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Halbleiter: technische Erläuterungen und Kenndaten

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Erlangen ; München Publicis MCD Corporate Publ. 2001
Ausgabe:	2., neu bearb. Aufl.
Schlagworte:	Halbleiter Halbleiterbauelement Datensammlung
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	462 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3895780677

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Datensatz im Suchindex

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adam_text	INHALTSVERZEICHNIS 1 HALBLEITERGRUNDLAGEN UND GESCHICHTLICHER UEBERBLICK 15 1.1 EINFUEHRUNG 15 1.2 GESCHICHTLICHER UEBERBLICK 15 1.2.1 HALBLEITERDIODEN 15 1.2.2 BIPOLARE TRANSISTOREN 15 1.2.3 DER SIEGESZUG DES SILIZIUMS 16 1.2.4 ANDERE HALBEITERWERKSTOFFE UND BAUELEMENTE 17 1.2.5 FELDEFFEKT-TRANSISTOREN 17 1.2.6 INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTKREISE 17 1.2.7 EINTEILUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN 21 1.3 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE VON INTEGRIERTEN SCHALTKREISEN 21 1.3.1 BIPOLARE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN 22 1.3.2 INTEGRIERTE MOS-SCHALTUNGEN 30 1.4 SONSTIGE HALBLEITERBAUELEMENTE 36 1.4.1 HALBLEITERBAUTEILE OHNE SPEZIELLE STRUKTUR 36 1.4.2 HALBLEITERDIODEN 37 1.4.3 TRANSISTOREN 40 1.4.4 SONSTIGE INTEGRIERTE HALBLEITER 42 2 DIODEN UND TRANSISTOREN 43 2.1 HOCHFREQUENZ-DIODEN 43 2.2 LADUNGSTRAEGER-LEBENSDAUER UND SERIENWIDER- STAND VON HOCHFREQUENZ-PIN-DIODEN 44 2.2.1 WIE LASSEN SICH DIE ELEKTRISCHEN PARAMETER EINER PIN-DIODE MESSEN? 46 2.3 DEFINITION DER KAPAZITAETEN BEI BIPOLARTRANSISTOREN 47 2.3.1 WIE WERDEN C CB , C CE UND C EB GEMESSEN? 48 2.4 DEFINITION EINES KLEINSIGNAL-HF-TRANSISTORS DURCH DAS MESSEN VON DREI PARAMETERN 48 2.4.1 MESSUNG DER S-PARAMETER 49 2.4.2 MESSANORDNUNG ZUR BESTIMMUNG DER RAUSCHZAHL EINES TRANSISTORS 50 2.4.3 MESSANORDNUNG ZUR BESTIMMUNG DER RAUSCHZAHL EINES MISCHERS 51 2.4.4 MESSUNG DES IP3-WERTES (INTERCEPT-PUNKT 3.ORDNUNG) 5 I 2.5 SIEGET-BIPOLAR-HF-TRANSISTOREN - SPITZENREITER MIT 25 GHZ TRANSITFREQUENZ 52 2.5.1 AUFBAU 53 2.5.2 ANWENDUNGEN 55 2.6 SILIZIUM-MMICS: 50 OHM STABIL VON 0 BIS 3 GHZ 56 2.6.1 VIER APPLIKATIONSSCHALTUNGEN 59 2.6.2 NICHT NUR IM HANDY EINSETZBAR 61 2.7 STROM STABILISIEREN MIT DEM ARBEITSPUNKTSTABILISATOR BCR 