Optische Eigenschaften hochangeregter Nitrid-Halbleiter:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Wiss.-und-Technik-Verl.
2001
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Berlin studies in solid state physics
6 |
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 139 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINFUEHRUNG
1
2.
REKOMBINATIONS
UND
HOCHANREGUNGSPROZESSE
IN
HALBLEITERN
MIT
GROSSER
4
BANDLUECKE
2.1
EXZITONISCHE
REKOMBINATIONSPROZESSE
BEI
GERINGEN
ANREGUNGSDICHTEN
4
2.1.1
DIREKTE
HALBLEITER
MIT
GROSSER
BANDLUECKE
4
2.1.2
EXZITONEN
6
2.1.3
EXZITONISCHE
POLARITONEN
8
2.2
EXZITONISCHE
PROZESSE
BEI
ERHOEHTEN
ANREGUNGSDICHTEN
10
2.2.1
EXZITONISCHE
STREUPROZESSE
10
2.2.2
EXZITONISCHE
MOLEKUELE
BIEXZITONEN
13
2.2.3
DAS
ELEKTRON-LOCH-PLASMA
15
2.3
OPTISCHE
VERSTAERKUNG
IN
DIREKTEN
HALBLEITERN
17
2.3.1
EXZITONISCHE
VERSTAERKUNGSPROZESSE
17
2.4
EINFLUSS
DER
LOKALISIERUNG
AUF
DIE
REKOMBINATIONS
UND
18
VERSTAERKUNGSPROZESSE
2.4.1.
REDUKTION
DER
DIMENSIONALITAET
UND
GESTOERTE
HALBLEITER
19
3.
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
DER
GRUPPE
HL-NITRIDE
23
3.1
GRUPPE
ILL-NITRIDE:
STRUKTUR
UND
WACHSTUM
23
3.1.1
GRUNDLEGENDE
PHYSIKALISCHE
EIGENSCHAFTEN
DES
CAN
23
3.1.2
KRISTALLSTRUKTUR
UND
PHONONEN
23
3.1.3.
GRUNDLEGENDE
PHYSIKALISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
MISCHKRISTALLE
(AL,
LN)GAN
24
3.2
DIE
ENTWICKLUNG
DER
WACHSTUMSTECHNOLOGIE
26
3.3
OPTOELEKTRONISCHE
BAUELEMENTE
29
3.4
EINFLUSS
VON
ELEKTRISCHEN
FELDERN
AUF
DEN
REKOMBINATIONS
UND
32
VERSTAERKUNGSMECHANISMUS
3.4.1
SPONTANE
UND
PIEZOELEKTRISCHE
FELDER
32
3.4.2
FRANZ-KELDYSH-EFFEKT
UND
QUANTUM-CONFINED
STARKEFFEKT
36
4.
ZIELSETZUNG
DIESER
ARBEIT
40
5.
EXPERIMENTELLE
TECHNIK
42
5.1
DIE
EIGENSCHAFTEN
DER
VERWENDETEN
PROBEN
42
5.2
MESSAUFBAU
UND
EXPERIMENTELLE
TECHNIK
44
5.2.1
ZEITINTEGRIERTE
PHOTOLUMINESZENZSPEKTROSKOPIE
44
5.3
CAINSPEKTROSKOPIE
UND
ZWEISTRAHLEXPERIMENTE
46
6.
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSION:
MECHANISMEN
DER
OPTISCHEN
VERSTAERKUNG
IN
GRUPPE
49
ILL-NITRIDEN
6.
1
HOCHANREGUNGSPROZESSE
UND
VERSTAERKUNGSMECHANISMEN
IM
CAN
49
6.
1.1
EXZITONISCHE
PROZESSE
BEI
ERHOEHTER
ANREGUNGSDICHTE
49
6.1.2
INELASTISCHE
STREUPROZESSE
50
6.1.3
DAS
BIEXZITON
52
6.1.4
DER
UEBERGANG
ZUM
ELEKTRON-LOCH-PLASMA
55
6.7.5
OPTISCHE
VERSTAERKUNG
IM
CAN
56
6.1.6
OPTISCHE
VERSTAERKUNG
IM
KUBISCHEN
CAN
62
6.1.7
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
KUBISCHER
CAN-EPISCHICHTEN
63
6.
1.8
STIMULIERTE
EMISSION
VON
GESPALTENEM
C-CAN
67
6.7.9
ZUSAMMENFASSUNG
70
6.2
DIE
OPTISCHE
VERSTAERKUNG
IN
(AL,
IN)
CAN-MISCHVERBINDUNGEN
72
6.2.
1
MECHANISMEN
DER
OPTISCHEN
VERSTAERKUNG
IN
AICAN-EPITAXIESCHICHTEN
72
6.2.2
MECHANISMEN
DER
OPTISCHEN
VERSTAERKUNG
IN
INCAN-EPITAXIESCHICHTEN
77
6.2.3
OPTISCHE
REKOMBINATION
IN
H-INCAN
HETEROSTRUKTUREN
92
6.2.4
ZUSAMMENFASSUNG
94
6.3
OPTISCHE
VERSTAERKUNG
UND
LASING
IN
NIEDERDIMENSIONALEN
GRUPPE
ILL-NITRIDEN
96
6.3.7
DER
QUANTUM-CONFINED
STARKEFFEKT
IN
GRUPPE
ILL-NITRIDEN
97
6.3.2
TERNAERE
HETEROSTRUKTUREN
AUF
BASIS
VON
AICAN/CAN
99
6.3.3
PUMP&PROBE-SPEKTROSKOPIE
AN
AIGAN/CAN
HETEROSTRUKTUREN
105
6.3.4
TERNAERE
HETEROSTRUKTUREN
AUF
BASIS
VON
INCAN/GAN
111
6.3.5
PUMP&PROBE-SPEKTROSKOPIE
AN
INGAN/GAN
HETEROSTRUKTUREN
124
6.3.6
REKOMBINATION
UND
OPTISCHE
VERSTAERKUNG
LADUNGSTRAEGERLOKALISIERUNG
128
ODER
ABSCHIRMEN
MAKROSKOPISCHE
FELDER?
7.
ZUSAMMENFASSUNG
130
8.
LITERATURVERZEICHNIS
133 |
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