Metallorganische Gasphasenepitaxie für optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGalnN:
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2001
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| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Beschreibung: | Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2001 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
1.1
HISTORISCHE
ENTWICKLUNG
DER
GAN-FORSCHUNG
.
3
1.2
ZIELSETZUNG
UND
GLIEDERUNG
DER
ARBEIT
.
4
2
GRUNDLAGEN
6
2.1
PHYSIKALISCHE
EIGENSCHAFTEN
DES
MATERIALSYSTEMS
(ALZGAI-Z^INI-^N
.
6
2.1.1
KRISTALLSTRUKTUREN
.
6
2.1.2
BANDSTRUKTUREN
VON
GAN,
AIN
UND
INN
.
8
2.2
SUBSTRATMATERIALIEN
FUER
DIE
GAN
-
EPITAXIE
.
10
2.3
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
GAN
.
17
3
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
19
3.1
EPITAXIEVERFAHREN
ZUR
HERSTELLUNG
VON
GAN
.
19
3.2
DIE
QUELLMATERIALIEN
.
22
3.2.1
GRUPPE-III
QUELLEN
.
22
3.2.2
GRUPPE-V
QUELLEN
.
27
3.3
GRUNDLAGEN
DER
GASPHASENEPITAXIE
.
29
3.3.1
DIE
WACHSTUMSRATE
IM
GASPHASENEPITAXIEPROZEFI
.
33
3.3.2
WACHSTUMSMODELLE
FUER
DEN
GASPHASENEPITAXIEPROZEFI
.
36
3.4
DIE
MOVPE-ANLAGE
AIXTRON
AIX
200
RF
.
37
4
IN-SITU
CHARAKTERISIERUNG
BEI
DER
MOVPE
42
5
EINZELSCHICHTEN
AUF
DER
BASIS
VON
GAN
48
5.1
DER
HETEROEPITAKTISCHE
WACHSTUMPROZESS
VON
GAN
AUF
SAPHIR
.
48
5.1.1
NITRIDISIERUNG
VON
SAPHIR-SUBSTRATEN
.
48
5.1.2
DIE
NIEDERTEMPERATUR-NUKLEATIONSSCHICHT
.
49
5.1.3
DIE
HETEROEPITAKTISCHE
GAN-SCHICHT
.
50
5.2
INZGA^ZN
.
58
5.2.1
WACHSTUMSMODELL
VON
INGAN
.
59
5.3
AL^GAI-JJN
.
67
5.3.1
WACHSTUMSMODELL
VON
ALGAN
.
68
6
DOTIERUNG
VON
GAN
72
6.1
N-DOTIERUNG
VON
GAN
.
72
6.2
P-DOTIERUNG
VON
GAN
.
76
6.3
P-DOTIERUNG
VON
ALGAN
UND
INGAN
.
86
7
HOMOEPITAKTISCHES
WACHSTUM
VON
GAN
87
7.1
EIGENSCHAFTEN
DER
GAN-EINKRISTALL-SUBSTRATE
.
88
7.2
SUBSTRATPRAEPARATION
UND
WACHSTUM
.
88
7.3
CHARAKTERISIERUNG
HOMOEPITAKTISCH
GEWACHSENER
GAN-SCHICHTEN
.
90
8
OPTOELEKTRONISCHE
BAUELEMENTE
AUF
DER
BASIS
VON
GAN
99
8.1
LEUCHTDIODEN
IM
MATERIALSYSTEM
ALGALNN
.
99
8.2
GAN
UND
INGAN-LEUCHTDIODEN
.
102
8.2.1
LICHTLEISTUNGS-STROM-CHARAKTERISTIK
.
105
8.2.2
ELEKTRISCHE
UND
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
HOMOTYPER
GAN-LEDS
.
106
8.2.3
ELEKTRISCHE
UND
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
HETEROTYPER
INGAN-LEDS
.
.
.
107
8.3
HOMOEPITAKTISCH
GEWACHSENE
LEUCHTDIODEN
.
109
8.4
INGAN-MEHRFACH-QUANTENFILM-LEUCHTDIODEN
.
113
8.5
LASERDIODENSTRUKTUREN
.
120
8.5.1
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
PROZESSIERTER
LASERSTRUKTUREN
.
125
8.5.2
OPTISCHE
GEWINNCHARAKTERISTIK
VON
LASERSTRUKTUREN
.
127
8.5.3
OPTISCH
GEPUMPTE
LASER
.
129
9
ELEKTRONISCHE
BAUELEMENTE
AUF
DER
BASIS
VON
GAN
130
9.1
ALGAN/GAN-HETEROSTRUKTUR
FET
.
130
9.2
PIEZO-FET
.
132
9.3
GAN/INGAN/GAN-HETEROSTRUKTUR
FET
.
134
10
ZUSAMMENFASSUNG
139
VORVEROEFFENTLICHUNGEN
143
LITERATURVERZEICHNIS
147 |
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