Hochtemperaturstabile ohmsche Kontakte zu 6H-SiC:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1999
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| Beschreibung: | Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 1999 |
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INHALTSVERZEICHNIS
LISTE
DER
VERWENDETEN
FORMELZEICHEN
9
KONSTANTEN
11
1
EINLEITUNG
15
1.1
HOCHTEMPERATURSENSORIK
.
15
1.2
DAS
VERBUNDPROJEKT
HOMSIK
.
17
1.3
HOCHTEMPERATURTAUGLICHE
METALLISIERUNGSSYSTEME
.
18
1.4
ZIEL
DIESER
ARBEIT
.
19
2
DER
SPEZIFISCHE
KONTAKTWIDERSTAND
21
2.1
EINLEITUNG
.
21
2.2
TESTSTRUKTUREN
.
22
2.2.1
DAS
MODELL
VON
COX
UND
STRACK
.
22
2.2.2
DAS
MODELL
VON
KUPHAL
.
23
2.2.3
DIE
VIERKONTAKTANORDNUNG
(KELVIN-STRUKTUR)
.
25
2.2.4
DIE
TRANSMISSION
LINE
METHODE
.
25
2.3
ZIRKULARE
TYANSMISSION
LINE
METHODE
.
27
2.3.1
POTENTIALVERTEILUNG
UND
ELEKTRISCHES
STROEMUNGSFELD
IN
EI
NEM
RINGKONTAKT
.
28
2.3.2
DER
JYONTKONTAKTWIDERSTAND
.
29
2.3.3
DER
ENDKONTAKTWIDERSTAND
.
30
2.4
DIE
ZIRKULAREN
TESTMODELLE
.
31
2.4.1
DAS
MODELL
VON
REEVES
.
31
2.4.2
DAS
MODELL
VON
MARLOW
&
DAS
.
35
2.5
EINFLUSS
ENDLICHER
METALLWIDERSTAENDE
.
37
2.5.1
ENDLICHER
METALLWIDERSTAND
IM
MODELL
NACH
MARLOW
&
DAS;
RADIALE
STROMLINIEN
IM
HALBLEITER
.
37
2.5.2
ENDLICHER
METALLWIDERSTAND
IM
MODELL
NACH
REEVES;
RAR
DIALE
STROMLINIEN
IM
HALBLEITER
SIND
NICHT
MEHR
GEGEBEN
.
39
2.6
ABSCHAETZUNG
DES
EINFLUSSES
VON
MESSFEHLERN
.
40
2.6.1
DAS
VERHAELTNIS
DER
FRONT
ZUR
ENDKONTAKTMESSUNG
.
41
2.6.2
AUSWERTUNG
MITTELS
DER
VON
REEVES
VORGESCHLAGENEN
ME
THODE
.
42
2.6.3
VERNACHLAESSIGUNG
DES
METALLWIDERSTANDES
.
42
6
INHALTSVERZEICHNIS
2.6.4
ABWEICHUNGEN
VON
DER
VORAUSSETZUNG
DES
RADIALEN
STROEMUNGSFELDES
.
43
2.7
ZUSAMMENFASSUNG
.
44
3
ANALYSE
DER
CTLM-MODELLE
45
3.1
DIE
CTLM
-
STRUKTUR
NACH
REEVES
.
45
3.1.1
DIE
3
-
RING
STRUKTUR
.
47
3.1.2
DIE
4
-
RING
STRUKTUR
.
50
3.2
DIE
CTLM
-
STRUKTUR
NACH
MARLOW
&
DAS
.
50
3.3
BEWERTUNG
DER
UNTERSUCHTEN
MODELLE
.
53
3.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
56
4
DIE
GRENZFLAECHE
DES
METALL-SIC
KONTAKTES
59
4.1
DIE
SIC-OBERFLAECHE
.
59
4.2
CHEMISCHE
REAKTIONEN
AN
DER
GRENZFLAECHE
.
61
4.2.1
SILIZID
UND
KARBIDBILDUNG
.
61
4.3
DIE
UNTERSUCHTEN
GRENZFLAECHEN
.
62
4.3.1
GRENZFLAECHE
WSI2
-
SIC
.
63
4.3.2
GRENZFLAECHE
MOSIJ
-
SIC
.
67
4.3.3
GRENZFLAECHE
TIW
-
SIC
.
70
4.4
DIE
GRENZFLAECHE
NICKEL
-
SILIZIUMKARBID
.
70
4.5
DER
UEBERGANGSWIDERSTAND
AN
DER
GRENZFLAECHE
.
