Grundlagen der Elektronik: Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen ; ein Lernbuch
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2001
|
Schriftenreihe: | Berichte aus der Elektronik
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | Getr. Zählung. Ill. |
ISBN: | 3826588258 |
Internformat
MARC
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STEFAN GOSSNER
GRUNDLAGEN DER ELEKTRONIK
HALBLEITER, BAUELEMENTE UND SCHALTUNGEN
EIN LERNBUCH
SHAKER VERLAG
AACHEN 2001
INHALTSVERZEICHNIS
1 EINFUEHRUNG IN DIE PHYSIK DER HALBLEITER
1.1 EINORDNUNG DER HALBLEITER ZWISCHEN LEITERN UND ISOLATOREN
1.2 AUFBAU VON LEITERN UND HALBLEITERN
1.2.1 AUFBAU DER ATOME
1.2.2 KRISTALLAULBAU
1.3 LEITUNGSMECHANISMEN IN HALBLEITERN
1.3.1 EIGENLEITUNG (LEITUNGSRRECHAMSMEN IM REINEN HALBLEITER)
1.3.2 SLOERSICUECNLEITUNG
1.3.3 ERKLAERUNG DER LEITUNGSMECHANISMEN IM HALBLEITER MIT
ENERGIE-MODELLEN
1.3.4 ENERGIE-VERTEILUNG DER FREIEN ELEKTRONEN UND DER LOECHER
2 DER PN-UEBERGANG
2.1 DER PN-UEBCRGANG OHNE AEUSSERE SPANNUNG
2.1.1 DER IDEALE ABRUPTE PN-UEBCRGANG
2.1.2 LADUNGSTRAEGERDICHTE
2.1.3 RAUMLADUNGSDICHTE
2.1.4 DIFFUSIONSSPANNUNG
2.1.5 SPERRSCHICHTWEITE
2.1.6 SPERRSCHICHTKAPAZITAET
2.1.7 ENERGIEBAENDER-MODELL DES PN-UEBERGANGES
2.2 DER PN-UEBCRGANG MIT AEUSSERER SPANNUNG
2.2.1 SPERRPOLUNG
2.2.2 FLUSSPOFUAG
2.2.3 DURCHBRUCH BEI HOHER FELDSTAERKE IN SPERRPOLUNG
2.2.4 GESAMLKENNLINIE DES PN-UEBERGANGES
2.2.5 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER KENNLINIE
2.2.6 SCHALTVERHALTCN DES PN-UEBERGANGS
3 METALL-HALBLEITER-UEBERGAENGE
3.1 SCHOTTKY-KONTAKT (SPERRSCHICHT-KONTAKT)
3.1.1 UEBERGANG VON N-HALBLEITER ZU METALL MIT GROESSERER AUSTRITTSARBEIL
(W
M
W
H
)
3.1.2 UEBERGANG VAN P-HALBLEITER ZU METALL MIT GERINGERER AUSTRIUSARBEIT
(W
M
W,,)
3.1.3 EIGENSCHAFTEN DES SCHOLTKY-KONTAKTS
3.2 OHMSCHCR KONTAKT
3.2.1 UEBERGANG VON N-HALBLEITER ZU METALL MIT KLEINERER AUSLRITTSARBEIL
(W
M
W,,)
3.2.2 UEBERGANG VON P-HALBLEITER ZU METALL MIT GROESSERER AUSTRIUSARBEIT (W
M
W
U
)
3.2.3 OHMSCHER KONTAKT DURCH HOCHDOTIERTE HALBLEILERZWISCHENSCHICHT
4 DIE DIODE
4.1 ALLGEMEINES
4.2 UNIVERSAL- UND RICHTDIODE
4.3 HOCHSPERRENDE LEISTUNGSDIODEN
4.4 SCHALTDIODEN
4.5 DIE /.-DIODE
4.6 KAPAZITAETSDIODE
4.7 TUNNCLDIODE
