MOSFET-Only-SigmaDelta-A-D-Modulatoren mit kompensierten Depletion-Mode-MOS-Kapazitäten:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2001
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| Beschreibung: | München, Techn. Univ., Diss., 2001 |
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INHALTSVERZEICHNIS
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
K
APITEL
1
EINLEITUNG
.
1
K
APITEL
2
KAPAZITAETEN
IN
CMOS-TECHNOLOGIE
.
3
2.1
STANDARD-SCHICHTKAPAZITAETEN
IN
CMOS-TECHNOLOGIE
.
3
2.1.1
POLY-POLY-KAPAZITAETEN
.
3
2.1.2
POLY-DIFFUSIONS-KAPAZITAETEN
.
4
2.1.3
POLY-METALL-KAPAZITAETEN
.
5
2.1.4
METALL-METALL-KAPAZITAETEN
.
6
2.1.5
HIGH-C
METALL-METALL-KAPAZITAETEN
.
6
2.2
MOS-KAPAZITAETEN
IN
CMOS-TECHNOLOGIE
.
7
2.2.1
AUFBAU
VON
MOS-GATEKAPAZITAETEN
.
8
2.2.1.1
EXTRINSISCHE
KAPAZITAETSANTEILE
.
8
2.2.1.2
INTRINSISCHE
KAPAZITAETSANTEILE
.
10
2.2.1.3
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-CHARAKTERISTIK
.
12
2.2.2
CV-VERLAEUFE
VON
MOS-KAPAZITAETEN
.
15
2.2.2.1
MESSVERFAHREN
ZUR
AUFNAHME
VON
CV-KENNLINIEN
.
15
I
NHALTSVERZEICHNIS
2.2.2.2
CV-CHARAKTERISTIKA
VON
MOS-KAPAZITAETEN
IN
CMOS
TECHNOLOGIE
.
15
2.3
VERFAHREN
ZUR
LINEARISIERUNG
VON
MOS-KAPAZITAETEN
.
17
2.3.1
MOS-KAPAZITAETEN
IN
AKKUMULATIONS
UND
INVERSIONSBETRIEB
.
17
2.3.2
SERIENKOMPENSATION
IN
AKKUMULATIONS
UND
INVERSIONSBETRIEB
.
20
2.3.2.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
20
2.3.2.2
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-CHARAKTERISTIKA
.
22
2.3.3
PARALLELKOMPENSATION
IN
AKKUMULATIONS
UND
INVERSIONSBETRIEB
.
24
2.3.3.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
24
2.3.3.2
KAPAZITAETS-SPANN
UNGS-CHARAKTERISTIKA
.
26
K
APITEL
3
KOMPENSIERTE
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
.
29
3.1
DEPLETIONBEREICHSVERBREITERUNG
VON
MOS-KAPAZITAETEN
.
30
3.1.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
SUBSTRATGESTEUERTER
MOS-KAPAZITAETEN
.
30
3.1.2
CV-CHARAKTERISTIKA
VON
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
IN
CMOS-TECHNOLOGIE
.
31
3.2
SERIENKOMPENSIERTE
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
.
32
3.2.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
32
3.2.1.1
SCHALTUNGSPRINZIP
.
32
3.2.1.2
THEORETISCHE
HERLEITUNG
DES
KOMPENSATIONSEFFEKTS
.
33
3.2.1.3
BESTIMMUNG
DER
RESTSPANNUNGSABHAENGIGKEIT
(RVD)
.
35
3.2.1.4
DIMENSIONIERUNG
.
36
3.2.2
PARASITAERE
ELEMENTE
.
36
3.2.2.1
GATEGEKOPPELTE
SCHALTUNGSANORDNUNG
.
37
3.2.2.2
BULKGEKOPPELTE
SCHALTUNGSANORDNUNG
.
38
3.2.3
TECHNOLOGISCHE
REALISIERUNG
.
38
3.2.4
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-CHARAKTERISTIKA
.
39
3.2.5
SCHALTUNGSVARIANTEN
.
42
3.2.5.1
SCHALTUNG
MIT
FESTEM
DRAIN/SOURCE-POTENTIAL
.
42
3.2.S.2
VERHINDERUNG
VON
GATEAUFLADUNGEN
DURCH
EINSATZ
EINES
BLEEDERS
.
46
II
I
NHALTSVERZEICHNIS
3.3
PARALLELKOMPENSIERTE
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
.
47
3.3.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
47
3.3.1.1
SCHALTUNGSPRINZIP
.
47
3.3.1.2
THEORETISCHE
HERLEITUNG
DES
KOMPENSATIONSEFFEKTS
.
48
3.3.1.3
BESTIMMUNG
DER
RESTSPANNUNGSABHAENGIGKEIT
(RVD)
.
49
3.3.1.4
DIMENSIONIERUNG
.
50
3.3.2
PARASITAERE
ELEMENTE
.
50
3.3.3
TECHNOLOGISCHE
REALISIERUNG
.
51
3.3.4
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-CHARAKTERISTIK
.
52
3.3.5
SCHALTUNGSVARIANTEN
.
57
3.4
OPTIMIERUNGSVERFAHREN
FUER
KOMPENSIERTE
MOS-KAPAZITAETEN
.
