Strukturelle und elektronische Eigenschaften amorpher Silizium-Suboxide:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
München
Walter-Schottky-Inst.
2000
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
31 |
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | IV, 275 S. graph. Darst. : 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
1
1
EINLEITUNG
5
2
UEBERBLICK
UEBER
VEROEFFENTLICHUNGEN
AUF
DEM
GEBIET
AMORPHER
SUBOXIDE
11
2.1
DEPOSITIONSMETHODEN
AMORPHER
SUBOXIDE
12
2.2
STRUKTURMODELLE
16
2.3
ELEKTRONISCHE
ZUSTANDSDICHTE
20
2.4
INFRAROT-SPEKTROSKOPIE
23
2.5
PHOTOLUMINESZENZ
30
2.6
ANWENDUNGEN
AMORPHER
SUBOXIDE
35
3
DEPOSITION
VON
A-SIO,:H
39
3.1
AUFBAU
DER
PECVD-ANLAGE
39
3.2
PLASMAPROZESSE
UND
SCHICHTWACHSTUM
42
3.3
SAUERSTOFFGEHALT
DER
PROBEN
UND
DEPOSITIONSRATE
46
4
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
49
4.1
WASSERSTOFF-EFFUSIONSMESSUNGEN
49
4.1.1
MODELL
DER
WASSERSTOFF-EFFUSIONSPROZESSE
50
4.1.2
EFFUSIONSSPEKTREN
UNDOTIERTER
SUBOXIDE
53
4.1.3
EFFUESIONSSPEKTREN
DOTIERTER
SUBOXIDE
57
4.1.4
BESTIMMUNG
DES
WASSERSTOFF-GEHALTS
59
4.2
INFRAROT-SPEKTROSKOPIE
63
4.2.1
SI-O-SI
STRECKSCHWINGUNG
63
INHALTSVERZEICHNIS
4.2.2
SI-H
STRECKSCHWINGUNGEN
73
4.2.3
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
STRUKTUR
P-DOTIERTER
SUBOXIDE
80
5
OPTISCHE
UND
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
83
5.1
OPTISCHE
ABSORPTION
85
5.1.1
OPTISCHE
BANDLUECKE
87
5.1.2
URBACHENERGIE
90
5.1.3
DEFEKTDICHTE
93
5.2
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
OPTISCHEN
UND
ELEKTRONISCHEN
EIGENSCHAFTEN
99
5.2.1
OPTISCHE
ABSORPTION
99
5.2.2
ELEKTRONEN-SPIN-RESONANZ
104
5.3
BRECHUNGSINDEX
107
5.4
PHOTOLUMINESZENZ
112
6
DOTIERUNG
UND
ELEKTRISCHER
TRANSPORT
123
6.1
DUNKELLEITFAEHIGKEIT
128
6.2
PHOTOLEITFAEHIGKEIT
135
6.3
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
LEITFAEHIGKEIT
DOTIERTER
SUBOXIDE
141
6.3.1
DUNKELLEITFAEHIGKEIT
142
6.3.2
TEMPERATURABHAENGIGE
DUNKELLEITFAEHIGKEIT
148
6.3.3
AKZEPTORDICHTE
IN
P-TYP
DOTIERTEN
SUBOXIDEN
152
7
PIN-DIODEN
AUF
DER
BASIS
AMORPHER
SUBOXIDE
157
7.1
SCHEMATISCHER
AUFBAU
DER
DIODEN
157
7.2
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
159
7.2.1
KENNLINIEN
REALER
A-SIO
X
:H
PIN-DIODEN
159
7.2.2
VARIATION
DER
DICKE
DER
INTRINSISCHEN
SCHICHT
162
7.2.3
VARIATION
DER
BANDLUECKE
DER
I
UND
P-SCHICHT
164
7.2.4
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN
167
7.2.5
SPERRSPANNUNGS-CHARAKTERISTIK
177
7.2.6
STABILITAET
DER
DIODEN
182
7.2.7
FOWLER-NORDHEIM-TUNNELMODELL
186
II
INHALTSVERZEICHNIS
7.3
NUMERISCHE
SIMULATION
190
8
ELEKTROLUMINESZENZ
205
8.1
MESSAUFBAU
207
8.2
ELEKTROLUMINESZENZ
UNBEHANDELTER
DIODEN
208
8.3
EINFLUSS
VON
TEMPERUNG
AUF
DIE
ELEKTROHIMINESZENZ
212
8.3.1
VARIATION
DER
DICKE
DER
INTRINSISCHEN
SCHICHT
212
8.3.2
VARIATION
DER
BANDLUECKE
DER
I
UND
P-SCHICHT
218
8.4
STABILITAET
DER
ELEKTROLUMINESZENZ
223
8.5
DYNAMIK
DER
ELEKTROLUMINESZENZ
226
9
ERBIUM-DOTIERTE
AMORPHE
SUBOXIDE
229
9.1
ERBIUM
ALS
LUMINESZENZZENTRUM
230
9.2
ANREGUNG
DER
ER
34
-IONEN
IN
A-SI:H
UND
A-SIO
X
:H
232
9.3
IMPLANTATION
VON
ER
3+
-IONEN
IN
AMORPHE
SUBOXIDE
236
9.4
OPTISCHE
ABSORPTION
ERBIUM-IMPLANTIERTER
AMORPHER
SUBOXIDE
238
9.5
PHOTOLUMINESZENZ
ERBIUM-IMPLANTIERTER
AMORPHER
SUBOXIDE
243
10
AUSBLICK
253
LITERATURVERZEICHNIS
255
LISTE
DER
VEROEFFENTLICHUNGEN
271
DANKSAGUNG
273
III |
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