Elektronik: Einführung für alle Studiengänge
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Braunschweig [u.a.]
Vieweg
2002
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Schriftenreihe: | Viewegs Fachbücher der Technik
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HEINER HERBERG ELEKTRONIK EINFUEHRUNG FUER ALLE STUDIENGAENGE MIT 529
ABBILDUNGEN HERAUSGEGEBEN VON OTTO MILDENBERGER VIEWEG VI
INHALTSVERZEICHNIS 1 EINFUEHRUNG 1 1.1 GRANDLEGENDE GESETZE 1 1.1.1
OHMSCHE GESETZ 1 1.1.2 KIRCHHOFFSCHE GESETZE 1 1.2 QUELLEN UND
ERSATZSCHALTBILDER 2 1.2.1 SPANNUNGSQUELLE 2 1.2.2 STROMQUELLE 2 1.3
STROM-/SPANNUNGS-VERHALTEN VON BAUELEMENTEN 3 1.3.1 WIDERSTAENDE 3 1.3.2
KONDENSATOR 9 1.3.3 INDUKTIVITAETEN / SPULEN 12 1.3.4
STROM-/SPANNUNGSVERHALTEN AN R, C, L 15 1.4 PARALLEL- UND
REIHENSCHALTUNG VON BAUELEMENTEN 19 1.4.1 HERLEITUNG DES PHASENWINKELS
19 1.4.2 GRENZFREQUENZ, TIEF-UND HOCHPASSVERHALTEN 21 1.4.3 INTEGRIER-
UND DIFFERENZIERGLIEDER MIT RC-KOMBINATIONEN 24 1.5 ELEKTRISCHE LEISTUNG
UND ARBEIT 26 1.5.1 ALLGEMEINE DEFINITIONEN 26 1.5.2 DEFINITION UND
HERLEITUNG DES EFFEKTIVWERTES 27 1.5.3 WIRKLEISTUNG UND BLINDLEISTUNG 28
1.5.4 ELEKTRISCHE ARBEIT 29 2 PN-DIODE 30 2.1 PHYSIKALISCHE GRANDLAGEN
30 2.1.1 AUFBAU EINES HALBLEITERKRISTALLS 30 2.1.2 EIGENLEITFAEHIGKEIT 30
2.1.3 PN-UEBERGANG 32 2.2 ARBEITSWEISE VON HALBLEITERDIODEN 34 2.2.1
ALLGEMEINE KENNLINIE 34 2.2.2 PARAMETER VON HALBLEITERDIODEN 35 2.2.2
TEMPERATURVERHALTEN 38 2.2.3 GROSSSIGNALVERHALTEN 38 2.2.4
KLEINSIGNALVERHALTEN 41 2.2.5 SCHALTVERHALTEN VON HALBLEITERDIODEN 43
INHALTSVERZEICHNIS VII 2.3 HALBLEITERDIODEN ALS GLEICHRICHTER 45 2.3.1
EINLEITUNG 45 2.3.2 GRANDSCHALTUNGEN MIT OHMSCHER LAST 45 2.3.3
GLEICHSPANNUNGSERZEUGUNG MIT GLAETTUNGSKONDENSATOR 56 2.3.4
GLEICHSPANNUNGSERZEUGUNG MIT SIEBKETTE 61 2.4 HALBLEITERDIODEN ALS
LOGIK-BAUSTEIN 63 2.5 SONDERFORMEN VON DIODEN UND DEREN ANWENDUNGEN 64
2.5.1 Z-DIODE 64 2.5.2 KAPAZITAETSDIODEN 73 2.5.3 TUNNELDIODE 74 2.5.4
SCHOTTKY-DIODEN 75 2.5.5 LICHTEMPFINDLICHE DIODEN 76 2.5.6 LEUCHTDIODEN
77 3 BIPOLAR-TRANSISTOR 78 3.1 GRANDLAGEN 78 3.1.1 ALLGEMEINER AUFBAU
