Vorlesungsunterlagen zur Halbleiterphysik:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Konstanz
Hartung-Gorre
2001
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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INHALTSVERZEICHNIS
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
V
TABELLENVERZEICHNIS
VIII
1
EINFUEHRUNG
1
2
DAS
ELEKTRISCHE
FELD
5
2.1
EIGENSCHAFTEN
DER
ELEKTRISCHEN
LADUNG
.
6
2.2
WIRKUNGEN
DER
ELEKTRISCHEN
LADUNG
.
7
2.3
POTENTIELLE
ENERGIE
UND
ELEKTRISCHES
POTENTIAL
.
11
3
DAS
ATOMMODELL
15
3.1
DAS
WASSERSTOFFATOM
.
15
3.2
DIE
QUANTENMECHANISCHE
BESCHREIBUNG
DES
WASSERSTOFFA
TOMS
.
22
4
MATERIE
UND
FESTKOERPER
24
4.1
KRISTALLBAU
.
24
4.2
DIE
FERMI-VERTEILUNG
.
25
4.3
HALBLEITER
.
32
5
LEITUNGSMECHANISMUS
40
5.1
DRIFTGESCHWINDIGKEIT
DER
LADUNGSTRAEGER
.
40
5.2
DAS
OHMSCHE
GESETZ
.
43
5.3
DIE
LEITUNG
IM
INTRINSIKEN
HALBLEITER
.
45
5.4
DOTIERUNG
.
46
5.5
GENERATION
UND
REKOMBINATION
VON
LADUNGSTRAEGERN
.
.
54
5.6
DIFFUSION
.
60
5.7
ZUSAMMENFASSUNG
.
66
INHALTSVERZEICHNIS
III
5.8
UEBUNGSAUFGABEN
.
68
6
DER
PN-UEBERGANG
72
6.1
KONTAKT
ZWISCHEN
P
UND
N-HALBLEITER
.
73
6.2
BESTIMMUNG
DER
DIFFUSIONSSPANNUNG
.
75
6.3
DIE
LAGE
DES
FERMI-NIVEAUS
.
78
6.4
RAUMLADUNGSZONE:
AUSBREITUNG
UND
FELDVERTEILUNG
.
.
80
6.5
DIE
PN
DIODE
.
87
6.5.1
DER
PN-UEBERGANG
IN
DURCHLASS-UND
IN
SPERRRICHTUNG
88
6.5.2
DIE
DIODENGLEICHUNG:
IDEALE
DIODE
.
89
6.5.3
DIE
REALE
DIODE
.
92
6.5.4
DER
LAWINENDURCHBRUCH
.
93
6.5.5
KAPAZITAETEN
.
95
6.5.6
DIE
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
DIODE
.
100
6.6
UEBUNGSAUFGABEN
.
103
7
DER
BIPOLARTRANSISTOR
107
7.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSPRINZIP
.
108
7.1.1
TECHNOLOGIE
.
113
7.2
QUANTITATIVE
BEHANDLUNG
.
114
7.2.1
DIE
STROMVERSTAERKUNG
A
N
UND
HALBLEITEREIGEN
SCHAFTEN
.
114
7.2.2
STROMBILANZ
UND
RESTSTROEME
.
118
7.3
SCHALTUNGSTECHNIK
.
119
7.3.1
GRUNDSCHALTUNGEN
.
119
7.3.2
ZUSAMMENHANG
DER
STROMVERSTAERKUNGEN
DER
DREI
GRUNDSCHALTUNGEN
.
119
7.3.3
ERSATZSCHALTBILD
MIT
HILFE
VON
DIODEN
.
120
7.3.4
KENNLINIENFELDER
.
121
7.4
SPEZIELLE
THEMEN
.
123
7.4.1
DER
TRANSISTOR
ALS
VIERPOL
.
123
7.4.2
KAPAZITAETEN
.
125
7.4.3
GRENZFREQUENZEN
.
127
7.5
UEBUNGSAUFGABEN
.
131
8
FELDEFFEKT-TRANSISTOREN
132
8.1
EINFUEHRUNG
UND
UEBERBLICK
.
133
8.1.1
DIE
IDEE
DER
GESTEUERTEN
KONDENSATORPLATTE.
.
.
.
133
8.1.2
EINE
QUANTITATIVE
BEHANDLUNG
DES
KONDENSATOR
MODELLS
.
136
INHALTSVERZEICHNIS
IV
8.1.3
TECHNISCHE
AUSFUEHRUNGSFORMEN
.
143
8.1.4
KLASSIFIZIERUNG
VON
FELDEFFEKT-TRANSISTOREN
.
144
8.2
DER
JUNCTION-FET:
JF
ET
.
147
8.2.1
GROSSSIGNAL-VERHALTEN
DES
JF
ET
.
148
8.2.2
ERSATZSCHEMA
FUER
DAS
GROSS-SIGNAL-VERHALTEN
.
.
156
8.2.3
KLEINSIGNAL-VERHALTEN
DES
JF
ET
.
156
8.3
HALBLEITERKONTAKTE
.
158
8.3.1
IDEALE
MOS-STRUKTUR
.
159
8.3.2
REALE
MOS-STRUKTUREN
.
162
8.4
DER
METALL-OXID-SEMICONDUCTOR
F
ET
.
164
8.4.1
GROSSSIGNAL-VERHALTEN
DES
M
OSFET
.
166
8.4.2
DAS
KLEINSIGNAL-VERHALTEN
DES
M
OSFET
.
167
8.5
UEBUNGSAUFGABEN
.
169
A
LOESUNGEN
ZU
EINIGEN
UEBUNGSAUFGABEN
170
A.L
LOESUNGEN
ZU
KAPITEL
5
.
170
A.2
LOESUNGEN
ZU
KAPITEL
6
.
173
INDEX
182
LITERATURVERZEICHNIS
182 |
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