Züchtung von hochperfekten (Si,Ge)-Einkristallen nach dem tiegelfreien Floating-Zone-Verfahren mit Hochfrequenzheizung:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
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2000
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 3
2 DAS SYSTEM (SI,GE) ^ 5
2.1 ZUECHTUNGSRELEVANTE EIGENSCHAFTEN
IM SYSTEM (SI,GE) . 5
2.2 KURZER ABRISS DER (SI,GE)-EINKRISTALLZUECHTUFTG.10
3 KRISTA
LLZUECHTUNG AUS DER SCHMELZE 19
3.1 GRUNDLAGEN DES PROZESSES DER KRISTALLISATION.19
3.2 SEGREGATION. 20
3.3 STABILITAET VON WACHSTUMSPHASENGRENZEN.26
3.4 KRISTALLZUECHTUNGS VERFAHREN.29
3.4.1 ALLGEMEINE BEDEUTUNG.29
3.4.2 DAS CZOCHRAMD-VERFAHREN.^.29
3.4.3 DAS TIEGELFREIE FLOATING ZONE-VERFAHREN . .33
4 DIAGNOSTISCHE METHODEN 41
4.1 AUSGANGSPUNKT.41
4.2 SEM-UNTERSUCHUNGEN. 44
4.3 INFRAROTFOURIERANALYSE.46
4.4 TEMPERATMMESSUNGEN BEIM FZ-VERFAHREN.47
5 ERGEBNISSE DER (SI,GE)-KRISTALLZUECHTUNG 51
5.1 ANLAGENMODIFIKATIONEN.51
5.2 INDUKTORDESIGN .53
5.3 BEREITSTELLUNG UND PRAEPARATION DER VORRATSMATERIALIEN.58
5.4 PRAEPAXATION DER VORRATSSTAEBE.59
5.4.1 GE-REICHE (SI,GE)-VORRATSSTAEBE.59
5.4.2 SI-REICHE (SI,GE)-VORRATSSTAEBE.61
5.5 GE-REICHE (SI,GE)-KRISTALLE.64
5.6 SI-REICHE (SI,GE)-KRISTA!LE .69
5.6.1 TEMPERATURGRADIENTEN AN (SI,GE)-EINKRISTALLEN.69
5.6.2 ZUECHTUNG VON (SI,GE)-EINKRISTALLEN.73
5.6.3 STRUKTURELLE PERFEKTION VON (SI,GE)-EINKRISTALLEN.96
5.6.4 ZUECHTUNG VON VERSETZUNGSFREIEN (SI,GE)-EINKRISTALLEN.109
6 DISKUSSION 115
7 ANHANG 118
1
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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