EINES TRANSISTORS 78 3.1.2 FUNKTIONSWEISE DES PNP-TRANSISTORS 78 3.1.3
FUNKTIONSWEISE DES NPN-TRANSISTORS 82 3.2 STROM-/SPANNUNGSBEZIEHUNGEN AM
TRANSISTOR 84 3.2.1 GRUNDLAGEN 84 3.2.2 GROSSSIGNALVERHALTEN DES
BIPOLARTRANSISTORS 88 3.2.3 KLEINSIGNALVERHALTEN DES BIPOLARTRANSISTORS
101 3.2.4 DYNAMISCHES VERHALTEN DES BIPOLARTRANSISTORS 103 3.3
ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG 104 3.3.1 GRUNDSAETZE 104 3.3.2 FESTLEGUNG DES
ARBEITSPUNKTES 105 3.3.3 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES 111 3.3.4
BETRACHTUNG DER ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG BEIM SCHALTERBETRIEB 117 3.3.5
WECHSELSTROMVERHALTEN 117 3.4 WEITERE SCHALTUNGSVARIANTEN DES
BIPOLARTRANSISTORS 124 3.4.1 KOLLEKTORSCHALTUNG 124 3.4.2 BASISSCHALTUNG
133 3.4.3 BEISPIELSCHALTUNG SPANNUNGSREGLER 136 3.5 TRANSISTOR ALS
DIGITALER SCHALTER 137 3.5.1 GRANDLAGEN 137 3.5.2 BETRACHTUNG DER
BETRIEBSZUSTAENDE 138 3.5.3 SCHALTVERHALTEN UND SCHALTZEITEN 142 VIII
INHALTSVERZEICHNIS 4 FELDEFFEKTTRANSISTOREN 146 4.1 GRUNDLAGEN DER
FELDEFFEKTRANSISTORTECHNIK 146 4.1.1 EINTEILUNG DER
FELDEFFEKTTRANSISTOREN NACH DER STEUERUNGSART 146 4.1.2 GRANDFUNKTION
UND DEREN ZUSAMMENHAENGE 147 4.2 SPERRSCHICHT-FET 149 4.2.1 GRANDLAGEN
150 4.2.2 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG BEI SPERRSCHICHT-FET 159 4.3
FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT ISOLIERSCHICHT 163 4.3.1 GRANDLAGEN 163 4.3.2
MATHEMATISCHE GRANDLAGEN 166 4.3.3 KENNLINIENFELDER FUER MOSFET 168 4.3.4
ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG FUER MOSFET 173 4.3.5 WEITERE GRANDSCHALTUNGEN
MIT FELDEFFEKTTRANSISTOREN 177 4.3.6 FELDEFFEKTTRANSISTOR ALS
GESTEUERTER WIDERSTAND 182 4.4 FELDEFFEKTTRANSISTOR ALS SCHALTER 184
4.4.1 GRANDLAGEN 184 4.4.2 STATISCHE BETRACHTUNG 185 4.4.3 STATISCHES
UEBERTRAGUNGSVERHALTEN 188 4.4.4 DYNAMISCHES VERHALTEN 191 4.5 CMOS-FET
IM SCHALTERBETRIEB 197 4.5.1 GRANDLAGEN 197 4.5.2 STATISCHES VERHALTEN
DES CMOS-SCHALTERS 199 4.5.3 DYNAMISCHES VERHALTEN DES CMOS-SCHALTERS
203 5 KLEINSIGNALVERHALTEN VON TRANSISTOREN 205 5.1 EINFUEHRUNG 205 5.2
BETRACHTUNG DES BIPOLARTRANSISTORS 206 5.2.1 EMITTERSCHALTUNG 207 5.2.2
