Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide:
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Thesis Book |
| Language: | German |
| Published: |
München
Walter-Schottky-Inst.
2000
|
| Edition: | 1. Aufl. |
| Series: | Selected topics of semiconductor physics and technology
31 |
| Subjects: | |
| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Physical Description: | IV, 275 S. graph. Darst. : 21 cm |
| ISBN: | 3932749316 |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV013471792 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20020305 | ||
| 007 | t| | ||
| 008 | 001128s2000 gw d||| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 960151893 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3932749316 |9 3-932749-31-6 | ||
| 035 | |a (OCoLC)70672941 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV013471792 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-91 |a DE-12 |a DE-355 |a DE-634 | ||
| 084 | |a UQ 8500 |0 (DE-625)146599: |2 rvk | ||
| 084 | |a PHY 688d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Janssen, Rainer |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide |c Rainer Janssen. Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik II, Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München |
| 250 | |a 1. Aufl. | ||
| 264 | 1 | |a München |b Walter-Schottky-Inst. |c 2000 | |
| 300 | |a IV, 275 S. |b graph. Darst. : 21 cm | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Selected topics of semiconductor physics and technology |v 31 | |
| 502 | |a Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Siliciumoxide |0 (DE-588)4181398-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Wasserstoff |0 (DE-588)4064784-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 655 | 7 | |a Suboxide |2 gnd |9 rswk-swf | |
| 689 | 0 | 0 | |a Siliciumoxide |0 (DE-588)4181398-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Siliciumoxide |0 (DE-588)4181398-4 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Suboxide |A f |
| 689 | 1 | 2 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |D s |
| 689 | 1 | 3 | |a Wasserstoff |0 (DE-588)4064784-5 |D s |
| 689 | 1 | 4 | |a Dünne Schicht |0 (DE-588)4136925-7 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Selected topics of semiconductor physics and technology |v 31 |w (DE-604)BV011499438 |9 31 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009195232&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009195232 | |
Record in the Search Index
| _version_ | 1816443876365303808 |
|---|---|
| adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
1
1
EINLEITUNG
5
2
UEBERBLICK
UEBER
VEROEFFENTLICHUNGEN
AUF
DEM
GEBIET
AMORPHER
SUBOXIDE
11
2.1
DEPOSITIONSMETHODEN
AMORPHER
SUBOXIDE
12
2.2
STRUKTURMODELLE
16
2.3
ELEKTRONISCHE
ZUSTANDSDICHTE
20
2.4
INFRAROT-SPEKTROSKOPIE
23
2.5
PHOTOLUMINESZENZ
30
2.6
ANWENDUNGEN
AMORPHER
SUBOXIDE
35
3
DEPOSITION
VON
A-SIO,:H
39
3.1
AUFBAU
DER
PECVD-ANLAGE
39
3.2
PLASMAPROZESSE
UND
SCHICHTWACHSTUM
42
3.3
SAUERSTOFFGEHALT
DER
PROBEN
UND
DEPOSITIONSRATE
46
4
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
49
4.1
WASSERSTOFF-EFFUSIONSMESSUNGEN
49
4.1.1
MODELL
DER
WASSERSTOFF-EFFUSIONSPROZESSE
50
4.1.2
EFFUSIONSSPEKTREN
UNDOTIERTER
SUBOXIDE
53
4.1.3
EFFUESIONSSPEKTREN
DOTIERTER
SUBOXIDE
57
4.1.4
BESTIMMUNG
DES
WASSERSTOFF-GEHALTS
59
4.2
INFRAROT-SPEKTROSKOPIE
63
4.2.1
SI-O-SI
STRECKSCHWINGUNG
63
INHALTSVERZEICHNIS
4.2.2
SI-H
STRECKSCHWINGUNGEN
73
4.2.3
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
STRUKTUR
P-DOTIERTER
SUBOXIDE
80
5
OPTISCHE
UND
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
83
5.1
OPTISCHE
ABSORPTION
85
5.1.1
OPTISCHE
BANDLUECKE
87
5.1.2
URBACHENERGIE
90
5.1.3
DEFEKTDICHTE
93
5.2
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
OPTISCHEN
UND
ELEKTRONISCHEN
EIGENSCHAFTEN
99
5.2.1
OPTISCHE
ABSORPTION
99
5.2.2
ELEKTRONEN-SPIN-RESONANZ
104
5.3
BRECHUNGSINDEX
107
5.4
PHOTOLUMINESZENZ
112
6
DOTIERUNG
UND
ELEKTRISCHER
TRANSPORT
123
6.1
DUNKELLEITFAEHIGKEIT
128
6.2
PHOTOLEITFAEHIGKEIT
135
6.3
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
LEITFAEHIGKEIT
DOTIERTER
SUBOXIDE
141
6.3.1
DUNKELLEITFAEHIGKEIT
142
6.3.2
TEMPERATURABHAENGIGE
DUNKELLEITFAEHIGKEIT
148
6.3.3
AKZEPTORDICHTE
IN
P-TYP
DOTIERTEN
SUBOXIDEN
152
7
PIN-DIODEN
AUF
DER
BASIS
AMORPHER
SUBOXIDE
157
7.1
SCHEMATISCHER
AUFBAU
DER
DIODEN
157
7.2
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
159
7.2.1
KENNLINIEN
REALER
A-SIO
X
:H
PIN-DIODEN
159
7.2.2
VARIATION
DER
DICKE
DER
INTRINSISCHEN
SCHICHT
162
7.2.3
VARIATION
DER
BANDLUECKE
DER
I
UND
P-SCHICHT
164
7.2.4
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
167
7.2.5
SPERRSPANNUNGS-CHARAKTERISTIK
177
7.2.6
STABILITAET
DER
DIODEN
182
7.2.7
FOWLER-NORDHEIM-TUNNELMODELL
186
II
INHALTSVERZEICHNIS
7.3
NUMERISCHE
SIMULATION
190
8
ELEKTROLUMINESZENZ
205
8.1
MESSAUFBAU
207
8.2
ELEKTROLUMINESZENZ
UNBEHANDELTER
DIODEN
208
8.3
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
ELEKTROHIMINESZENZ
212
8.3.1
VARIATION
DER
DICKE
DER
INTRINSISCHEN
SCHICHT
212
8.3.2
VARIATION
DER
BANDLUECKE
DER
I
UND
P-SCHICHT
218
8.4
STABILITAET
DER
ELEKTROLUMINESZENZ
223
8.5
DYNAMIK
DER
ELEKTROLUMINESZENZ
226
9
ERBIUM-DOTIERTE
AMORPHE
SUBOXIDE
229
9.1
ERBIUM
ALS
LUMINESZENZZENTRUM
230
9.2
ANREGUNG
DER
ER
34
-IONEN
IN
A-SI:H
UND
A-SIO
X
:H
232
9.3
IMPLANTATION
VON
ER
3+
-IONEN
IN
AMORPHE
SUBOXIDE
236
9.4
OPTISCHE
ABSORPTION
ERBIUM-IMPLANTIERTER
AMORPHER
SUBOXIDE
238
9.5
PHOTOLUMINESZENZ
ERBIUM-IMPLANTIERTER
AMORPHER
SUBOXIDE
243
10
AUSBLICK
253
LITERATURVERZEICHNIS
255
LISTE
DER
VEROEFFENTLICHUNGEN
271
DANKSAGUNG
273
III |
| any_adam_object | 1 |
| author | Janssen, Rainer |
| author_facet | Janssen, Rainer |
| author_role | aut |
| author_sort | Janssen, Rainer |
| author_variant | r j rj |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV013471792 |
| classification_rvk | UQ 8500 |
| classification_tum | PHY 688d |
| ctrlnum | (OCoLC)70672941 (DE-599)BVBBV013471792 |
| discipline | Physik |