61
3.4.1
VERWENDUNG
VON
KURZKANAL-MOS-KAPAZITAETEN
.
61
3.4.1.1
SERIENKOMPENSIERTE
DEPLETION-MODE
KURZKANAL-MOS-KAPAZITAETEN
.
62
3.4.1.2
PARALLELKOMPENSIERTE
DEPLETION-MODE
KURZKANAL-MOS-KAPAZITAETEN
.
63
3.4.2
SERIENSCHALTUNG
VON
KOMPENSIERTEN
MOS-KAPAZITAETEN
.
64
3.5
EIGENSCHAFTEN
VON
KOMPENSIERTEN
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
IM
VERGLEICH
.
67
3.5.1
FLAECHEN
UND
LINEARITAETSEIGENSCHAFTEN
.
67
3.5.2
FLAECHENEFFIZIENZ-TREND
.
68
KAPITEL
4
MOSFET-ONLY
LA-MODULATOREN
MIT
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
.
71
4.1
GRUNDLAGEN
SIGMA-DELTA-MODULATOREN
.
72
4.1.1
FUNKTIONSPRINZIP
.
72
4.1.2
EA-MODULATOREN
2.
ORDNUNG
.
73
4.1.2.1
AUFBAU
UND
WIRKUNGSWEISE
.
73
4.1.2.2
PERFORMANCE-KRITERIEN
.
74
4.2
SINGLE-LOOP
SWITCHED-CAPACITOR
EA-MODULATOREN
.
75
4.2.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
75
III
I
NHALTSVERZEICHNIS
4.2.2
UMSETZUNG
IN
SWITCHED-CAPACITOR-DESIGN
.
76
4.2.3
AMPLITUDENSKALIERUNG
.
78
4.3
EINFLUSS
VON
NICHTIDEALITAETEN
AUF
DIE
PERFORMANCE
VON
SA-MODULATOREN
.
79
4.3.1
MODELL
ZUR
BESCHREIBUNG
VON
KAPAZITAETS-NICHTLINEARITAETEN
.
79
4.3.2
EINFLUSS
VON
RESTSPANNUNGSABHAENGIGKEITEN
AUF
DIE
SNDR
.
80
4.3.2.1
GENERELLE
ABHAENGIGKEIT
DER
SNDR
VON
DER
RVD
.
80
4.3.2.2
ABHAENGIGKEIT
DES
RVD-EINFLUSSES
VON
DER
KAPAZITAETSPOSITION
.
82
4.4
MOSFET-ONLY
SWITCHED-CAPACITOR
SA-MODULATOREN
2.
ORDNUNG
.
84
4.4.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
84
4.4.1.1
SCHALTUNGSBLOECKE
.
84
4.4.1.2
SIGNALANSTEUERUNG
.
85
4.4.1.3
KAPAZITAETSDIMENSIONIERUNG
UND
RAUSCHEIGENSCHAFTEN
.
86
4.4.2
AUSFUEHRUNGEN
VON
MOSFET-ONLY
SA-MODULATOREN
.
88
4.4.2.1
SA-MODULATOR
MIT
SUBSTRATGESTEUERTEN
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
IN
SERIENKOMPENSATION
.
88
4.4.2.2
SA-MODULATOR
MIT
SUBSTRATGESTEUERTEN
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
IN
PARALLELKOMPENSATION
.
91
4.4.2.3
SA-MODULATOR
MIT
SUBSTRATGESTEUERTEN
DEPLETION-MODE
MOS-KAPAZITAETEN
IN
KOMBINIERTER
SERIEN
UND
PARALLELKOMPENSATION
.
94
4.4.2.4
VERGLEICH
MOSFET-ONLY
SA-MODULATOREN
MIT
REFERENZMODULATOR
.
97
K
APITEL
5
ZUSAMMENFASSUNG
.
100
A
NHANG
A
.
102
A
NHANG
B
.
103
B.L
FORMELZEICHEN
UND
NATURKONSTANTEN
.
105
B.2
ABKUERZUNGEN
.
110
L
ITERATURVERZEICHNIS
.
112
D
ANKSAGUNG
.
118
IV |
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| spelling | Tille, Thomas Verfasser aut MOSFET-Only-SigmaDelta-A-D-Modulatoren mit kompensierten Depletion-Mode-MOS-Kapazitäten Thomas Tille 2001 XI, 118 Bl. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier München, Techn. Univ., Diss., 2001 MOS (DE-588)4130209-6 gnd rswk-swf Sigma-Delta-Wandler (DE-588)4670553-3 gnd rswk-swf CMOS (DE-588)4010319-5 gnd rswk-swf Verarmungs-FET (DE-588)4670561-2 gnd rswk-swf Kapazität (DE-588)4163236-9 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf Modulator (DE-588)4170332-7 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Modulator (DE-588)4170332-7 s MOS-FET (DE-588)4207266-9 s MOS (DE-588)4130209-6 s Kapazität (DE-588)4163236-9 s DE-604 CMOS (DE-588)4010319-5 s Sigma-Delta-Wandler (DE-588)4670553-3 s Verarmungs-FET (DE-588)4670561-2 s DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009636080&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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