4.2
IONENIMPLANTATION
.
39
II
INHALTSVERZEICHNIS
5
DOTIERUNG
41
5.1
DOTIERUNG
ALS
FUNKTION
DER
WACHSTUMSPARAMETER
.
41
5.2
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
DOTIERUNG
.
45
5.3
ZUSAMMENFASSUNG
.
46
6
PHOTOLUMINESZENZ
47
6.1
PROBENAUFBAU
.
47
6.2
OPTIMALE
WACHSTUMSPARAMETER
.
48
6.3
PHOTOLUMINESZENZ
IN
ABHAENGIGKEIT
DER
LASERLEISTUNG
.
51
6.3.1
THEORETISCHE
BESCHREIBUNG
DES
SAETTIGUNGSVERHALTENS
.
51
6.3.2
EXPERIMENTELLES
SAETTIGUNGSVERHALTEN
.
54
6.4
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
PHOTOLUMINESZENZ
.
60
6.5
LINIENFORM
IN
DER
PHOTOLUMINESZENZ
.
64
6.6
ZEITAUFGELOESTE
PHOTOLUMINESZENZ
.
67
6.6.1
EINFUEHRUNG
IN
DAS
MODELL
.
67
6.6.2
VARIATION
DER
KODOTIERUNG
.
69
6.6.3
VARIATION
DER
AUSHEILTEMPERATUR
.
71
6.7
ZUSAMMENFASSUNG
.
74
7
ELEKTROLUMINESZENZ
75
7.1
ELEKTROLUMINESZENZ
.
75
7.1.1
PROBENAUFBAU
.
75
7.1.2
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
76
7.1.3
OPTIMALE
WACHSTUMSPARAMETER
.
77
7.1.4
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
ELEKTROLUMINESZENZ
.
78
7.1.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
80
7.2
ANREGUNGSEFFIZIENZ
VON
ELEKTRONEN
UND
LOECHERN
.
81
7.2.1
PROBENAUFBAU
.
81
7.2.2
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
83
7.2.3
ANREGUNGSEFFIZIENZ
IN
VORWAERTSPOLUNG
.
86
7.2.4
ANREGUNGSEFFIZIENZ
IN
RUECKWAERTSPOLUNG
.
88
7.3
ZEITAUFGELOESTE
ELEKTROLUMINESZENZ
.
93
7.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
96
8
INJEKTION
DURCH
OXIDBARRIEREN
97
8.1
BARRIEREN
DURCH
MONOLAGENOXIDATION
.
98
8.1.1
PROBENAUFBAU
.
98
8.1.2
STRUKTURELLE
CHARAKTERISIERUNG
.
98
8.1.3
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
101
8.1.4
ELEKTROLUMINESZENZ
.
104
8.1.5
KASKADENSTRUKTUR
.
113
8.1.6
ZUSAMMENFASSUNG
.
115
8.2
BARRIEREN
DURCH
SUBOXIDSCHICHTEN
.
116
8.2.1
PROBENAUFBAU
.
116
INHALTSVERZEICHNIS
III
8.2.2
STRUKTURELLE
CHARAKTERISIERUNG
.
116
8.2.3
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
119
8.2.4
ELEKTROLUMINESZENZ
.
120
8.2.5
KOMBINIERTE
ELEKTRISCHE
UND
OPTISCHE
ANREGUNG
.
133
8.2.6
OPTISCH
AKTIVES
VOLUMEN
.
136
8.2.7
QUANTENEFFIZIENZ
.
138
8.2.8
KASKADENSTRUKTUR
.
140
8.2.9
ZEITAUFGELOESTE
ELEKTROLUMINESZENZ
.
148
8.2.10
ERBIUM
IN
SUBOXIDSCHICHTEN
.
149
8.2.11
ZUSAMMENFASSUNG
.
150
8.3
BARRIEREN
DURCH
SIOJ
SCHICHTEN
.
151
8.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
152
9
WELLENLEITER
153
9.1
PROBENAUFBAU
.
153
9.2
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
.
155
9.3
ELEKTROLUMINESZENZ
AUS
DER
WELLENLEITERFACETTE
.
156
9.3.1
ELEKTROLUMINESZENZSPEKTREN
.
156
9.3.2
WELLENLEITER
MIT
VERSCHIEDENEN
LAENGEN
.
157
9.3.3
DISKUSSION
DES
EFFEKTIVEN
ABSORPTIONSKOEFFIZIENTEN
.
161
9.3.4
VERSTAERKUNG
IN
ER:O
DOTIERTEN
SIGE
WELLENLEITERN?
.
163
9.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
165
10
AUSBLICK
167
PUBLIKATIONSLISTE
179
DANKSAGUNG
181 |
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| series2 | Selected topics of semiconductor physics and technology |
| spelling | Markmann, Markus Oliver Verfasser aut Optische Eigenschaften von Erbium in Si-Si 1-x C x -, Si-Si 1-x Ge x - und Si-SiO x -Heterostrukturen Markus Oliver Markmann. Walter-Schottky-Institut, Zentralinstitut für Physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik, Technische Universität München Optische Eigenschaften von Erbium in Si/Si1-xCx, Si/Si1-xGex und Si/SiOx Heterostrukturen 1. Aufl. München Walter-Schottky-Inst. 2001 III, 182 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Selected topics of semiconductor physics and technology 41 Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2001 Erbium (DE-588)4152588-7 gnd rswk-swf Dotierung (DE-588)4130672-7 gnd rswk-swf Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 gnd rswk-swf Optische Eigenschaft (DE-588)4123887-4 gnd rswk-swf Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Siliciumhalbleiter (DE-588)4274465-9 s Heterostruktur (DE-588)4123378-5 s Dotierung (DE-588)4130672-7 s Erbium (DE-588)4152588-7 s Optische Eigenschaft (DE-588)4123887-4 s DE-604 Selected topics of semiconductor physics and technology 41 (DE-604)BV011499438 41 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009650090&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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