400 62 2.7.1 ARBEITSWEISE 62 2.7.2 REGELVERHALTEN 63 3 LEISTUNGSHALBLEITER 65 3.1 IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR) 65 3.1.1 UNTERSCHIEDE ZWISCHEN MOSFET UND IGBT 65 3.1.2 IGBT-STRUKTUREN 66 3.1.3 SCHALTVERHALTEN 66 3.1.4 KURZSCHLUSSVERHALTEN DES IGBT 69 3.2 FETS-IGBTS NACH DEM LEITFAEHIGKEITSMODULATIONSPRINZIP 72 3.2.1 DER IGBT 73 3.2.2 EINFACHE ANSTEUERUNG 75 3.2.3 SCHALTEIGENSCHAFTEN DES IGBT 75 3.3 DAS UMSCHALTEN DES NPT-IGBT IN SEINEM EIN-ZUSTAND 76 3.3.1 URSACHEN FUER UMKEHRZUSTAENDE 76 3.3.2 EINTEILUNG DER UMKEHRZUSTAENDE 77 3.3.3 DER NPT-IGBT IN SEINEM UMKEHRZUSTAND 78 3.3.4 PRUEFEINRICHTUNGEN 81 3.4 UNIVERSELLER STEUERBAUSTEIN TLE 5208-6 G FUER GLEICHSTROMMOTOREN 84 3.4.1 EIGENSCHAFTEN 84 3.4.2 EINFUEHRUNG 84 3.4.3 PEGEL DER AUSGANGSTREIBER 89 3.4.4 PROGRAMMIEREN DES TLE 5208-6 G 90 3.4.5 ANWENDUNGEN 94 3.4.6 ANWENDUNGSPLATINE UND STEUERSOFTWARE 96 3.5 TRILITHLC 98 3.5.1 NEUE STEUERUNGSKOMPONENTEN FUER GLEICHSTROMMOTOREN 98 3.5.2 ANFORDERUNGEN AN H-BRUECKEN 99 3.5.3 WAHL DER TECHNOLOGIE: LATERAL ODER VERTIKAL? 99 3.5.4 DER TRILITH 101 3.5.5 DIE STAERKEN DES TRILITHLC IN TYPISCHEN ANWENDUNGEN 104 3.5.6 BESTIMMUNG VON R THS _ A FUER BELIEBIGE ANWENDUNGEN 106 3.5.7 DIE WICHTIGSTEN DATEN DER TRILITHICS 108 3.5.8 ANWENDUNGSBEISPIEL 109 3.5.9 HOCHSTROM-MOTORBRUECKE 112 3.5.10 ZUSAMMENFASSUNG 114 3.6 LEISTUNGSSTEUERUNGEN UND -ANTRIEBE 1 14 3.6.1 SCHALTNETZTEILE 1 14 3.6.2 GRUNDSCHALTUNGEN FUER SNT 1 16 3.6.3 SCHALTUNGSPRINZIPIEN DER WANDLER 116 3.6.4 AUSWAHLKRITERIEN FUER SCHALTNETZTEILE 120 3.6.5 BAUELEMENTE FUER SCHALTNETZTEILE 121 4 OPTOHALBLEITER 127 4.1 PHYSIK DER OPTISCHEN STRAHLUNG 127 4.1.1 GRUNDLAGEN UND BEGRIFFE 127 4.1.2 FOTODIODEN 130 4.1.3 SILIZIUM-FOTODIODEN 130 4.1.4 FOTOTRANSISTOREN 131 4.1.5 LUMINESZENZDIODEN 132 4.2 HALBLEITERLASER 135 4.2.1 GRUNDLAGEN DER HALBLEITERLASER 135 4.2.2 AUFBAU EINES OXIDSTREIFENLASERS 136 4.2.3 LASERARRAYS 137 4.2.4 WEITERE ANWENDUNGEN VON HALBLEITERLASERN: 140 4.3 OPTOKOPPLER UND SOLID STATE RELAYS 141 4.4 LICHTWELLENLEITER 143 4.4.1 OPTISCHE FASERN ALS UEBERTRAGUNGSMEDIUM 143 4.4.2 SENDE- UND EMPFANGSMODULE FUER LWL-ANWENDUNGEN 144 4.4.3 TRANSCEIVER FUER LWL-ANWENDUNGEN 146 4.4.4 LWL-STECKVERBINDUNGEN FUER GLASFASER 146 4.4.5 SENDE- UND EMPFANGSMODULE FUER PLASTIKFASERN 148 4.4.6 SCHNITTSTELLENMODULE FUER GLASFASER 148 4.4.7 MULTIPLEXSYSTEME 