BASISSCHALTUNG 213 5.2.3 KOLLEKTORSCHALTUNG 214 5.3 UMRECHNUNG DER
H-PARAMETER 215 5.3.1 UMRECHNUNG VON EMITTER-IN KOLLEKTORSCHALTUNG 216
5.3.2 UMRECHNUNG VON EMITTER-IN BASISSCHALTUNG 217 5.4
ARBEITSPUNKTABHAENGIGKEIT DER H-PARAMETER 218 5.5 BETRACHTUNG DES
UNIPOLARTRANSISTORS 221 5.5.1 SOURCE-SCHALTUNG 221 5.5.2 INTERPRETATION
DER DIFFERENTIALE AM KENNLINIENFELD 223 5.5.3 ARBEITSPUNKTABHAENGIGKEIT
DER Y-PARAMETER 224 INHALTSVERZEICHNIS 6 BETRIEBSKENNGROESSEN VON
TRANSISTORSCHALTUNGEN 226 6.1 DER VIERPOL 226 6.1.1 ALLGEMEINE
GRANDLAGEN 226 6.1.2 SCHNITTSTELLENVARIANTEN AN EINER
VERSTAERKERSCHALTUNG 227 6.1.3 BESCHREIBUNGSSYSTEME 228 6.2 BESCHREIBUNG
MITTELS H-PARAMETER 229 6.2.1 BEDEUTUNG DER EINZELNEN PARAMETER
(ALLGEMEINE DARSTELLUNG) 229 6.2.2 INTERPRETATION DER H-PARAMETER 230
6.2.3 BETRACHTUNG VON EIN-UND AUSGANGSWIDERSTAND 231 6.2.4 BETRACHTUNG
DES TRANSISTORS UND DESSEN UMFELD 235 6.2.5 BETRACHTUNG VON EIN- UND
AUSGANGSWIDERSTAND 239 6.2.6 BETRACHTUNG DER VERSTAERKUNGEN 242 6.3
VIERPOL-ERSATZSCHALTBILD MIT Y-PARAMETERN 248 6.3.1 ALLGEMEINE
DARSTELLUNG 248 6.3.2 BEDEUTUNG DER EINZELPARAMETER IN Y-DARSTELLUNG 248
6.3.3 DARSTELLUNG DES TRANSISTORS MIT Y-PARAMETER 249 6.3.4
BETRIEBSEIGENSCHAFTEN DER Y-PARAMETER 250 6.3.5 ZUSAMMENHANG ZWISCHEN H-
UND Y-PARAMETERN 252 7 FREQUENZVERHALTEN VON TRANSISTORSCHALTUNGEN 253
7.1 ALLGEMEINE BETRACHTUNG DER EMITTER-SCHALTUNG 253 7.1.1 UEBERLEGUNGEN
ZUR WIRKUNG DER KAPAZITAETEN 254 7.2 MATHEMATISCHE BETRACHTUNGEN 255
7.2.1 BETRACHTUNG DER BESCHALTUNG 255 7.2.2 BETRACHTUNG DER
SPANNUNGSVERSTAERKUNG 258 8 DER RUECKGEKOPPELTE TRANSISTORVERSTAERKER 268
8.1 PROBLEMSTELLUNG 268 8.1.1 RUECKKOPPLUNG 268 8.1.2 ZIEL DER KOPPLUNGEN
268 8.2 PRINZIPIEN DER RUECKKOPPLUNG 269 8.3 VARIANTEN DER RUECKKOPPLUNGEN
270 8.4 EINSATZFALL DER STROM-SPANNUNGS-GEGENKOPPLUNG 271 8.4.1
SPANNUNGSANALYSE 272 8.4.2 ANALYSE DER IMPEDANZEN 273 8.4.3 UMFORMUNG
UND UEBERTRAGUNG DER WIDERSTANDSANTEILE 274 8.4.4 VERSTAERKUNGSANALYSE 276
8.4.5 WIRKUNGEN AUF DIE EIN- UND AUSGANGSIMPEDANZ 277 INHALTSVERZEICHNIS
8.4.6 NAEHERUNGEN BEI DER STROM-/SPANNUNGS-GEGENKOPPLUNG 279 8.5
EINSATZFALL DER SPANNUNGS-/ STROM-GEGENKOPPLUNG 280 8.5.1 GRANDPRINZIP