4.8 SSACKWARD-DIODE
4.9 SCHOTTKY-DIODE
4.10 WEITERE DIODENFORMEN
INHALTSVERZEICHNIS
5 STABILISIERUNGSSCHALTUNG MIT Z-DIODE S-L
5.1 GRUNDSCHALTUNG , 5-1
5.1.1 GRAPHISCHE SCHALLUNGSANALYSE 5-1
5.1.2 RECHNERISCHE SCHALTUNGSANALYSE (BETRIEB MIT GLEICHSPANNUNG) 5-4
5.2 BERECHNUNG VON GRENZWERTEN 5-6
5.2.1 ZULAESSIGER ARBEITSBEREICH DER Z-DIODE 5-6
5.2.2 GRENZWERTE FUER DIE EINZELBAUELEMENTE 5-7
5.3 UEBERLAGERUNG VON GLEICH- UND WECHSELSPANNUNG 5-11
5-31 WELLIGKEIT DER STABILISIERTEN GLEICHSPANNUNG 5-11
5.3.2 VERLUSTLEISTUNG DER Z-DIODE 5-12
5.3.3 GENAUERE BETRACHTUNG DES DIFFCRCNTICLLEN WIDERSTANDES 5-12
6 NETZGLEICHRICHTER 6-1
6.1 GLEICH RICHTE RSCHATTUNGEN OHNE GLAETTIMG (MIT OHMSCHCR LAST) 6-1
6.1.1 EINWEGGLEICHRICHTER 6-1
6.1.2 ZWEIWEGGKICHRICHLER - MITTELPUNKTSCHALTUNG 6-3
6.1 3 ZWEIWEGGLEICHRICHTER - BRUECKENGLCICHRICHTCR (GRACTZ-GLEICHRICHTER)
6-5
6.1.4 GENAUERE BERECHNUNG DER ZWEIWEGGLCICHRICHTCR 6-6
6.2 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN MIT GLAETTUNG 6-8
6.2.1 GLAELUMGSARTEN 6-9
6.2.2 BERECHNUNG DES ZWEIWEGGLEICHRICHTERS MIT GLAETTUNGSKANDCNSATOR 6-10
6.3 GLEICHRICHTER MIT PUITCRBATTERIE 6-16
7 DREHSTROMGLEICHRICHTER 7-1
7.1 MITTELPUNKT-SCHALTUNG (HALBBRUECKE) (3-PULSIGER GLEICHRICHTER) 7-1
7.2 DRCHSTROM-BRUECKENGLEICHRICHTER (6-PULSIGER GLEICHRICHTER) 7-3
8 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG 8-1
8.1 SPANNUNGSVCRDOPPCLUNG MIT DER DELONSCHALTUNG 8-1
8.2 SPANMINGSVCRDOPPETUNG MIT VILLARDSCHALTUNG 8-2
8.3 SPANNUNGSVCRVICLFACHUNG DURCH KASKADIERUNG DER VILLARDSCHALTUNG 8-4
9 DER BIPOLARE TRANSISTOR 9-1
9.1 AUFBAU UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 9-1
9.2 FUNKTIONSWEISE 9-3
9.2.1 DER TRANSISTOREFFEKT 9-3
9.2.2 STROEMUNGSMECHANISMEN IM TRANSISTOR 9-6
9.2.3 EINFLUSS DER KOLLEKTOR-BASIS-SPANNUNG AUF DEN KOLLEKLORSLROM 9-7
9.3 SCHALTZEICHEN - RICHTUNGSPFEILE FUER STROEME UND SPANNUNGEN 9-8
9.4 TRANSISTOR-GRUNDSCHALTUNGEN 9-8
9.4.1 BASISSCHALTUNG 9-8
9.4.2 EMITTERSCHALTUNG 9-10
9.4.3 KOLLEKTORSCHALTUNG 9-13
9.4.4 UMRECHNUNG DER STROMVERSTAERKUNGEN 9-14
9.5 DARLINGTON- ODER SUPCR-BCTA-SEHALTUNG 9-14
10 ARBEITSPUNKT DES BIPOLAREN TRANSISTORS /
GLEICHSTROMBETRIEB 10-1
10.1 EINSTELLUNG DES ARBEITSPUNKTES 10-1
10.1.1 EINPRAEGUNG DES BASISSTROMES 10-2