| edition | 1. Aufl. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV013471792</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20020305</controlfield><controlfield tag="007">t|</controlfield><controlfield tag="008">001128s2000 gw d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">960151893</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3932749316</subfield><subfield code="9">3-932749-31-6</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)70672941</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV013471792</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UQ 8500</subfield><subfield code="0">(DE-625)146599:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PHY 688d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Janssen, Rainer</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide</subfield><subfield code="c">Rainer Janssen. Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik II, Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1. Aufl.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">München</subfield><subfield code="b">Walter-Schottky-Inst.</subfield><subfield code="c">2000</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">IV, 275 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst. : 21 cm</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Selected topics of semiconductor physics and technology</subfield><subfield code="v">31</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4181398-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4064784-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Suboxide</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4181398-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumoxide</subfield><subfield code="0">(DE-588)4181398-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Suboxide</subfield><subfield code="A">f</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4064784-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="4"><subfield code="a">Dünne Schicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4136925-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Selected topics of semiconductor physics and technology</subfield><subfield code="v">31</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV011499438</subfield><subfield code="9">31</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009195232&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009195232</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Suboxide gnd |
| genre_facet | Hochschulschrift Suboxide |
| id | DE-604.BV013471792 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-11-22T17:17:51Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3932749316 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009195232 |
| oclc_num | 70672941 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-355 DE-BY-UBR DE-634 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-355 DE-BY-UBR DE-634 |
| physical | IV, 275 S. graph. Darst. : 21 cm |
| publishDate | 2000 |
| publishDateSearch | 2000 |
| publishDateSort | 2000 |
| publisher | Walter-Schottky-Inst. |
| record_format | marc |
| series | Selected topics of semiconductor physics and technology |
| series2 | Selected topics of semiconductor physics and technology |
| spelling | Janssen, Rainer Verfasser aut Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide Rainer Janssen. Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik II, Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München 1. Aufl. München Walter-Schottky-Inst. 2000 IV, 275 S. graph. Darst. : 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Selected topics of semiconductor physics and technology 31 Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000 Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd rswk-swf Siliciumoxide (DE-588)4181398-4 gnd rswk-swf Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Suboxide gnd rswk-swf Siliciumoxide (DE-588)4181398-4 s Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s DE-604 Suboxide f Wasserstoff (DE-588)4064784-5 s Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 s Selected topics of semiconductor physics and technology 31 (DE-604)BV011499438 31 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009195232&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Janssen, Rainer Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide Selected topics of semiconductor physics and technology Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Siliciumoxide (DE-588)4181398-4 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4306087-0 (DE-588)4181398-4 (DE-588)4136925-7 (DE-588)4158814-9 (DE-588)4064784-5 (DE-588)4113937-9 |
| title | Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide |
| title_auth | Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide |
| title_exact_search | Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide |
| title_full | Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide Rainer Janssen. Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik II, Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München |
| title_fullStr | Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide Rainer Janssen. Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik II, Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München |
| title_full_unstemmed | Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide Rainer Janssen. Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik II, Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München |
| title_short | Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide |
| title_sort | strukturelle und elektronische eigenschaften amorpher silizium suboxide |
| topic | Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Siliciumoxide (DE-588)4181398-4 gnd Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd |
| topic_facet | Amorpher Zustand Siliciumoxide Dünne Schicht Halbleitertechnologie Wasserstoff Hochschulschrift Suboxide |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009195232&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| volume_link | (DE-604)BV011499438 |
| work_keys_str_mv | AT janssenrainer strukturelleundelektronischeeigenschaftenamorphersiliziumsuboxide |