280 8.5.2 ANALYSE UEBER Y-PARAMETER 282 9 DIFFERENZVERSTAERKER 287 9.1
GRANDLAGEN 287 9.2 ALLGEMEINER DIFFERENZVERSTAERKER 288 9.2.1
GRANDVORAUSSETZUNGEN FUER DIESE FUNKTION 288 9.2.2 FUNKTIONSWEISE 289
9.2.3 BETRACHTUNG DER SIGNALPARAMETER 290 9.2.4 BERECHNUNG DER
VERSTAERKERPARAMETER 293 10 GRUNDLAGEN DER OPERATIONSVERSTAERKERTECHNIK
295 10.1 EINFUEHRUNG 295 10.1.1 ALLGEMEINE BESCHREIBUNG EINES OPV 295
10.1.2 HAUPTBAUGRAPPEN EINES OPV 298 10.2 GRANDKENNGROESSEN VON
OPERATIONSVERSTAERKERN 300 10.2.1 WICHTIGE PARAMETER 300 10.2.2
UEBERTRAGUNGSVERHALTEN 301 10.2.3 WECHSELSTROMEIGENSCHAFTEN 302 10.2.4
STATISCHE EIGENSCHAFTEN 305 10.2.5 ABGLEICHMOEGLICHKEITEN DER
OFFSETFEHLER 306 10.3 BETRIEBSARTEN 307 10.3.1 NICHTINVERTIERENDER
BETRIEB 308 10.3.2 INVERTIERENDER BETRIEB 308 10.3.3 DIFFERENZBETRIEB
309 10.3.4 GLEICHTAKTBETRIEB 309 10.4 ALLGEMEINE GRANDANWENDUNGEN VON
OPERATIONSVERSTAERKERN 310 10.4.1 DER RUECKGEKOPPELTE OPV 310 11
OPERATIONSVERSTAERKER - ANWENDUNGEN 313 11.1 EINFUEHRUNG ZUR ANWENDUNG VON
OPERATIONSVERSTAERKERN 313 11.1.1 FESTLEGUNGEN 313 11.1.2
GRANDSCHALTUNGEN FUER SPANNUNGSVERSTAERKER 313 11.2 INVERTIERENDER
SPANNUNGSVERSTAERKER 314 11.2.1 BETRACHTUNG EINES IDEALEN
OPERATIONSVERSTAERKERS 314 11.2.2 BETRACHTUNG EINES REALEN
OPERATIONSVERSTAERKERS 318 11.2.3 KOMPENSATION VON EINGANGSRAHESTROM UND
OFFSETSPANNUNG 323 INHALTSVERZEICHNIS XI 11.3 NICHTINVERTIERENDER
VERSTAERKER 325 11.3.1 BETRACHTUNG DES IDEALEN OPVS 325 11.3.2
BETRACHTUNG EINES REALEN OPV 327 11.3.3 ERSATZSCHALTBILD DES
NICHTINVERTIERENDEN OPVS 328 11.3.4 OPERATIONSVERSTAERKER ALS
NIEDERFREQUENZVERSTAERKER 330 11.4 ANALOGE RECHENSCHALTUNGEN 332 11.4.1
ADDIERER 332 11.4.2 SUBTRAHIERER 332 11.4.3 EXPONENTIALVERSTAERKER 333
11.4.4 LOGARITHMIERVERSTAERKER 334 11.5 SIGNALAUFBEREITUNG MIT OPV 355
11.5.1 INTEGRIERER 335 11.5.2 DIFFERENZIERER 337 11.5.3
VIERPOLBESCHALTUNG 338 11.6 NICHTLINEARE SCHALTUNGSSTUFEN 340 11.6.1
SPANNUNGSKOMPARATOR 340 11.6.2 SCHMITT-TRIGGER 344 11.6.3 ASTABILER
MULTIVIBRATOR 348 LITERATURVERZEICHNIS 352 SACHWORTVERZEICHNIS 355 |
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