Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kässer, Rudolf (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Zürich Juris-Verl. 1973
Schriftenreihe:Institut für Technische Physik <Zürich>. Abteilung für Industrielle Forschung: Publikation 30
Schlagworte:
Beschreibung:Zugl.: Zürich, Techn. Hochsch., Diss., 1973
Beschreibung:149 S. Ill.

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