148 4.4.8 KOPPLUNGSELEMENTE FUER PLASTIKFASERN 148 4.4.9 ANWENDUNGSBEISPIELE FUER PLASTIKFASERN 150 4.5 IRDA - DATENUEBERTRAGUNG MIT INFRAROTER STRAHLUNG 150 4.5.1 IRDA - EIN WELTSTANDARD FUER ALLE GERAETE 152 4.5.2 VOLLER IRDA-STANDARD 153 5 SENSOREN 155 5.1 MAGNETFELDSENSOREN 155 5.1.1 HALL-EFFEKT-SENSOREN 155 5.1.2 GMRS 159 5.2 DRUCKSENSOREN 172 5.2.1 OBERFLAECHEN-MIKROMECHANISCHER DRUCKSENSOR (KP100) 172 5.2.2 PIEZORESISTIVER DRUCKSENSOR IN SMD-GEHAEUSE (KP200) 175 5.3 BEWEGUNGSSENSOR KMY 24 176 5.4 TEMPERATURSENSOREN 181 5.5 DETEKTOREN FUER ALPHA-, BETA-UND GAMMA-STRAHLEN 182 6 SPEICHER 185 6.1 SPEICHERTYPEN 185 6.2 GRUNDLAGEN UND EINSATZGEBIET DER DRAMS 186 6.2.1 WAS SIND SRAMS UND DRAMS? 186 6.2.2 DRAM-TYPEN 187 6.2.3 DIE SPEZIFIKATION 188 6.2.4 MECHANISCHER AUFBAU DES DRAM 188 6.2.5 FUNKTIONEN EINES DRAM AM BEISPIEL DES 16M (4MX4) 189 6.2.6 TECHNOLOGIE 195 6.2.7 INTERNER AUFBAU UND PRINZIPIELLE FUNKTION EINES DRAM 198 6.2.8 ENTWICKLUNG UND FERTIGUNG EINES DRAM 210 6.2.9 QUALITAETSSICHERUNG 212 6.3 WIE DRAMS SCHNELLER WERDEN 213 6.3.1 EDO-DRAMS BESCHLEUNIGEN SPEICHERZUGRIFF 214 6.3.2 SYNCHRON SCHNELLER 215 6.3.3 MODULE VEREINFACHEN SPEICHERAUFRUESTUNG 216 6.3.4 LEISTUNGSUNTERSCHIEDE IM SYSTEM 217 6.4 DIE ZUKUNFT DER DRAM-ARCHITEKTUREN 218 7 MIKROCONTROLLER 221 7.1 EINFUEHRUNG 221 7.2 8-BIT-MIKROCONTROLLER 221 7.2.1 EINFUEHRUNG 221 7.2.2 SPEICHERORGANISATION 221 7.2.3 ZUSATZFUNKTIONSREGISTERBEREICH 225 7.2.4 CPU-ARCHITEKTUR 225 7.2.5 GRUNDLEGENDE INTERRUPTVERARBEITUNG 228 7.2.6 E/A-ANSCHLUSSSTRUKTUREN 231 7.2.7 CPU-TAKTEINTEILUNG 232 7.2.8 ZUGRIFF AUF DEN EXTERNEN SPEICHER 234 7.2.9 UEBERBLICK UEBER DEN BEFEHLSSATZ 235 7.2.10 BLOCKSCHALTBILDER VON C500-MIKROCONTROLLERN 241 7.3 16-BIT-MIKROCONTROLLER 244 7.3.1 EINFUEHRUNG 244 7.3.2 DIE MITGLIEDER DER 16-BIT-MIKROCONTROLLER-FAMILIE 246 7.3.3 ARCHITEKTURUEBERSICHT 247 7.3.4 SPEICHERORGANISATION 248 7.3.5 GRUNDLEGENDE CPU-KONZEPTE UND -OPTIMIERUNGEN 248 7.3.6 DIE ON-CHIP-SYSTEMRESSOURCEN 253 7.3.7 EXTERNE BUSSCHNITTSTELLE 255 7.3.8 DIE ON-CHIP-PERIPHERIEBLOECKE 255 7.3.9 ENERGIEUEBERWACHUNGSMERKMALE 263 7.3.10 ZUSAMMENFASSUNG DES BEFEHLSSATZES 264 7.3.11 BLOCKDIAGRAMME DER 16-BIT-MIKROCONTROLLER 266 7.4 32-BIT-TRICORE-ARCHITEKTUR 266 7.4.1 DIE LEISTUNGSMERKMALE DER TRICORE-ARCHITEKLUR IN DER UEBERSICHT 272 7.4.2 PROGRAMM-ZUSTANDSREGISTER 272 7.4.3 DATENTYPEN 