Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2000
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| Beschreibung: | München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
1
2.
DIE
BILDNNGSMECHANISMEN
DER
SI(L
11)
73
X
43
-R30-B-OBERFLAECHENPHASEN
4
2.1
DER
SI-KRISTALL
4
2.2
SI-OBERFLAECHENPHASEN
UND
NOTATION
6
2.3
DIE
SI(L
1
1)-73
X
73
-R30-B-OBERFLAECHENPHASEN
8
2.4
EXPERIMENTELLE
UNTERSUCHUNGEN
ZUM
BILDUNGSMECHANISMUS
DER
BOP
10
2.5
ZUSAMMENFASSUNG
UND
MODELLBILDUNG
17
2.6
TEMPERATURSTABILITAET
EINER
TYP-I-BOP
21
2.7
SCHLUSSFOLGERUNGEN
AUS
DEN
ERGEBNISSEN
ZUM
BILDUNGSMECHANISMUS
DER
26
BOP
FUER
DIE
WEITERE
CHARAKTERISIERUNG
DIESER
PHASEN
UND
HYPOTHESEN
BILDUNG
3.
WACHSTUM
VON
SI
AUF
BOP
30
3.1
PROBENPRAEPARATION
30
3.2
SI-WACHSTUM
AUF
EINER
TYP-I-BOP
31
3.3
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
DER
SI-FILME
44
3.4
SI-WACHSTUM
AUF
EINER
TYP-II-BOP
45
3.5
ZUSAMMENFASSUNG
UND MODELLBILDUNG
46
4.
WACHSTUM
VON
GE
AUF
BOP
48
4.1
PROBENPRAEPARATION
48
4.2
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
EINES
KRISTALLINEN
GE-FILMS
AUF
EINER
BOP
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
SEINER
DICKE
DCE.O
49
4.3
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
EINES
KRISTALLINEN
GE-FILMS
DER
DICKE
DOC.D
=
15
NM
IN
ABHAENGIGKEIT VON
DER
B-FLAECHENKONZENTRATION
O
B
IN
DER
B-6-SCHICHT
55
4.4
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
EINES
KRISTALLINEN
GE-FILMS
DER
DICKE
DOE.D
=
15
NM
AUF
EINER
TYP-I-BOP
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
GE
DEPOSITIONSTEMPERATUR
TP
58
4.5
TEMPERATURSTABILITAET
DER
GE-INSELN
61
4.6
ZUSAMMENFASSUNG
UND
MODELLBILDUNG
61
5.
DER
VERTIKALE
TUNNELTRANSISTOR
MIT
FELDEFFEKTSTEUERUNG
68
5.1
TRANSISTORSTRUKTUR
UND
FUNKTIONSWEISE
68
5.2
PROBENPRAEPARATION
72
5.3
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
EINES
SI(100)-VTT
MIT
EINEM
76
STANDARD-B-8
5.4
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
EINES
SI(
11
L)-VTT
MIT
EINER
91
TYP-II-BOP
6.
DISKUSSION
DER
THESEN
UND AUSBLICK
108
7.
LITERATURVERZEICHNIS
112
8.
ANHANG
119
A.
1
UEBERSICHT
ALLER
IM
TEXT
VERWENDETEN
ABKUERZUNGEN
A.2
WICHTIGE
KONSTANTEN UND
STOFFDATEN
121
122
DANKSAGUNG
124
LEBENSLAUF
125 |
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