10.1.2 EINPRAEGUNG DER BASIS-EMITTER-SPANNUNG 10-2
10.1.3 EINSTELLUNG DER KOLLEKTOR-EMITTER-SPANNUNG 10-3
II
INHALTSVERZEICHNIS
11.1.1
11.1.2
11.1.3
11.1.4
11.1.5
1.2 K
11.2.1
11.2.2
11,2.3
11.2.4
11.2.5
11.2,6
10.2 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES 10-3
10.2.1 ANFORDERUNGEN AN DIE STABILITAET DES ARBEITSPUNKTES 10-3
10.2.2 URSACHEN FUER ARBEITSPUNKT-VERSCHIEBUNGEN 10-3
10.2.3 GCGCNKOPPLUNGSMAFLNAHMEN ZUR ARBEITSPUNKT-STABILISIERUNG 10-4
10.2.4 VERFAHREN ZUR BERECHNUNG VON ABWEICHUNGEN DES ARBEITSPUNKTES 10-6
10.2.5 BERECHNUNG VON ABWEICHUNGEN DES ARBEITSPUNKTES EINER GEGEBENEN
SCHALTUNG 10-7
10.2.6 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES BEI DER
SCHALTUNGSDIMENSIONIERUNG 10-9
10.3 GLEICHSTROMBCTRIEB DES BIPOLAREN TRANSISTORS - BEISPIELSCHALTUNGCN
10-11
10.3.1 KONSIANTSPANNUNGSQUELLC 10-11
10.3.2 KONSTANTSTROMQUCTRE 10-12
11 DER BIPOLARE TRANSISTOR IM WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER 11-1
11.1 GRUNDSCHALTUNG EINES WCCHSELSPANNUNGSVCRSTAERKERS IN
EMITTERSCHALTUNG 11-1
PRINZIPIELLER AUFBAU UND FUNKTION N J
ANALYSE DES ARBEITSPUNKTES I ] _2
WECHSELSTROMANALYSE ] I_2
VERZERRUNGEN UND BEGRENZUNGEN DES AUSGANGSSIGNALES
(AUSSTEUERUNGSGRENZEN) 11-3
TECHNISCHE REALISIERUNG 11.5
KC-GEKOPPELTER WCCHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN EMITTERSCHALTUNG 11-6
DIMENSIONICRUNG DER SCHALTUNG ] ] *FJ
GRAFISCHE ANALYSE DES ARBEITSPUNKTES (GLEICHSTROM-ANALYSE) 11-8
GRAFISCHE ANALYSE DES WECHSELSTROM-VERHALTENS 11-11
BERECHNUNG DER WECHSELSLROMGROERJEN 11-14
WCCHSELSPANNUNGSVCRSTAERKUNG BEI STRAMGEGENKOPPLUNG 11-15
BERECHNUNG DER KONDENSATOREN 11-18
11.3 RC-GEKOPPELTER WECHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN KOLLEKTORSCHALTUNG 11
-24
11.3.1 DIMENSIONIERUNG DER SCHALTUNG 11-25
11.3.2 WECHSELSTROM-BERECHNUNGEN 11-27
11.3.3 BOOTSTRAPSCHALTUNG 11-30
11.4 RC-GEKOPPELTER WCCHSELSPANNUNGSVERSTAERKER IN BASISSCHALTUNG 11-32
11.4.1 DIE SCHALTUNG 11-32
11.4.2 BERECHNUNG DER WECHSELSTROM- KENNGROESSEN 11-32
11.4.3 OBERE GRENZFREQUENZ DER BASISSCHALTUNG 11-33
11.5 VERGLEICH DER TRANSISTOR-GRUNDSCHALTUNGCN 11.34
11.6 TRANSISTORENDSTUFEN 11-34
12 DER BIPOLARE TRANSISTOR ALS SCHALTER 12-1
12.1 DER IDEALE SCHALTER (ZUM VERGLEICH) 12-1
