Neues Konzept zur Realisierung hochempfindlicher Halbleiterdetektoren:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Erlangen
Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nürnberg
2000
|
| Schriftenreihe: | Physik mikrostrukturierter Halbleiter
19 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2000 |
| Beschreibung: | V, 134 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
UND
MOTIVATION
1
1.1
PHOTODETEKTOREN
IN
ANWENDUNG
UND
FORSCHUNG
.
1
1.2
THEMEN
DIESER
ARBEIT
.
5
2
OPTIMIERUNG
DER
EMPFINDLICHKEIT
VON
PHOTOLEITUNGSDETEK
TOREN
7
2.1
ALLGEMEINE
BETRACHTUNGEN
.
8
2.1.1
N-I-P
PHOTODIODEN
UND
PHOTOLEITER
.
8
2.1.2
N-I-P
PHOTOLEITUNGSDETEKTOREN
.
11
2.1.3
GRENZWERTSCHALTER
.
14
2.1.3.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
14
2.1.3.2
SCHALTDYNAMIK
.
19
2.1.4
DETEKTORRAUSCHEN
.
23
2.1.4.1
THERMISCHES
WIDERSTANDSRAUSCHEN
.
23
2.1.4.2
SCHROTRAUSCHEN
DES
SPERRSTROMS
.
24
2.1.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
25
2.2
OPTIMIERUNG
DER
KONTAKTGEOMETRIE
.
26
2.3
OPTIMIERUNG
DER
LATERALEN
GEOMETRIE
.
29
IV
INHALTSVERZEICHNIS
2.3.1
STREIFENDETEKTOREN
.
29
2.3.2
DETEKTOREN
MIT
INTEGRIERTEM
SCHALTER
.
32
3
FOKUSSIERTE
LONENSTRAHLIMPLANTATION
35
3.1
AUFBAU
DER
ANLAGE
.
36
3.2
DER
IMPLANTATIONSPROZESS
.
38
3.3
DAS
IMPLANTATIONSPROFIL
.
39
4
EXPERIMENTELLE
UNTERSUCHUNGEN
AN
BE
+
-IMPLANTIERTEN
SCHICHTEN
41
4.1
LEITFAEHIGKEIT
DER
SCHICHTEN
.
42
4.2
LOECHERBEWEGLICHKEIT
IN
DEN
SCHICHTEN
.
46
4.3
PIN
UND
NIP-DIODEN
MIT
IMPLANTIERTER
P-SCHICHT
.
52
4.3.1
KENNLINIEN
.
54
4.3.2
PHOTORESPONSIVITAET
.
58
5
EXPERIMENTELLE
UNTERSUCHUNGEN
AN
STREIFENDETEKTOREN
63
5.1
HERSTELLUNG
UND
AUFBAU
DER
UNTERSUCHTEN
DETEKTOREN
.
.
64
5.2
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
68
5.2.1
LEITWERTE
DER
N
UND
P-STREIFEN
.
68
5.2.2
P-N-KENNLINIEN
.
72
5.2.3
KAPAZITAET
.
74
5.3
ELEKTRO-OPTISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
78
5.3.1
SPEKTRALE
PHOTORESPONSIVITAET
.
78
5.3.2
LATERALE
ABHAENGIGKEIT
DER
RESPONSIVITAET
.
83
6
POLARISATIONSEMPFINDLICHE
HALBLEITERDETEKTOREN
89
6.1
GITTERPOLARISATOREN
.
91
6.2
POLARISATIONSEMPFINDLICHE
P-I-N
PHOTODIODEN
.
92
6.2.1
PROBENAUFBAU
.
92
6.2.2
KONTRAST
IM
PHOTOSTROM
.
93
6.2.3
KONTRAST
IN
REFLEXION
.
97
6.3
POLARISATIONSEMPFINDLICHE
PHOTOLEITUNGSDETEKTOREN
.
100
6.3.1
POLARISATIONSEMPFINDLICHKEIT
VON
STREIFENDETEKTOREN
101
6.3.2
STARK
POLARISATIONSEMPFINDLICHER
GRENZWERTSCHALTER
102
INHALTSVERZEICHNIS
V
7
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
105
LITERATURVERZEICHNIS
115
A
ABSCHAETZUNG
DER
KAPAZITAET
EINES
STREIFENDETEKTORS
119
B
BESCHREIBUNG
DER
UNTERSUCHTEN
PROBEN
123
C
REINIGUNGSPROZEDUR
VOR
DEM
UEBERWACHSEN
129
D
BESCHREIBUNG
DER
MESSAUFBAUTEN
UND
MESSMETHODEN
131 |
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