71
4.5.1
DIE
SCHOTTKY
-
BARRIERE
.
72
4.5.2
STROMTRANSPORTMECHANISMEN
UEBER
DIE
SCHOTTKY-BARRIERE
.
74
4.5.3
DER
SPEZIFISCHE
KONTAKTWIDERSTAND
.
74
4.6
STROM-SPANNUNGSKURVEN
DER
METALL-SIC
KONTAKTE
.
75
4.7
ZUSAMMENFASSUNG
.
77
5
DER
SPEZ.
KONTAKTWIDERSTAND
ZU
N
-
6H
SIC
79
5.1
DIE
SPEZIFISCHEN
KONTAKTWIDERSTAENDE
ZU
N-6H-SIC
.
80
5.1.1
DER
NICKEL
-
KONTAKT
.
82
5.1.2
DER
COBALT
-
KONTAKT
.
82
5.2
DER
WOLFRAMSILIZID
-
KONTAKT
.
83
5.2.1
DIE
EXPERIMENTE
.
83
5.2.2
DIE
WSI2
-
SCHICHT
.
85
5.2.3
DER
SPEZIFISCHE
KONTAKTWIDERSTAND
.
86
5.3
DER
MOLYBDAENDISILIZID
-
KONTAKT
.
87
5.4
DER
TITANWOLFRAM
-
KONTAKT
.
89
5.5
BEWERTUNG
.
89
5.6
SPEZIFISCHE
KONTAKTWIDERSTAENDE
ZU
N
-
3C
SIC
.
91
5.7
ZUSAMMENFASSUNG
.
92
6
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DES
KONTAKTES
93
6.1
DIE
THEORIE
.
94
6.1.1
TEMPERATURABHAENGIGE
SCHICHTWIDERSTANDSAENDERUNGEN
IM
SIC
.
94
INHALTSVERZEICHNIS
7
6.1.2
TEMPERATURABHAENGIGE
WIDERSTANDSAENDERUNGEN
DES
AN
SCHLUSSSYSTEMS
.
96
6.1.3
TEMPERATURABHAENGIGE
AENDERUNGEN
DES
SPEZIFISCHEN
KON
TAKTWIDERSTANDES
.
97
6.1.4
DIE
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DES
GESAMTWIDERSTANDES
.
.
98
6.2
LITERATURUEBERSICHT
.
99
6.3
LANGZEITSTABILE
KONTAKTE
.
101
6.3.1
DER
KONTAKTWIDERSTAND
.
101
6.3.2
DER
SPEZIFISCHE
KONTAKTWIDERSTAND
.
102
6.4
TEMPERATURVERLAUF
DES
SPEZ.
KONTAKTWIDERSTANDES
.
104
6.5
BEWERTUNG
UND
ZUSAMMENFASSUNG
.
107
7
DAS
KONTAKTVERHALTEN
ZU
P-6H
SIC
109
7.1
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
IN
P
-
SIC
.
110
7.2
LITERATURUEBERSICHT
.
113
7.3
DIE
UNTERSUCHUNGEN
ZUM
P
-
KONTAKT
.
116
7.3.1
BEI
RAUMTEMPERATUR
.
116
7.3.2
BEI
ERHOEHTEN
TEMPERATUREN
.
119
7.4
ZUSAMMENFASSUNG
.
119
8
ZUSAMMENFASSUNG
DER
ERGEBNISSE
UND
AUSBLICK
121
A
SILIZIUMKARBID
125
A.L
DER
EINKRISTALL
.
126
A.2
DIE
TECHNOLOGIE
.
126
A.3
LEISTUNGSELEKTRONISCHE
SIC
-
BAUELEMENTE
.
128
B
TEMPERATURSTABILE
METALLISIERUNGEN
131
C
DIE
MESSPLAETZE
135
C.L
DER
SPITZENMESSPLATZ
FUER
MESSUNGEN
BEI
RAUM
TEMPERATUR
.
135
C.2
DER
MESSPLATZ
FUER
DIE
MESSUNGEN
BIS
1000C
AN
LUFT
.
136
D
NACHWEISVERFAHREN
FUER
GRENZFLAECHENREAKTIONEN
139
E
MASKEN
-
PRAEPARATION
141
E.L
MASKENSATZ
HOMS
.
141
E.1.1
AL-KONTAKTE
AUF
N-SI
.
142
E.2
MASKENSATZ
H0M4
.
142
F
SUBSTRATE
145
G
MODIFIZIERTE
BESSELFUNKTIONEN
147
LITERATURVERZEICHNIS
149 |
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