12.2 DIE BCTRIEBSZUSTAENDE DES TRANSISTOR-SCHALTERS 12-3
12.2.1 AUSGEWAEHLTE DETAILS AUS DER HALBLEITER- UND TRANSISTORPHYSIK 12-3
12.2.2 PRINZIPIELLE ANSTEUERUNGSVARIANTEN 12-4
12.2.3 DER GESPERRTE TRANSISTOR ] 2-5
12.2.4 DER LEITENDE TRANSISTOR (UNGESAETTIGT, U
C
B 0) ] 2-6
12.2.5 DER LEITENDE TRANSISTOR (GESAETTIGT) 12-9
12.2.6 KENNLINIEN-ARBEITSBEREICHE DES TRANSISTORS ALS SCHALLER 12-11
12.3 DAS DYNAMISCHE VERHALTEN 12-12
12.3.1 EINSCHALTVORGANG 12-12
12.3.2 DER AUSSCBALTVORGANG 12-15
12.4 MASSNAHMEN ZUR VERBESSERUNG DES SCHATTVCRHALTENS 12-19
12.5 SCRRALTVERLUSTJCISTUNG 12-21
12.6 TRANSISTORSCHALTER BEI OHMSCHER, KAPAZITIVER UND INDUKTIVER LAST
12-23
12.6.1 OHMSCHELAST 12-23
12.6.2 OHMISCH-INDUKTIVE IJST 12-23
12.6.3 OHMISCH-KAPAZIIIVC LAST 12-25
12.7 TRANSISTOR IN DIGITALEN GRUNDSCHALTUNGEN 12-26
III
INHALTSVERZEICHNIS
13 DER FELDEFFEKTTRANSISTOR (FET) 13-1
13.1 ALLGEMEINES / GRUNDPRINZIP 13-1
13.2 SPERRSCHICHT-FET 13-1
13.2.1 AUFBAU UND WIRKUNGSPRINZIP 13-1
13.2.2 EINFLUSS DER KANALSPANNUNG AUF DIE KENNLINIE 13-2
13.2.3 STEUERUNG UEBER DAS GATE 13-4
13.2.4 DIE IKENNLINICN DES SPERRSCHICHT-FHT 13-5
13.3 IG-FET (ISOLATED GATE) 13-6
13.31 ANREICHERUNGSTYP 13-6
13.3.2 VERARMUNGSTYP 13-9
13.3.3 KURZKANALSTRUKLUREN - DER VMOS-FET 13-10
13.3.4 VORTEILE DER IG-FBT 13-11
13.4 UEBERSICHT UEBER ALLE FET-TYPEN 13-11
13.5 FET ALS ANALOGSCHALTER 13-12
13.5.1 EIN- UND AUSSCHALTBCDINGUNGEN 13-12
13.5.2 GRUNDSCHALLUNGEINES FET-ANALOGSCHALTERS 13-12
13.5.3 VERBESSERTER FET-ANALOGSCHALTER 13-14
13.5.4 GEGENTAKT-FET-ANALOGSCHALTER 13-15
13.6 ARBEITSPUNKT-EINSTELLUNG - KONSTANTSTROMQUELLE (J -FET) 13-16
13.7 J-FET-WECHSCLSPANNUNGSVERSTAERKER 13-18
13.7.1 SCHALTUNG DES J-FET-WS-VCRSTAERKERS 13 18
13.7.2 WECHSELSTROM-ERSATZSCHALTBILD DES J-FET IN SOURCE-SCHALTUNG 13-18
13.7.3 BERECHNUNG DES WECHSCLSPANNUNGSVERSLAERKERS 13-19
13.8 CMOS-TEEHNIK 13-20
13.8.1 CMOS-INVERTER 13-20
13.8.2 CMOS-NOR-GALTER 13-20
13.8.3 CMOS-NAND-GAITER 13-21
13.8.4 CMOS-UEBERTRAGUNGSGATTER 13-22
14 DER OPERATIONSVERSTAERKER 14-1
14.1 ALLGEMEINES 14-1
14.2 ANWCNDUNGSBEISPIELE OHNE RUECKKOPPLUNG ODER MIT MITKOPPLUNG 14-4
14.2.1 KOMPARATOR 14-4
14.2.2 SCHMITT-TRIGGER 14-5
14.3 ANWENDUNGSBCISPIELC MIT GEGENKOPPLUNG 14-6
14.3.1 INVERTIERENDER VERSTAERKER 14-7
