TEM-Untersuchungen von heteroepitaktischen Gruppe-III-Nitriden:
Gespeichert in:
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Regensburg
Roderer
2000
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670 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
UNTERSUCHTE
MATERIALSYSTEME
4
2.1
GRUNDLEGENDE
EIGENSCHAFTEN
.
4
2.2
KRISTALLSTRUKTUR
.
5
2.3
MATERIALKONSTANTEN
.
6
3
ELEKTRONENMIKROSKOPIE
8
3.1
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
.
8
3.1.1
WECHSELWIRKUNG
MIT
DER
PROBE
.
9
3.1.2
BILDENTSTEHUNG
IM
EM
.
10
3.1.3
PHASENKONTRASTABBILDUNG
.
15
3.2
EXPERIMENTELLE
DETAILS
.
16
3.2.1
KRISTALLPROJEKTION
.
17
3.2.2
ANALYSE
VON
DIFFRAKTOGRAMMEN
.
18
4
PROBENPRAEPARATION
23
4.1
QUERPRAEPARATION
.
24
4.1.1
KONVENTIONELLE
LONENDUENNUNG
.
26
4.1.2
MODIFIZIERTE
LONENDUENNUNG
.
27
4.2
"
PLAN-VIEW
"
-PRAEPARATION
.
28
5
HERSTELLUNG
DER
HALBLEITERHETEROSTRUKTUREN
30
5.1
EPITAXIEVERFAHREN
.
30
5.2
WACHSTUMSMODI
.
32
5.3
MORPHOLOGIE
VON
GAN-SCHICHTEN
(A-PHASE)
.
33
6
VERSETZUNGEN
40
6.1
GRUNDLAGEN
.
40
6.2
VERSETZUNGSTYPEN
IN
DER
HCP
UND
WURTZITSTRUKTUR
.
43
6.3
VERSETZUNGSTYPEN
IN
DER
FCC
UND
ZINKBLENDESTRUKTUR
.
44
6.4
GLEITPROZESSE
.
45
6.5
VERSETZUNGSKONTRAST
IM
EM
.
47
6.5.1
DIE
"
WEAK-BEAM
"
-METHODE
.
48
6.5.2
DAS
G
YY
B
=
0
-
AUSLOESCHUNGSKRITERIUM
.
49
7
HETEROEPITAXIE
VON
GRUPPE
IH-NITRIDEN:
GRENZFLAECHENRELAXATION
51
7.1
ANFORDERUNGEN
AN
DAS
SUBSTRATMATERIAL
.
51
7.2
DAS
SYSTEM
GRUPPE
III-NITRID/AL
2
03(0001)
.
52
7.2.1
EIGENSCHAFTEN
VON
A1
2
O
3
.
52
7.2.2
WACHSTUMSORIENTIERUNG
UND
GITTERFEHLANPASSUNG
.
53
II
7.2.3
EINSCHLUSS
VON
ANPASSUNGSVERSETZUNGEN
.
54
7.2.4
MOIRE-MUSTER-ANALYSE
.
58
7.2.5
WACHSTUMSMODELL
.
60
7.2.6
OPTIMIERUNG
DES
VERSETZUNGSEINSCHLUSSES
.
62
7.3
DAS
SYSTEM
GRUPPE
III-NITRID/6H-SIC(0001)
.
66
7.3.1
EIGENSCHAFTEN
VON
SIC
.
66
7.3.2
VERGLEICH
VON
GAN/ALN/6H-SIC
MIT
GAN/ALN/AL
2
O
3
.
66
7.4
VERSETZUNGSSTRUKTUR
IN
DER
GAN-SCHICHT
(O-PHASE)
.
70
7.5
DAS
KUBISCHE
SYSTEM
GRUPPE
III-NITRID/GAAS(001)
.
74
7.5.1
GRENZFLAECHENANALYSE
MITTELS
TEM
.
76
7.5.2
VCRSCTZUNGSBILDUNG
IN
/3-GAN
.
76
7.6
ZUSAMMENFASSUNG
.
80
8
CHARAKTERISIERUNG
OPTISCH
AKTIVER
IN^GA^N-SCHICHTEN
82
8.1
AUFBAU
VON
LCUCHTDIODCN
.
82
8.2
QUANTITATIVE
ANALYSE
VON
IN^GAJ-J-N-QUANTENTROEGEN
MITTELS
DALI
.
.
83
8.2.1
AUSWERTUNG
VON
IN
I
GAI_
T
N/GAN-DIODENSTRUKTUREN
.
86
8.2.2
UNTERSUCHUNG
EINER
KOMMERZIELLEN
LED
.
88
8.3
STRUKTURELLE
UND
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
LEDS
.
91
9
AKTUELLE
TRENDS
IN
DER
GRUPPE
III-NITRID-EPITAXIE
94
9.1
OPTIMIERUNG
VON
LASERDIODEN
.
94
9.1.1
WACHSTUM
AUF
A-AL
2
O
3
(1120)
.
95
9.1.2
EPITAKTISCHES
UEBERWACHSEN
STRUKTURIERTER
SUBSTRATE
(ELOG)
.
98
9.2
HETEROEPITAXIE
AUF
SI(LLL)-SUBSTRATEN
.
104
9.2.1
WACHSTUMSORIENTIERUNG
UND
-PARAMETER
.
105
9.2.2
TEM-GRENZFLAECHENANALYSE
.
106
9.2.3
VERSPANNUNGSANALYSE
UND
VERSETZUNGSSTRUKTUR
.
109
9.2.4
DIE
AUGAI-XN/GAN-HETEROGRENZFLAECHE
.
111
10
ZUSAMMENFASSUNG
115
ANHANG
119
LITERATURVERZEICHNIS
133
PUBLIKATIONEN
139 |
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