272 7.4.4 ADRESSIERUNGSARTEN 272 7.4.5 BEFEHLSFORMATE 273 7.4.6 TASKS UND KONTEXTE 273 7.4.7 UNTERBRECHUNGSSYSTEM 274 7.4.8 TRAP-SYSTEM 275 7.4.9 SCHUTZSYSTEM 275 7.4.10 RESET-SYSTEM 276 7.4.11 FEHLERSUCH-SYSTEM 276 7.4.12 PROGRAMMIERMODELL 277 7.4.13 SPEICHERMODELL 278 7.4.14 ADRESSIERUNGSART 280 7.4.15 KERNREGISTER 281 7.4.16 UNIVERSALREGISTER (GPRS) 282 8 CHIPKARTEN 287 8.1 UEBERSICHT 287 8.2 EINFUEHRUNG 287 8.3 MARKT 287 8.4 ANWENDUNGEN 288 8.5 GESCHAEFTLICHES BEZIEHUNGSGEFLECHT 291 8.6 PRODUKTE 291 8.7 KRYPTO-EXPERTISE 293 8.8 CHIPS FUER MULTIFUNKTIONALE KARTEN 294 8.9 *HUMAN INTERFACES" - EINE NEUE PERIPHERIE 296 8.10 TECHNOLOGIE UND FERTIGUNG 296 8.11 SICHERHEIT 298 8.12 AUSBLICK 299 9 AUTOMOBILELEKTRONIK 301 9.1 EINLEITUNG 301 9.2 ANWENDUNGEN 304 10 UNTERHALTIMGSELEKTRONIK 309 10.1 ABHEBEN IN DIE BREITBANDKOMMUNIKATION 309 10.1.1 DIGITALISIERUNG DES KABELFERNSEHENS 310 10.1.2 DER DIGITALE TERRESTRISCHE RUNDFUNK HEBT AB 311 10.1.3 VERBESSERTE RUECKKOPPLUNG FUER DEN DIGITALEN SATELLITENRUNDFUNK 312 10.2 MULTIMEDIACARD - IDEALER MASSENSPEICHER FUER MOBILE ENDGERAETE 314 10.2.1 VIELFAELTIGE ANWENDUNGEN 315 10.2.2 STANDARDISIERUNG ANGELAUFEN 316 10.2.3 FLEXIBLE SCHNITTSTELLE 316 10.2.4 128 MBYTE IM JAHRE 2001 317 10.3 BILDFEHLER BEHEBEN DURCH ENTMAGNETISIEREN MIT KALTLEITER 319 10.3.1 PTC-TECHNOLOGIE 320 10.3.2 KOSTENASPEKTE 320 10.3.3 DAEMPFUNGSCHARAKTERISTIK UND TEMPERATURABHAENGIGKEIT 322 10.3.4 DESIGN FUER LANGZEITSTABILITAET 322 11 KOMMUNIKATIONSBAUSTEINE 325 11.1 UEBERBLICK UND TRENDS 325 11.1.1 STRATEGISCHE ZIELE 326 11.1.2 GLOBALE PRAESENZ UND LOKALE KOMPETENZ 326 11.1.3 WERTSCHOEPFUNG IM EIGENEN HAUS 326 11.1.4 SWITCHING-ICS 327 11.1.5 NETWORK ICS 327 1 1.1.6 COMMUNICATION TERMINAL ICS 327 11.2 ISDN: VON DER VERMITTLUNG BIS ZUM ANWENDER 328 11.2.1 FUNKTIONSBLOECKE IM ISDN 328 11.2.2 DIGITAL-LINECARD 329 11.2.3 EXTENDED-LINECARD-CONTROLLER(ELIC) 331 11.2.4 ISDN-D-CHANNEL-EXCHANGE-CONTROLLER (IDEC) 331 11.2.5 U-TRANSCEIVER FUER DAS ANALOG-FRONTEND 332 11.2.6 ISDN-HIGH-VOLTAGE-POWER-CONTROLLER (IHPC) 332 11.2.7 NETWORK-TERMINATION 332 11.2.8 INTELLIGENT-NETWORK-TERMINATION-CONTROLLER (INTC) 333 11.2.9 ISDN-DC-DC-WANDLER (IDDC) 334 11.2.10 ISDN-S-INTERFACE-FEEDER-CIRCUIT(ISFC) 334 11.2.1 1 DUAL-SIGNAL-PROCESSING-CODEC-FILTER 334 11.3 PREISWERTE ISDN-ENDGERAETE DANK IPAC 336 11.3.1 EINCHIPLOESUNG IPAC 