14.3.2 NICHT-INVCRTICRCNDCR VERSTAERKER 14-9
14.3.3 ADDITION (MIT INVERSION ) 14-10
14.3.4 SUBTRAKTION (DIFFERENZVERSTAERKER) 14-11
14.3.5 INTEGRATION 14-12
14.3.6 DIFFERENTIATION 14-13
14.3.7 TIEFPASS ODER VERZOEGERUNGSGLIED 1. ORDNUNG 14-14
14.3.8 HOCHPASS 14-16
14.3.9 BANDPASS 14-17
14.3.10 PI-RCGLER 14-18
14.4 FEHLER-RECHNUNG 14-19
14.4.1 FEHLER DURCH EINGANGS-OFFSEL-SPANNUNG 14-19
14.4.2 FELDER DURCH EINGANGSSTROEME (BIAS-STROEME) 14-20
14.4.3 FEHLER DURCH UNGLEICHHEIT DER EINGANGSSTROEME
(EINGANGS-OFTSETSTROM) 14-21
14.5 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE EINES OPERATIONSVERSTAERKERS 14-22
14.5.1 EINGANGSSTUFE 14-22
14.5.2 KOPPELSTUFE 14-27
14.5.3 AUSGANGSSTUFE 14-27
14.5.4 GESAMTSCHALTUNG DES OP 741 14-30
IV
INHALTSVERZEICHNIS
15 SPEZIELLE SCHALTUNGSBEISPIELE MIT OPERATIONSVERSTAERKERN 15-1
15.1 INSTRUMENTENVERSTAERKER ^5,1
15.2 PRAEZISIONSGLEICHRICHTER JG_2
15.3 ABTAST-HALTE-GLICDER (SAMPLE & HOLD - VERSTAERKER) 15.3
15.4 ASTABILER MULTIVIBRATOR JJ.J
15.5 FENSTERKOMPARATOREN IJ.G
15.6 MULTIVIBRATOREN MIT DEM TIMER 555 15.7
15.7 FREQUENZ-SPANNUNGS- UND SPANNUNGS-FREQUCNZ-WANDLER 15.9
15.8 DIGITAL-ANALOG- UND ANALOG-DIGITAL-UMSETZER 15-11
15.8.1 DIGITAL-ANALOG-UMSETZER 15-11
15.8.2 ANALOG-UEIGITAL-WANDLER 15-14
16 DER THYRISTOR
I6
.I
16.1 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE J
D
.J
16.2 HAUPTEINSATZGEBIETE ] G.4
16.3 TRIAC
16
.
S
17 OPTOELEKTRISCHE BAUELEMENTE 17.1
17.1 FOTOWIDERSTAND (LDR)
17
.]
17.2 FOTODIODE YI-1
17.2.1 PN-UEBERGANG UNTER LICHTEINWIRKUNG 17.2
17.2.2 DIODENBETRIEB DER FOTODIODE 17.4
17.2.3 FOTO-PIN-DIODE
17
_
4
17.2.4 FOTO-LAWINCN-DIODE (AVALANCHE-FOTODIODE) 17.4
17.2.5 ELEMENTBETRIEB DER FOTODIODE IY 5
17.2.6 SOLARZELLE I7_G
17.3 FOTOTRANSISTOR J
7
_
7
17.4 LUMINESZENZ-DIODEN YL-%
17.5 DISPLAYS |
7
_^
17.5.1 LED-DISPLAYS 17.0
17.5.2 FLUESSIGKRISTALL-DISPLAYS [7_Q
17.6 OPTOELEKTRONISCHE KUPPLER 17-10
17.6.1 OPTOKOPPLER (GESCHLOSSEN) 17-10
17.6.2 OPTOKOPPLER-LICHTSCHRANKEN 17-11
17.7 LASER-DIODEN 17-12
17.8 LICHTWCLLENLEITER 17-15
18 HALBLEITERBAUELEMENTE OHNE PN-UEBERGANG
(HOMOGENE HALBLEITERBAUELEMENTE) 18-1
18.1 HEISSLEITER (NTC-WIDERSTANDE)
LG
_I
18.2 KALTLEITER (PTC-WIDERSTAENDE)
LS
.
3
18.3 VARISTOREN (VDR)
]G
_4
18.4 FOTOWIDERSTAND (LDR)
18
.
