Numerische Simulation der Versetzungsmultiplikation in multikristallinem Silicium aus der gerichteten Blockkristallisation:
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2001
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| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Beschreibung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2000 |
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INHALTSVERZEICHNIS
0
KURZFASSUNG
I
1
EINLEITUNG
UND
ZIELSETZUNG
1
2
GRUNDLAGEN
4
2.1
KRISTALLISATIONSVERFAHREN
FUER
SOLARSILICIUM
.
4
2.2
NUMERISCHE
SIMULATION
.
10
2.3
PLASTISCHES
VERHALTEN
VON
SILICIUM
.
14
3
NUMERISCHE
SIMULATION
DER
TEMPERATURVERTEILUNG
19
3.1
DAS
SIMULATIONSMODELL
EINER
KRISTALLISATIONSKAMMER
.
19
3.2
VERIFIKATION
DER
SIMULATIONSERGEBNISSE
.
23
3.3
BEISPIELE
DER
TEMPERATURFELDBERECHNUNG
.
24
3.3.1
VARIATION
DER
KRISTALLISATIONSBEDINGUNGEN
.
25
3.3.2
FALLSTUDIEN
ZUR
KRISTALLISATION
GROSSER
SILICIUMBLOECKE
.
.
26
4
BERECHNUNG
THERMISCHER
SPANNUNGEN
31
4.1
DAS
SIMULATIONSMODELL
ZUR
SPANMMGSBERECHNUNG
.
31
4.2
FALLSTUDIEN
DER
SPANNUNGSBERECHNUNG
IN
SILICIUMBLOECKEN
.
34
4.2.1
ELASTISCHE
SPANNUNGEN
WAEHREND
DER
ERSTARRUNG
.
34
4.2.2
ELASTISCHE
SPANNUNGEN
WAEHREND
DER
ABKUEHLUNG
.
37
5
VERSETZUNGSMULTIPLIKATION
BEI
DER
BLOCKKRISTALLISATION
38
5.1
DAS
MODELL
DER
VERSETZUNGSMULTIPLIKATION
.
39
5.1.1
EINGANGSDATENBASIS
FUER
DAS
VERSETZUNGSMODELL
.
42
5.1.2
SENSITIVITAETSANALYSE
DER
MODELLPARAMETER
.
45
5.1.3
ANWENDBARKEIT
DES
VERSETZUNGSMODELLS
AUF
SILICIUM
.
.
47
5.2
ANWENDUNG
DES
VERSETZUNGSMODELLS
FUER
BLOCKSILICIUM
.
52
5.2.1
EINFLUSS
DER
KORNGROESSE
AUF
DEN
VERSETZUNGSLAUFWEG
.
.
52
5.2.2
EINFLUSS
VON
FREMDATOMEN
AUF
DIE
VERSETZUNGSBEWEGUNG
53
5.3
BERECHNUNG
DER
VERSETZUNGSDICHTE
BEI
DER
BLOCKKRISTALLISATION
56
5.3.1
VERSETZUNGSMULTIPLIKATION
NAHE
DER
PHASENGRENZE
.
56
5.3.2
VERSETZUNGSMULTIPLIKATION
WAEHREND
DER
ABKUEHLUNG
.
.
57
5.3.3
VERGLEICH
DER
RECHENERGEBNISSE
MIT
MESSUNGEN
.
58
5.3.4
FALLSTUDIEN
DER
PROZESSFUEHRUNG
UND
VERFAHRENSVERBES
SERUNG
.
60
6
VERSETZUNGSMULTIPLIKATION
IN
MULTIKRISTALLINEM
SILICIUM
65
6.1
VERTEILUNG
DER
VERSETZUNGSDICHTE
IN
MULTIKRISTALLINEM
SILICIUM
66
6.2
SUBMODELLING
DER
TEMPERATUR
UND
SPANNUNGSVERTEILUNG
.
66
6.3
DAS
MODELL
DER
GLEITEBENENABHAENGIGEN
VERSETZUNGSMULTIPLIKA
TION
.
68
6.4
BERECHNUNG
DER
VERSETZUNGSDICHTE
IN
MULTIKRISTALLINEM
SILICIUM
70
7
AUSBLICK
77
VIII |
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