Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth:
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Voigtländer, Bert (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Amsterdam [u.a.] Elsevier 2001
Schriftenreihe:Surface science reports 43,5/8
Schlagworte:
Beschreibung:Einzelaufnahme eines Zeitschr.-H.
Beschreibung:S. 127 - 254 graph. Darst.

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