Energierelaxationsprozesse in dotierten ZnSe-Halbleiterstrukturen:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Wiss.-und-Technik-Verl.
2000
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Berlin studies in solid state physics
2 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 169 S. graph. Darst. 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
NIEDRIG
DOTIERTER
HALBLEITER
5
2.1
EXZITONISCHE
EFFEKTE
5
2.2
DONATOR-AKZEPTOR
PAARUEBERGAENGE
8
3
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN HOCH
DOTIERTER
UND
KOMPENSIERTER
HALBLEITER
12
3.1
DAS
ENTSTEHEN
VON
STOERSTELLENBAENDERN
12
3.2
EINFLUSS
UNKORRELIERTER,
STATISTISCHER
STOERSTELLENVERTEILUNGEN
13
3.3
KOMPENSATIONSPROZESSE
IN
ZNSE
16
4
EXZITONISCHE
ENERGIERELAXATION
IN
HALBLEITERN
20
4.1
TRANSIENTES
VERHALTEN
GEBUNDENER
EXZITONISCHER
ENERGIETRANSFERPROZESSE
21
4.2
MODELLIERUNG
DES
REKOMBINATIONSVERHALTENS
GEBUNDENER
EXZITONEN
22
4.3
RELAXATIONSDYNAMIK
DER
EXZITONEN
IM
VIERWELLEN-MISCHPROZESS
24
4.4
EINFLUSS
DER
PROPAGATION:
DAS
LOKALFELDMODELL
26
4.5
TRANSIENTE
EIGENSCHAFTEN
DER
DIFFERENTIELLEN
TRANSMISSION
IM
LOKALFELDMODELL
28
4.6
TRANSIENTE
EIGENSCHAFTEN
DER
1.
ABGEBEUGTEN
ORDNUNG
IM
LOKALFELDMODELL
29
5
EXZITONISCHE
EIGENSCHAFTEN
IN
QUANTENTROG-STRUKTUREN
31
5.1
UEBERSICHT:
BERECHNUNG
DER
EXZITONISCHEN
UEBERGANGSENERGIEN
32
5.2
DAS
MODELL
VON
MATHIEU
32
6
MEHRTEILCHEN-KOMPLEXE
AUS
EFFEKTIVE MASSE-PARTIKELN
38
7
AUFGABENSTELLUNG
45
8
EXPERIMENTELLE
TECHNIK
48
8.1
PROBENEIGENSCHAFTEN
48
8.1.1
DOTIERTE
MBE
ZNSE/GAAS-HETEROSTRULDUREN
48
8.1.2
DOTIERTE
MOVPE
ZNSE/GAAS-HETEROSTRUKLUREN
48
8.1.3
DOTIERTE
ZNSE/ZNMGSE
EINFACH-QUANTENTROG-STRUKTUREN
49
8.2
PROBENPRAEPARATION
50
8.3
ZEITINTEGRIERTE
MESSMETHODEN
51
8.3.1
LUMINESZENZ
UND
TRANSMISSIONSSPEKTROSKOPIE
51
8.4
ZEITAUFGELOESTE
MESSMETHODEN
51
8.4.1
DIE
VERWENDETEN
LASERSYSTEME
51
8.4.2
NACHWEISKONFIGURATIONEN
53
8.4.3
SIGNALERFASSUNG
UND
AUSWERTUNG
56
9
LUMINESZENZ
STICKSTOFF-DOTIERTER
ZNSE
EPILAYER
57
9.1
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
DER
DAP
VON
HOCHKOMPENSIERTEM
ZNSE:N
59
9.2
DAS
DYNAMISCHE
MODELL
DER
KOMPENSATION
60
9.3
DAS
STATISCHE
MODELL
DER
KOMPENSATION
61
9.4
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
DER
STOERSTELLEN-ZUSTANDSDICHTE
61
9.4.1
MODELLIERUNG
DER
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
61
9.4.2
VERGLEICH
MIT
EXPERIMENTELLEN
ERGEBNISSEN
65
9.4.3
ANREGUNGSVERHALTEN
DER
DAP-LUMINESZENZ
66
9.4.4
ABKLINGVERHALTEN
DER
DAP
IN
HOCHDOTIERTEN,
HOCHKOMPENSIERTEN
ZNSE.'N
68
9.5
ZUSAMMENFASSUNG
70
10
TRANSIENTES
VERHALTEN
GEBUNDENER
EXZITONEN
IN
ZNSE
71
IO.I
EINFLUSS
DER
PROBENPRAEPARATION
AUF
DIE
LUMINESZENZ
UND
TRANSMISSIONSEIGENSCHAFTEN
_
71
10.2
DYNAMIK
DER
ENERGIERELAXATION:
BESTIMMUNG
DER
T
R
ZEITEN
72
10.3
DAS
TRANSIENTE
VERHALTEN
DER
DIFFERENTIELLEN
TRANSMISSION
77
10.4
DAS
TRANSIENTE
VERHALTEN
DER
1.
ABGEBEUGTEN
ORDNUNG
85
70.5
DIE
NICHTLINEAREN
QUANTUM
BEAT-STRUKTUREN
GEBUNDENER
EXZITONENKOMPLEXE
_
89
10.6
ZEITAUFGELOESTE
ENERGIETRANSFERPROZESSE
GEBUNDENER
EXZITONEN
96
10.7
EINFLUSS
FREIER
EXZITONENZUSTAENDE
AUF
DIE
SAETTIGUNG
GEBUNDENER
EXZITONENKOMPLEXE_
709
70.8
ZUSAMMENFASSUNG
770
11
TRUMEN
IN
ZNSE/ZNMGSE
EINFACH-QUANTENTROG-STRUKTUREN
112
11.1
LINEAR
OPTISCHE
CHARAKTERISIERUNG
113
11.2
BERECHNUNG
DER
EXZITONISCHEN
BINDUNGSENERGIEN
IM
ZNSE/ZNMGSE-SYSTEM
114
11.3
POLARISATIONSABHAENGIGE
VIERWELLENMISCHUNG
121
11.4
DAS
ANREGUNGSVERHALTEN
DER
EXZITONISCHEN
RESONANZEN
725
77.5
REFLEKTIONSVERHALTEN
UNTER
ZUSATZBESTRAHLUNG
127
11.6
DIE
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
DER
TRIONENLUMINESZENZ
135
11.7
DIE
FEINSTRUKTUR
DER
EXZITONISCHEN
KOMPLEXE
139
11.8
DIE
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DES
TRIONS
149
11.9
WECHSELWIRKUNG
MIT
OPTISCHEN
PHONONEN
151
11.10
DIE
REKOMBINATIONSKINETIK
DES
TRIONS
154
12
ZUSAMMENFASSUNG
156
13
LITERATUR
160 |
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