Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen:
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | German |
| Published: |
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Item Description: | München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000 |
| Physical Description: | V, 125 S. Ill., zahlr. graph. Darst. |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV013552696 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20010820 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 010124s2000 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 960744185 |2 DE-101 | |
| 035 | |a (OCoLC)76254585 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV013552696 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-12 |a DE-706 | ||
| 084 | |a PHY 658d |2 stub | ||
| 084 | |a ELT 321d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Schulze, Jörg |d 1972- |e Verfasser |0 (DE-588)122674804 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen |c von Jörg Schulze |
| 264 | 1 | |c 2000 | |
| 300 | |a V, 125 S. |b Ill., zahlr. graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Germanium |0 (DE-588)4135644-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Kristallfläche |0 (DE-588)4151344-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Bor |0 (DE-588)4007709-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Germanium |0 (DE-588)4135644-5 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Kristallfläche |0 (DE-588)4151344-7 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Bor |0 (DE-588)4007709-3 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009254697&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009254697 | |
Record in the Search Index
| _version_ | 1807322847529402368 |
|---|---|
| adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
1
2.
DIE
BILDNNGSMECHANISMEN
DER
SI(L
11)
73
X
43
-R30-B-OBERFLAECHENPHASEN
4
2.1
DER
SI-KRISTALL
4
2.2
SI-OBERFLAECHENPHASEN
UND
NOTATION
6
2.3
DIE
SI(L
1
1)-73
X
73
-R30-B-OBERFLAECHENPHASEN
8
2.4
EXPERIMENTELLE
UNTERSUCHUNGEN
ZUM
BILDUNGSMECHANISMUS
DER
BOP
10
2.5
ZUSAMMENFASSUNG
UND
MODELLBILDUNG
17
2.6
TEMPERATURSTABILITAET
EINER
TYP-I-BOP
21
2.7
SCHLUSSFOLGERUNGEN
AUS
DEN
ERGEBNISSEN
ZUM
BILDUNGSMECHANISMUS
DER
26
BOP
FUER
DIE
WEITERE
CHARAKTERISIERUNG
DIESER
PHASEN
UND
HYPOTHESEN
BILDUNG
3.
WACHSTUM
VON
SI
AUF
BOP
30
3.1
PROBENPRAEPARATION
30
3.2
SI-WACHSTUM
AUF
EINER
TYP-I-BOP
31
3.3
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
DER
SI-FILME
44
3.4
SI-WACHSTUM
AUF
EINER
TYP-II-BOP
45
3.5
ZUSAMMENFASSUNG
UND MODELLBILDUNG
46
4.
WACHSTUM
VON
GE
AUF
BOP
48
4.1
PROBENPRAEPARATION
48
4.2
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
EINES
KRISTALLINEN
GE-FILMS
AUF
EINER
BOP
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
SEINER
DICKE
DCE.O
49
4.3
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
EINES
KRISTALLINEN
GE-FILMS
DER
DICKE
DOC.D
=
15
NM
IN
ABHAENGIGKEIT VON
DER
B-FLAECHENKONZENTRATION
O
B
IN
DER
B-6-SCHICHT
55
4.4
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
EINES
KRISTALLINEN
GE-FILMS
DER
DICKE
DOE.D
=
15
NM
AUF
EINER
TYP-I-BOP
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
GE
DEPOSITIONSTEMPERATUR
TP
58
4.5
TEMPERATURSTABILITAET
DER
GE-INSELN
61
4.6
ZUSAMMENFASSUNG
UND
MODELLBILDUNG
61
5.
DER
VERTIKALE
TUNNELTRANSISTOR
MIT
FELDEFFEKTSTEUERUNG
68
5.1
TRANSISTORSTRUKTUR
UND
FUNKTIONSWEISE
68
5.2
PROBENPRAEPARATION
72
5.3
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
EINES
SI(100)-VTT
MIT
EINEM
76
STANDARD-B-8
5.4
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
EINES
SI(
11
L)-VTT
MIT
EINER
91
TYP-II-BOP
6.
DISKUSSION
DER
THESEN
UND AUSBLICK
108
7.
LITERATURVERZEICHNIS
112
8.
ANHANG
119
A.
1
UEBERSICHT
ALLER
IM
TEXT
VERWENDETEN
ABKUERZUNGEN
A.2
WICHTIGE
KONSTANTEN UND
STOFFDATEN
121
122
DANKSAGUNG
124
LEBENSLAUF
125 |
| any_adam_object | 1 |
| author | Schulze, Jörg 1972- |
| author_GND | (DE-588)122674804 |
| author_facet | Schulze, Jörg 1972- |
| author_role | aut |
| author_sort | Schulze, Jörg 1972- |
| author_variant | j s js |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV013552696 |
| classification_tum | PHY 658d ELT 321d |
| ctrlnum | (OCoLC)76254585 (DE-599)BVBBV013552696 |
| discipline | Physik Elektrotechnik |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV013552696</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20010820</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">010124s2000 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">960744185</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76254585</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV013552696</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PHY 658d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schulze, Jörg</subfield><subfield code="d">1972-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)122674804</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen</subfield><subfield code="c">von Jörg Schulze</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2000</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">V, 125 S.</subfield><subfield code="b">Ill., zahlr. graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kristallfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151344-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Bor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4007709-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Kristallfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151344-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Bor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4007709-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009254697&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009254697</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV013552696 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-08-14T01:02:59Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009254697 |
| oclc_num | 76254585 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-706 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-706 |
| physical | V, 125 S. Ill., zahlr. graph. Darst. |
| publishDate | 2000 |
| publishDateSearch | 2000 |
| publishDateSort | 2000 |
| record_format | marc |
| spelling | Schulze, Jörg 1972- Verfasser (DE-588)122674804 aut Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen von Jörg Schulze 2000 V, 125 S. Ill., zahlr. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000 Germanium (DE-588)4135644-5 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Kristallfläche (DE-588)4151344-7 gnd rswk-swf Bor (DE-588)4007709-3 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Germanium (DE-588)4135644-5 s Kristallfläche (DE-588)4151344-7 s Bor (DE-588)4007709-3 s Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 s MOS-FET (DE-588)4207266-9 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009254697&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Schulze, Jörg 1972- Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Kristallfläche (DE-588)4151344-7 gnd Bor (DE-588)4007709-3 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4135644-5 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4151344-7 (DE-588)4007709-3 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4273432-0 (DE-588)4113937-9 |
| title | Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen |
| title_auth | Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen |
| title_exact_search | Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen |
| title_full | Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen von Jörg Schulze |
| title_fullStr | Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen von Jörg Schulze |
| title_full_unstemmed | Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen von Jörg Schulze |
| title_short | Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen |
| title_sort | bor oberflachenphasen in vertikalen si und sige schichtstrukturen |
| topic | Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Kristallfläche (DE-588)4151344-7 gnd Bor (DE-588)4007709-3 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd |
| topic_facet | Germanium Silicium Kristallfläche Bor MOS-FET Schichtwachstum Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009254697&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT schulzejorg boroberflachenphaseninvertikalensiundsigeschichtstrukturen |