Temperaturabhängige Lebensdauerspektroskopie (TDLS) zur Defektanalyse in Silizium:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Rehrl, Tobias (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Regensburg 2001
Schlagworte:
Beschreibung:Regensburg, Univ., Diplomarbeit, 2001
Beschreibung:VI, 138 S. graph. Darst.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!