336 11.3.2 DESIGNABHAENGIGE BUSTREIBER ENTFALLEN 337 1 1.3.3 EINFACHE SOFTWAREUMSTELLUNG 338 11.3.4 FLEXIBLES DESIGN 338 11.4 REFERENZ-DESIGNS FUER ISDN 339 11.4.1 KOMPLETTE LOESUNGEN FUEHREN ZUR SCHNELLEREN VERMARKTUNG 339 11.4.2 HARDWARE 340 11.4.3 SOFTWARE 340 11.4.4 ISDN-ZUGANG 340 11.5 QUALITAETSANALYSE IM TELEFONNETZ , 341 11.5.1 TIQUS FUER JEDES TELEFONNETZ 341 1 1.5.2 PIQOS: QUALITAETSANALYSE ALS DIENSTLEISTUNG 342 1 1.5.3 BEI ANRUF TEST: DIE PROBEVERBINDUNG 342 1 1.5.4 ISDN-ZUGANGSTECHNOLOGIE VON INFINEON 343 1 1.6 FLEXIBLES CHIPKONZEPT SENKT KOSTEN BEI NEBENSTELLENANLAGEN 344 11.6.1 EINLEITUNG 344 1 1.6.2 KOSTENGUENSTIGE SYSTEMLOESUNGEN 344 11.6.3 TREND ZUR VERKLEINERUNG 344 1 1.6.4 AUF DIGITALE PBX ZUGESCHNITTENE ICS 345 1 1.6.5 FLEXIBILITAET DURCH UMPROGRAMMIERUNG 346 1 1.6.6 LEISTUNGSFAEHIGER DSP 347 1 1.7 NAECHSTE ARCHITEKTUR-GENERATION VON MOBIL-ENDGERAETEN - GOLDIGE ZUKUNFT FUER GSM 348 11.7.1 EINLEITUNG 348 11.7.2 E-GOLD - ERWEITERUNG DES GOLD-STANDARDS 348 1 1.7.3 DER NAECHSTE SCHRITT: E-GOLD+ 349 1 1.7.4 ANWENDUNGSUNTERSTUETZUNG 349 11.7.5 DIE ZUKUNFT 350 11.8 DIGITALE ANRUFBEANTWORTER 350 11.8.1 TREND ZUR DIGITALISIERUNG 351 11.8.2 DSP REDUZIERT DATEN 351 11.8.3 EINKANALIGER CODEC GENUEGT 352 11.8.4 SAM BIETET KOSTENOPTIMIERUNG 353 1 1.8.5 ENTWICKLUNG LEICHT GEMACHT 357 1 1.9 DAS UNIVERSELLE MODEM ALIS 358 1 1.9.1 ALIS KOMMT OHNE TRANSFORMATOR AUS 358 12 KUNDENSPEZIFISCHE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN 365 12.1 SEMICUSTOM IC 365 12.1.1 GATEARRAYS 366 12.1.2 ZELLDESIGN 366 12.1.3 GATEARRAY ODER ZELLDESIGN? 366 12.2 TECHNOLOGIEN 367 12.2.1 BIPOLARE SEMICUSTOM ICS 367 12.2.2 CMOS SEMICUSTOM ICS 367 12.2.3 BIPOLARE GATEARRAYS 368 12.2.4 BIPOLARE TRANSISTORARRAYS (LINEARARRAYS) 369 12.3 GEHAEUSEVARIANTEN 370 12.4 ZUSAMMENARBEIT KUNDE-IC HERSTELLER 370 13 GEHAEUSE 373 13.1 GEHAEUSESTRATEGIE - SCHLUESSEL ZUM MARKT 373 13.1.1 TRENDS WELTWEIT: IC-GEHAEUSE 373 13.1.2 TRENDS WELTWEIT: PASSIVE BAUELEMENTE 375 13.2 TREIBENDE KRAEFTE 376 13.3 FINE PITCH UND ALTERNATIVEN 377 13.4 IC PACKAGING ROAD MAP-WOHIN GEHT DIE REISE? 378 13.5 DISKRETE HALBLEITER: SMD-GEHAEUSE ENTWICKLUNG 380 14 QUALITAET 385 14.1 ELEMENTE DER QUALITAET 385 14.2 QUALITAETSMASSNAHMEN IN GESCHAEFTSPROZESSEN 386 14.3 VERARBEITBARKEIT BEIM KUNDEN 387 15 GLOSSAR 395
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