4
18.5 FELDPLATTE (M DR)
18
_
5
18.6 HALLGENERATOR JG_J
18.7 DEHNUNGSMESSSTREIFEN JG_
0
V
INHALTSVERZEICHNIS
19 GLEICHSPANNUNGSWANDLER 19-1
19.1 DROSSCL-AUFWAERTSWANDLCR 19-1
A
19.2 DROSSEL- ABWAERTSWANDLER 19-3
19.3 DROSSEL-LNVERSWANDLER 19-S
19.4 EINSCHWINGVORGAENGE 19-6
20 THERMISCHE PROBLEME /WAERMEABLEITUNG 20-1
20.1 TEMPERATURERHOEHUNG VON BAUELEMENTEN DURCH WAERMEFREISETZUNG 20-1
20.1.1 VERINSTWAERNIE - VERLUSTLEISTUNG 20-1
20.1.2 WAERMEKAPAZITAET
2
-L
20.2 WAERMEABLEITUNG 20-2
20.2.1 DER WAERMEWIDERSTAND 20-2
20.2.2 WAERMEWIDERSTAND BEI WAERMCLEITUNG 20-2
20.2.3 WAERMEWIDERSLAND BEI KONVCKTION 20-3
20.2.4 WAERMESTRAHLUNG 20-3
20.2.5 KUEHLFIAECTIENBERCCHNUNG 20-3
20.3 DER WAEMIESTROMKREIS 20-4
20.4 BERECHNUNG DES WAERMCSTROMKRCISES 20-6
20.4.1 ANALOGIE THERMISCHER UND ELEKTRISCHER GROESSEN 20-6
20.4.2 BERECHNUNG VON TEMPERATUREN IM STATIONAEREN BETRIEB 20-7
20.4.3 REDUZIERUNG DER ZULAESSIGEN VERLUSTLEISTUNG BEI HOHER
UMGEBUNGSTEMPERATUR 20-7
20.4.4 THERMISCHE AUSGLEICHSVORGAENGE 20-8
ANHANG A SCHALTUNGSANALYSE A-L
A.L GRUNDLAGEN DER ZWEIPOTTHEORIE A-L
A.2 EINFACHE ZWEIPOLE A-2
A.2.1 PASSIVE ZWEIPOLE A-2
A.2.2 AKTIVE ZWEIPOLE A-2
A2.2J EINFACHE SPANNUNGSQUELLE A-2
A.2.2.2 EINFACHE STROMQUELLE A-3
A.2.2.3 AEQUIVALENZPRINZIP A-3
A.3 ERSATZVRIDERSTAND PASSIVER ZWEIPOLE A-4
A.3.1 BERECHNUNG BEI LINEAREN ELEMENTEN A-4
A.3.2 GRALISCHES VERFAHREN BEI NICHTLINEAREH ELEMENTEN A-4
A.3.2.1 REIHENSCHALTUNG A-4
A.3.2.2 PARALLELSCHALTUNG A-5
A3.3 LINCARISIERUNG VON KENNLINIEN A-5
A.4 ERSATZSCHALTIUIG AKTIVER ZWEIPOLE A-7
A.4. L AKTIVE ZWEIPOLE MIT EINER QUELLE A-7
A.4.2 AKTIVE ZWEIPOLE MIT MEHREREN QUELLEN A-S
A.5 ZUSAMMENSCHALTUNG AKTIVER UND PASSIVER ZWCIPOLE A-9
A.5.1 DER LINEARE GRUNDSTROMKRCIS A-9
A.5.2 DER NICHTLINEARE GMNDSTROMKREIS - GRAFISCHES SCHNITTPUNKLVERFAHREN
A-9
A.5.2.1 NICHTLINEARER GLEICHSTROMKREIS A-9
A.5.2.2 STROMKREIS MIT ZEUEVERUENDERLICHER QUELLENSPANNUNG A-I0
A.5.2.3 UEBERLAGERUNG VON GLEICH- UND WECHSELSPANNUNG (GRAFISCHE
SUPERPASITION) A-LI
A.5.3 STROMKREISE MIT BIPOLAREM TRANSISTOR A-15
A.5.3.1 VIER-QUADRANTEN-KENNLINIENFELD A-15
A.5.3.2 ARBEITS-UEHERTRAGUNGSKENNLINIE A-16
A.5.3.3 GRAFISCHE ERMITTLUNG DES ARBEITSPUNKTES A-16
A.5.3A GRAFISCHE ANALYSE DES WECHSELSTROMVERHALTENS A-LL
VI
INHALTSVERZEICHNIS
ANHANG B VIERPOLTHEORIE
B.L VICRPOIGLEICHUNGEN - VIERPOLPARAMETCR
B. 1.1 DIE Z-PARAMETER
B.L.2 DIE Y-PARAMETER
B. 1.3 DIE H-PARAMETER (HYBRID-PARAMETER)
B.2 TRANSISTOR ALS LINEARER VIERPOL
B.2.1 DIE H-PARAMETER DES TRANSISTORS
B.2.2 ERMITTLUNG DER H-PARAMETER AUS DEN KENNLINIEN DES TRANSISTORS
B.2.3 H-PARAMETER IN DATENBLAETTERN VON NF-TRANSISTOREN
B 2.4 THEORETISCH ERMITTELTE NAEHERUNGSWERTE DER VIERPOLPARAMETER DES
TRANSISTORS
B.2.4.1 EMITTERSCHALTUNG
B.2.4.2 BASISSCHALTUNG
ANHANG C VERWENDETE GROESSENSYMBOLE UND SCHALTZEICHEN
LITERATURHINWEISE |
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